半导体三极管及其放大电路

1.晶体管能够放大的外部条件是_________

a 发射结正偏集电结正偏

b 发射结反偏，集电结反偏

c 发射结正偏集电结反偏

2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________

a 发射結正偏集电结正偏

b 发射结反偏，集电结反偏

c 发射结正偏集电结反偏

3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________

6.反向饱和电流越小，晶体管的稳萣性能_________

7.与锗晶体管相比硅晶体管的温度稳定性能_________

8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________

10.对 PNP 型晶体管来说当其工作于放大状态时，_________ 极的电位朂低

11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________

12.温度升高晶体管输出特性曲线_________

12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________

12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________

c 晶体管的β一定减小

小学四年级数学竞赛训练100题

1.在下媔的数中间填上“+”、“-”使计算结果为100。

（1）753，743，733，（）（）；

（2）1，45，49，4（），（）；

（3）32，62，122，（）（）；

（4）76，275，374，4（），（）；

（5）23，45，87，（）（）；

（6）2，14，18，1（），（）

7.在（）内填入适当的数

（1）1，12，35，8（），（）；

（2）02，24，610，（）（）；

（3）1，34，711，18（），（）；