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退火温度对β-FeSi&,2&薄膜生长的影响研究
本文对磁控溅射制备β-FeSi薄膜的工艺进行了详细研究，制备了β-FeSi薄膜，分析了β-Fesi薄膜的生长机理。
利用XRD、SEM对样品结构进行了表征，即退火温度为600℃和700℃，样品表面主要是由Fe组成的连续的薄膜，但是退火温度从600℃开始，Fe逐渐减少而转化为β-FeSi，到800℃薄膜内的晶粒开始收缩成岛状，此时的晶粒主要是由β-FeSi及少量的Fe和FeSi组成，岛状颗粒随温度的增加越来越大，β-FeSi也随温度的增加，其所占比例越来越大，到900℃达到最大；超过900℃，则B相的晶粒开始转化为α相的晶粒，到1000℃晶粒则全是由α-FeSi z组成。
相比与IBS法制备的β-FeSi薄膜，磁控溅射生长的是单相的β-FeSi薄膜。但通过对IBS法与MS法制备的β-FeSi薄膜表面SEM图像比较，MS法制备的膜厚比IBS法制备的膜厚薄的多。
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退火工艺对NiTi形状记忆合金恢复力的影响
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