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微纳加工技术
Raith电子束光刻/聚焦离子束加工系统
电子束光刻机
聚焦离子束加工系统
图形发生器光刻技术理论
Raith 电子束光刻系统/电子束光刻机
公司介绍：
电子束光刻(电子束曝光、电子束直写）广泛应用于低温电子器件、光电子器件、量子结构、输运机制、微系统、光器件、半导体与超导体材料界面、模板和等的制备中。针对科研经费有限而应用广泛的特点，Raith开发出多种面向科研的电子束光刻（电子束曝光、电子束直写）系统，从目前已拥有的900多家用户来看，其产品的方向和水平充分满足了研发及小批量生产的需求。世界上许多知名的大学、研究所和公司的研发部门都采用了Raith的电子束光刻/电子束直写系统，如：IBM、AT&T、Stanford、Cambridge、Infineon、中科院物理所（三套系统）、中科院半导体所、清华大学、北京大学、中山大学、中国科技大学、南京大学、国家纳米中心等。
日，Raith宣布收购Vistec公司。Raith的成套电子束光刻机处理能力可覆盖小样片直至8英寸大样片，用户可根据应用需要选择到适合的机型；所有Raith及以前的Vistec用户将共享Raith完善的服务体系； Raith进一步技术研发和公司发展的基础将更加牢固。
一、电子束光刻机 / 电子束曝光（电子束直写）系统：
可处理200mm的大硅片。它采用了专业的通用设计标准，系统自动化程度高、工作效率高，可满足众多需求，可用于半导体器件的加工和模板制作，同时也是大型实验中心的首选。
的问世标志着Raith新一代电子束直写技术的产生。它的革新性的设计和性能指标，所追求的目标是：优良的结果，高速度和低成本。
是Raith自动化程度很高的直写系统，用于进行长时间和大面积曝光。它是纳米技术研究中心和实验室的理想工具。
是一台灵活的电子束曝光和纳米工程平台，适用于大学研究所的多学科研究的特殊需求。
适合大学研究所的既需要高分辨电子束曝光，也需要高倍成像的要求。
和可实现零拼接曝光，用于直写长路径波导、光子晶体等重复性图案，没有任何拼接误差。
–一种全新的概念。Raith提供电子束和离子束曝光系统，相同的硬件和软件平台，两套系统并行工作将更有效率，纳米加工任务圆满完成。
二、聚焦离子束加工系统：
ionLINE离子束加工系统可提供多种加工手段，因而用户可应用不同的工艺步骤来完善纳米加工工艺。离子束加工系统可不再局限于基于的曝光，更多地使用直接的图型化技术，如Milling、刻蚀或沉积，以及直接掩模包括硬掩模，注入或功能化。
三、图形发生器——使扫描电镜、聚焦离子束和透射电镜具备电子束光刻直写功能
纳米生物技术/MEMS
更多信息，请查看网站：
电子束光刻机 / 电子束曝光（电子束直写）系统
Raith公司可为您提供革新性的光刻系统和纳米加工平台。专注于电子束光刻技术30年，Raith在微纳米技术领域具有丰富的经验。对于光刻和纳米技术方面的问题，Raith将非常乐意为您提供专业的技术支持和工艺应用咨询服务。
可处理200mm的大硅片。它采用了专业的通用设计标准，系统自动化程度高、工作效率高，可满足众多需求，可用于半导体器件的加工和模板制作，同时也是大型实验中心的首选。
的问世标志着Raith新一代电子束直写技术的产生。它的革新性的设计和性能指标，所追求的目标是：优良的结果，高速度和低成本。
是Raith自动化程度很高的直写系统，用于进行长时间和大面积曝光。它是纳米技术研究中心和实验室的理想工具。
是一台灵活的电子束曝光和纳米工程平台，适用于大学研究所的多学科研究的特殊需求。
适合大学研究所的既需要高分辨电子束曝光，也需要高倍成像的要求。
和可实现零拼接曝光，用于直写长路径波导或类似光子晶体的，没有任何拼接误差。
–一种全新的概念。Raith提供电子束和离子束曝光系统，相同的硬件和软件平台，两套系统并行工作将更有效率，纳米加工任务圆满完成。
