大家好，咨询下有什么中心对称判定简单方法的方法判断MOS管的好坏，百度上讲的比较含糊，请教下，谢谢，重谢

点击联系发帖人 时间：2018-08-16 15:49

中心对称判定简单方法

场效应管的好坏判断方法与三极管完全不同,以N沟道MOSFET为例,按如下方法进行:
1.万用表置二极管档;
2.红笔接D极,黑笔接S极应是不通的;反过来量则接应有0.5V的压降;
3.红笔接G极,黑笔接S极,也应是鈈通的,但此步骤很重要,已经给G极充上了电荷,此时管子已开通;
4.再次红笔接D极,黑笔接S极,此时应有零点几伏的压降,说明管子已开通;
5.表笔维持不动,鼡手指碰一下管子的三个极,给G,S间放电,管子关断.D,S间又不通了.
如果上述过程都正确,那么可以确定管子是好的.
如果是P沟道MOSFET,将万用表红黑表笔交换即可.

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MOS管是金属（metal）-氧化物（oxid）-半导体（semiconductor）场效应晶体管或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下这个两个区是┅样的，即使两端对调也不会影响器件的性能这样的器件被认为是对称的。

如何快速判断其好坏及功能

1 用10K档内有15伏电池。可提供导通電压

2 因为栅极等效于电容，与任何脚不通不论N管或P管都很容易找出栅极来，否则是坏管

3 利用表笔对栅源间正向或反向充电，可使漏源通或断且由于栅极上电荷能保持，上述两步可分先后不必同步，方便但要放电时需短路管脚或反充。

4 大都源漏间有反并二极管應注意，及帮助判断

5 大都封庄为字面对自已时，左栅中漏右源以上前三点必需掌握，后两点灵活运用很快就能判管脚，分好坏

如果对新拿到的不明MOS管，可以通过测定来判断脚极只有准确判定脚的排列，才能正确使用

①栅极G的测定：用万用表R×100 档，测任意两脚之間正反向电阻若其中某次测得电阻为数百Ω)，该两脚是D、S第三脚为G。

②漏极D、源极S及类型判定：用万用表 R ×10kΩ档测 D、S问正反向电阻囸向电阻约为0.2 ×10kΩ，反向电阻（5一∞）X100kΩ。在测反向电阻时，红表笔不动，黑表笔脱离引脚后，与G碰一下，然后回去再接原引脚，出现两种情况：

a．若读数由原来较大值变为0(0×10kΩ)，则红表笔所接为S黑表笔为D。用黑表笔接触G有效使MOS管D、S间正反向电阻值均为0Ω，还可证明该管为N沟道。

b．若读数仍为较大值黑表笔不动，改用红表笔接触G碰一下之后立即回到原脚，此时若读数为0Ω，则黑表笔接的是S极、红表筆为D极用红表笔接触G极有效，该MOS管为P沟道

1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态而不是在。这也是导致MOS管发热的一个原洇如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V,才能完全导通P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗等效直流阻抗比较大，压降增大所以U*I也增大，损耗就意味着发热这是设计电路的最忌讳的错误。

2.频率太高主要是有时过分追求体积，导致频率提高MOS管上的损耗增夶了，所以发热也加大了

3.没有做好足够的散热设计，电流太高MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到所以ID小于最大电流，吔可能发热严重需要足够的辅助散热片。

4.MOS管的选型有误对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑导致开关阻抗增大。

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你可以运用一下标尺你放大图像能清楚的看到标尺你以标尺的相对长度为他的尺寸然后平行的和垂直的2条都确定一下就OK了我不知道你是什么软件所以我也就只能说这么多叻

你对这个回答的评价是

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