在上一个文章中我们谈到了-SEM的幾个应用方面，下面我们继续来讲讲本文所有内容都是实际工作中应用到的，并非是个人杜撰希望读者仔细理解，后期有时间的话我抽时间仔细分析一下的问题

      当在离子束照射区通入特定的气体时，在聚焦离子束的诱导下这些气体可在固体材料表面沉积。通过调整離子束束斑尺寸束流大小，扫描路径和时间等参数即可在材料表面沉积出期望的图案或功能元器件。同时可以结合气体注入系统（GIS）茬样品表面沉积一层保护气体方便进一步加工样品防止样品表面被破坏

（1）在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误可利用的切割，斷开原来的电路再使用定区域喷金，搭接到其他电路上实现电路修改，最高精度可达5nm

（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蝕、氧化等问题需观察缺陷与基材的界面情况，利用就可以准确定位切割制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况

（3）微米级呎寸的样品，经过表面处理形成薄膜需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用切割制样再使用SEM观察。

在镀膜工艺中可能会產生缺陷（裂纹、鼓包、凹坑）。-SEM可以将缺陷切开观察内部寻找缺陷产生的根本原因。下图以镀膜上发现裂纹为例展示寻找缺陷根本原洇的过程首先，发现缺陷并标记图（a）；开始切割，图（b）；切割至缺陷处发现缺陷系衬底缺陷导致，图（c）同时，可以结合EDS测試分析更多信息，比如缺陷处成分与正常薄膜缺陷成分的异同等信息此处略。

1、聚焦离子束技术（）

beam）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束近年来发展起來的聚焦离子束技术（）利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等

2. 聚焦离子束技术（）可为客户解决的产品質量问题

（1）在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误可利用的切割，断开原来的电路再使用定区域喷金，搭接到其他电路上实现電路修改，最高精度可达5nm

（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题需观察缺陷与基材的界面情况，利用就可以准確定位切割制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况

（3）微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用切割制样再使用SEM观察。

3. 聚焦离子束技术（）注意事项

（1）样品大小5×5×1cm当样品过大需切割取样。

（2）样品需導电不导电样品必须能喷金增加导电性。

（3）切割深度必须小于50微米

（1）微米级缺陷样品截面制备

（2）PCB电路断裂位置，利用离子成像觀察铜箔金相