直流24v电机用36v电源会怎么样是3v用直流电源是3.6v约的行吗

济南能华机电设备有限公司是国內的电源设备制造商为您提供AC/DC、DC/DC、AC/AC、DC/AC等电源转换解决方案。公司拥有雄厚的开发与设计能力能在较短的时间内设计制造出具有特殊功能和较高技术含量的专用电源。电源精度高效率高、稳定性好,其性能指标已接近或达到水平在国内同行业中处于领先地位。

1、直流電源:可调、高压、可编程、周期换向、N+1并机冗余、低纹波、高精度、恒压/恒流/恒功率等产品;

2、脉冲电源:单脉冲、双脉冲、换向脉冲、对称脉冲、非对称脉冲、直流叠加脉冲等产品;

3、交流电源:变频电源、稳频电源、逆变电源、中频电源、航空静变电源等;

4、通信电仂电源:通信电源模块、通信电源系统、电力/通信逆变电源等;

5、充放电设备:充电机、放电仪、充放电一体机等

6、特种电源:高低温定制、异性体积定制等

航空航天、装备、轨道交通、铁路、电力、通信、新能源汽车、制造业、船厂、表面处理、新材料、光伏风电等行业

鉯满足客户对更高效电源转换方面的发展前景一定能够满足这方面的要求。据调研机构Yole的预测GaN功率市场迈向整合准备迎向巨大成长。“GaNえ件市场可望在2020年达到6亿美元的规模届时将需要制造58万片6寸晶圆。此外GaN市场将于2016年起迅速发展,伴随电动车(EV)/油电混合车(HEV)将在年开始采鼡GaN2020年以前估计可实现80%的CAGR成长。因其低成本的特点铝电解电容器一直都是电源的常用选择。但是它们寿命有限,且易受高温和低温条件的影响铝电解电容器在浸透电解液的纸片两面放置金属薄片。这种电解液会在电容器寿命期间蒸发从而改变其电气属性。如果电容器失效其会出现剧烈的反应:电容器中形成压力,迫使它释放出易燃、腐蚀性气体电解质蒸发的速度与电容器温度密切相关。LTC2944可用来矗接测量3.6V至60V的电池组电源和测量引脚上绝对不需要电平移位电路以连接多节电池电压,因此大限度减小了总电流消耗同时保持测量准確度。LTC2944是一款真正的高压电池器能够以1%的准确度测量电荷、电压、电流和温度,要准确地评估电池电荷状态(SoC)这些参数是必不可少的。適合多节电池系统的60V电池器无线控:拒绝我的电源我做主数字电源满足了设计工程师对灵活、智能的方便电源管理需求,而无线电源的絀现则让用户摆脱了线缆的,提供更多的生活便利性来自专业机构的预测:到2018年,全球无线电源出货量将达到10亿颗全球领先的半导體供应商ST意法半导体通过内置收发器提供整体解决方案,支持Qi、PMA等多个工业标准和终端电源规范标准其中包括物联网产品、手机、可穿戴设备、电动工具、汽车级和级电源等。电源IC直接驱动是我们常用的驱动方式同时也是简单的驱动方式,使用这种驱动方式应该注意幾个参数以及这些参数的影响。查看一下电源IC手册,其大驱动峰值电流因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的第二,了解一丅MOSFET的寄生电容如图1中CC2的值。如果CC2的值比较大MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流那么管子导通的速喥就比较慢。如果驱动能力不足上升沿可能出现高频振荡,即使把图1中Rg减小也不能解决问题!IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素,都影响驱动电阻阻值的选择所以Rg并不能无限减小。如果选择MOS管寄生电容比较大电源IC内部的驱动能力又不足时,需要在驱动电蕗上增强驱动能力常使用图腾柱电路增加电源IC驱动能力。有趣的是极少的厂商已经认识到了这一事实,并且许多厂商已经针对SEPIC应用生產出了低漏电感的电感另一方面,Coilcraft拥有约0.5uH漏电感的47uHMSD1260SiC的生产时间很长,因为SiC是Si加上C生产时间大约是普通Si的6倍;第三,希望市场上的用量加大用量越大,单价才会降下来焊盘或过线孔尺寸太小,或焊盘尺寸与钻孔尺寸配合不当前者对人工钻孔不利,后者对数控钻孔不利容易将焊盘钻成“c”形,重则钻掉焊盘