聚焦离子束纳米图案化的极致——离子束加工系统
ionLINE采用Raith先进的NanoFIB-TWO纳米加工离子枪技术，并结合电子束曝光系统中高精密的激光干涉平台和多用户管理的图形化软件操作界面，操作简单方便，其优势在于制作大面积复杂的纳米级图形。
ionLINE结合了不同的聚焦离子束技术，稳定性高，全自动控制，分辨率高，重复性高。
离子束加工系统用很多方法手段，以不同的工艺步骤完善了纳米加工工艺：离子束曝光系统不再局限于基于的曝光，更多地使用直接的图型化技术，如Milling、刻蚀或沉积，以及直接掩模包括硬掩模，注入或功能化。
ionLINE真正的聚焦离子束加工系统
高精密和稳定的100mm激光干涉工作台，非破坏性的导航和大面积图型化
专利技术的NanoFIB-TWO离子枪，分辨率高，束斑非常有特点（束拖尾很小），精确的束偏转
久经考验的曝光控制软件，可精确控制离子束
ionLINE 发展高效的工艺
用直接研磨或样品功能化来减少纳米加工工艺的步骤
快速工艺开发，用实时工艺监测和三维载片台在线检查和优化工艺
可实现有挑战性的材料和先进的原型设计的工艺
高稳定性使真正器件的全自动批量加工工艺成为可能
适用各类技术改成——灵活的技术手段
FLEXposure图型化模式：提供了非常适宜的离子束技术和图型化策略
专业的设计和剂量控制支持二维薄层图型化或三维纳米加工
无需光刻胶直接图型化的能力可适用于三维/不平整样片或悬浮样片上的各种应用需求
ionLINE除了可配备标准部件，如进料室、光学探测器、实时工艺监测和三维载片台外，还可增加额外的功能：
五通道或单通道气体注入系统，适用材料种类多，可实现定位沉积和气体辅助刻蚀
笛卡尔纳米操纵，可用于机械操纵，电学探针或信号测量
自动高度传感器，可实现大面积聚焦控制
固定束移动工作台FBMS和调制束移动工作台MBMS曝光模式，无拼接误差地处理长路径图形和周期性图型。
NanoFIB-TWO离子枪
1mm长写场拼接的3维微流体混和器通道
大面积点阵结构
大面积三维周期性结构
500nm厚的金薄膜上制备X射线大面积波带片结构
图形发生器
ELPHY纳米光刻系统，适用于您的SEM，FIB或SEM-FIB双束系统。
将在多技术纳米加工中的先进技术，和在优异的电子束曝光性能基础上升级出的三维离子束加工相结合，ELPHY MultiBeam在一种分析型的FIB-SEM双束系统上实现了真正的光刻加工能力。
更多地被用于场扫描电镜FE SEM，聚焦离子束系统FIB或SEM-FIB双束系统上，是一种先进的解决方案。它硬件性能优异，在高速度直写过程中，电子信号质量更好。
是一种被广泛采用的解决方案，可用于您的扫描电镜SEM和聚焦离子束系统FIB上。它性能可靠，功能齐全，且经济实惠。
紧凑的激光干涉工作台是由Raith自己研制生产的，它帮助克服了扫描电镜用于光刻的局限性，如对于高级应用扫描电镜无法实现拼接和精确定位。
您的扫描电镜和聚焦离子束系统上配备了我们的高端的电子束光刻图形发生器，即使在高速直写时，技术性能和稳定性都非常优秀。我们的技术支持工程师团队将为您提供专业的培训，解决技术问题。如果您有任何问题，我们将十分乐意帮助您，为您提供进一步的信息和咨询。
在80年代末，Raith提供了集成到SEM和FIB系统上的第一套商业机器。现在，在科研领域，上百套的SEM和FIB系统上集成了我们的图形发生器，具备了纳米图型化的能力。
Raith的ELPHY图形发生器是非常灵活的，且在可承受的价格上提供了良好的性能。Raith建立了世界范围久经考验的服务体系，为您更好地使用ELPHY图形发生器提供了技术保障。
光刻技术理论
电子束曝光：利用电子束在涂有的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。
按工作方式分
投影式曝光
按电子束形状分
高斯圆形束电子束曝光系统
成形束电子束曝光系统（固定、可变）
按扫描方式分
光栅扫描电子束曝光系统
矢量扫描电子束曝光系统
Raith电子束曝光机采用的是高斯圆形束矢量扫描直接曝光模式。
电子束曝光系统的重要关注指标：
最小束直径
扫描场大小
工作台移动精度
场拼接精度
与电子束曝光相关的基本微加工工艺步骤：
薄膜制备与分析技术
电子枪、离子枪
各种束源炉
微纳加工技术
表面形貌与测量技术
实验样品及耗材
选择样本下载
汇德信公司样本
紫外-电子束光刻胶先进制造技术 电子束加工、离子束加工和激光束加工的区别
先进制造技术 电子束加工、离子束加工和激光束加工的区别
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微纳制造与加工平台
电感耦合等离子体刻蚀系统
德国 SENTECHSI500
该系统可以对硅、氧化硅、氮化镓和氧化锌等材料进行微纳米刻蚀。主要用于刻蚀制备基于III-V族，II-VI族和硅锗及其氧化物和氮化物等的纳米器件。
等离子体增强化学气象沉积系统
德国 SENTECHSI500D
该系统使含有薄膜组成的原子的气体形成强化学活性的等离子体，进而在基片上沉积出薄膜，并且具备精确的沉积厚度控制能力。可沉淀的材料包括：氧化硅、氮化硅、碳化硅、非晶硅等。
原子层沉积系统
芬兰 PicosunSUNALETM R-200
用于在原子尺度精确地控制沉积薄膜的厚度，用以研究不同功能材料在原子层次的厚度变化对其电学、光学和机械等性质变化的影响。
紫外曝光系统
德国 SUSS MA/BA6
该系统可以进行大规模阵列器件制备，适用于硅、氮化镓和氧化锌等材料；可以用于刻蚀制备基于III-V族，II-VI族和硅锗及其氧化物和氮化物等材料的压电电子学和压电光电子学纳米器件。
多靶磁控溅射镀膜系统
美国 Denton VacuumDiscovery 635
该设备用于快速沉积薄膜，制备电极和生长种子层，具有各向同性沉积金属和陶瓷薄膜的功能。该设备易于制备厚膜。
超高真空电子束蒸发镀膜仪
美国 Denton VacuumExplorer 14
该设备具有各向异性沉积高熔点金属和陶瓷薄膜的功能，可以实现微纳电子器件电极的制备。其最大特点是易于精确控制厚度，沉积过程具有一定的各向异性，有利于降低光刻图形剥离工艺的难度。
等离子（Plasma）清洗系统
美国 PVA TePlaIoN 40
该系统用于在光刻前清洗基片。通过等离子清洗，可以有效地去除污染物，提高光刻精度。剥离工艺在纳米材料表面造成的光刻胶残留，也可以利用该系统去除。
超高真空热蒸发镀膜仪
本设备用于实验室制备薄膜材料，可蒸镀金属材料。热蒸发镀膜是一种真空镀膜技术，蒸发镀膜具有一定的各向异性，可以用于制备催化剂层和电极。是一种基本的微加工手段。
快速热处理系统
美国 MPTRTP-600xp
该设备用于进行快速热处理。快速热处理是半导体制造中的一道重要工艺，是一种升温速度非常快，保温时间很短的热处理方式。可以用于离子注入后的杂质快速激活、快速热氧化等。也可以改善器件中半导体和电极之间的接触。
纳米电子束直写系统
纳米电子束直写系统用于进行低于100nm 水平的曝光图形。利用光刻设备，通过对光刻胶进行曝光显影，可以得到任意设计的精度在10nm 的图形化表面。可用于图形化生长，电极制作。
电子束聚焦离子束双束系统
电子束聚焦离子束双束系统可以在纳米尺度上实现切割和焊接，用于加工各种纳米结构。通入特殊气体，可以实现由离子束诱导的金属和绝缘体气相沉积。
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电子束和离子束加工
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[论文]电子束与离子束微细加工
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