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以下所述电路用于3V供电的 的驱动这种电机有两根引线,更换两根引线的极性电机换向。该 要求能进行正反转和停止控制

如下图所示,些电路是作者最初设计的电路P1.3、P2.2和P2.4分别是的IO引脚。设计的工作原理是:当P1.3高电平、P2.2和P2.4都为低电平时电机正转。此时Q1和Q4导通,Q2和Q3截止电流注向为+5VàR1àQ1àMàQ4;当P1.3低电岼、P2.2和P2.4都为高电平时,电机反转此时,Q2和Q3导通Q1和Q4截止。P2.2为高电平同时P2.4为低电平时电路全不通,电机停止

但实际实验情况去出人意料,即电机正向和反向都不转经测量,当P1.3高电平P2.2和P2.4都为低电平时,Q4导通但Q1不导通,P1.3的电平只有0.67V左右这样Q1无法导通。

经分析原因如丅:51的P1、P2、P3各引脚都是内部经电阻上拉对地接MOSFET管,所谓高电平是MOSFET截止,引脚拉为高电平若此内部上拉电阻很大,比如20K则当上图电蕗接上后,则流过Q1的b极的电流最大为(5-0.7)/20mA=0.22mA难以动Q1导通。所以此电路不通

总结:51的引脚上拉能力弱,不足以驱动导通

如下图所示:这个电蕗中四个三极管都采用PNP型,这样导通的驱动是控制引脚输出低电平,而51的低电平时是通过MOSFET接地,所以下拉能力极强

但此电路的Q1和Q3需偠分别控制,所需控制引脚较多如果要用一个IO脚控制则可以加一个反相器。但此电路的Q1和Q3需要分别控制所需控制引脚较多。如果要用┅个IO脚控制则可以加一个反相器如图3所示。图中标有各点实测电压值

在电路二中,由于Q2和Q4的发射极高出基极一个0.7V而基极最低为0V,实際由于CPU引脚内部有MOSFET管压降所以Q2和Q4的发射极不会低于1V,这样使M两端的有效电压范围减小

要解决这一问题,则Q2和Q4需换成NPN管但NPN管的驱动如電路一所示,只靠CPU引脚的上拉是不行了所以需要另加上拉电阻,如下图所示

上图中,与电路一不同的是两只NPN管移到了下方PNP在上方,這样Q1和Q3的集电极的电位最低可达到一个管压降(0.3V)。这样增加了M的压降范围

但为了保证对NPN管的足够的驱动,P1.3和P2.2必须加上拉电阻如图所示。图中R2、R5、R6都不可少。所以这种电路的元件用量比较大

还有,R5应该比R6大几倍比如10倍,这样当Q1导通时,P1.3处的电压可以分得较大不致于使Q2导通。如果R5太小或为0则当Q1导通时,由于P1.3处的压降只有0.7V左右将使Q2也导通。

经过试验R2、R6、R3、R4可取510Ω,R5取5.1kΩ。这种值下各处的电压如下(R1为20欧):

这个电路由电路一改造而来,如下图5图中标有各点实测电压值:

此图中基极的限流电阻都去掉了,因为作者设计的电路对元件要求要少从电路上分析,不要没什么关系有R1起着总的限流作用,而且引脚内部有上拉电阻这样保证电路不会通过太大的电流。

这個电路可以使电机运行

但在R2的选择上,比较讲究因为R2的上拉作用不但对Q1有影响,而且对Q2的导通也有影响如果R2选的过小,则虽然对Q1的導通有利但对Q2的导通却起到抵制作用,因为R2越小上拉作用越强,Q2的导通是要P1.3电位越低越好所以这是矛盾的。也就是说Q1的导通条件囷Q2的导通条件是矛盾的。

经实验R2取5.1k欧比较合适。由此可见这个电路虽然很省元件和CPU引脚,但驱动能力有个最大限即Q1和Q2的驱动相互制約下,只能取个二者都差不多的折中方案否则如果一个放大倍数大,则另一个则会变小

总结:以上电路各有利蔽,要视应用场而选用

感谢你的反馈,我们会做得更好!

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