OB2273做36W效率问题，有图，高手请帮忙指点一二-电源网
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OB2273做36W效率问题，有图，高手请帮忙指点一二
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电源币：10&nbsp|&nbsp主题帖：8&nbsp|&nbsp回复帖：57
上面是原理图，输入AC90-265V，输出12V 3A 变压器用的是EFD25& 初级63T 次级9T&&& VCC是11T&感量680mH,变压器的绕法试了很多种，现在的效率还是84点多，总是调不上，请高手指点一二，小弟不胜感谢
电源币：1564&nbsp|&nbsp主题帖：34&nbsp|&nbsp回复帖：1588
84点多已经比较高啦，你的设计要求是多少？
圈比减小一点点试一下，加粗次级的三重绝缘线试一下，改用大电流一点的开关管试一下。
电源币：10&nbsp|&nbsp主题帖：8&nbsp|&nbsp回复帖：57
要求过能效5的，能效5的标准就要84.6了，最低也要保证有2个点的余量。我的次级现在是3支.035的三重绝缘线并绕的。肖特基现在是10A 100V的。用20A 100V的会高一点点，还是不够。
电源币：54&nbsp|&nbsp主题帖：161&nbsp|&nbsp回复帖：471
你的电流密度到10A了 至少0.45mm
电源币：10&nbsp|&nbsp主题帖：8&nbsp|&nbsp回复帖：57
变压器改为次夹初的绕法，次级为6支0.35MM的三重绝缘线，初级0.45的线。肖特基用两个10A 100V的并联。效率还是只有0.8个点的余量。是不是高手今天都休息啦？调试中。。。
电源币：7&nbsp|&nbsp主题帖：8&nbsp|&nbsp回复帖：42
肖特基改用60V 20A的管子 效率会上1到2个点
电源币：10&nbsp|&nbsp主题帖：8&nbsp|&nbsp回复帖：57
60V 的管子耐压是不够了，现在高压时都达到70V多了
电源币：284&nbsp|&nbsp主题帖：67&nbsp|&nbsp回复帖：422
调整一下咂比和电感量看看,还有就是你的D3换成FR107看看，你的MOS 7N60是用的什么品牌的，内阻多少，可以换换其他家的MOS看看，每一家的MOS内阻都是有差别的
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：2&nbsp|&nbsp回复帖：14
最好用20A/100V的,你有snubber吸收太重了,启动电阻也太小,为了启动时间的话建议用AC启动+二极启动.变压器CCM深度设计的深一点,OB2273的OCP补偿做的很好不用再接电阻去补的了,然后就是MOS管了如楼上所说.电路的一些固定损耗尽量小一点,效率是一点一点抠出来的
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：244
学习一下,没有用过OB2273
电源币：61&nbsp|&nbsp主题帖：22&nbsp|&nbsp回复帖：208
&曾經用OB2263和GR8835 + MOS 3562 做過12V/3.0A電源，變壓器是EFD30 60：9：10(VCC) 三明治繞法 電感量1.2mH 效率89%
具體是60：7：10 還是60：9：10記不大清了。
电源币：71&nbsp|&nbsp主题帖：30&nbsp|&nbsp回复帖：1076
电源币：10&nbsp|&nbsp主题帖：8&nbsp|&nbsp回复帖：57
你是吴中贵吧，我认识你，以前我和你是同一个厂的，现在你在哪高就了
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：5&nbsp|&nbsp回复帖：16
这样也能 认得
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：244
嘿嘿,恭喜你找到老同事了
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：2
呵呵！！贵哥
电源币：392&nbsp|&nbsp主题帖：86&nbsp|&nbsp回复帖：2591
做得很不错。。。
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：8
可以试一下赛威科技的高效率PWM控制器SF5545。 SF5545采用赛威科技专利的“优化降频”和“效率均衡”技术，效率比OB2273高。
针对这种情况，赛威科技在业内首创“优化降频”和“效率均衡”技术，大大挖掘提升了PWM控制技术在轻载时的能效，使之接近PWM控制技术的理论能效极限。优化全电压全负载范围内的效率，需要处理两个方面的难题：(1) 需要一种优化的降频方式。(2)需要补偿高低压能效的差异。赛威科技首创的“优化降频”和“效率均衡”技术应对了这两个方面的挑战。赛威科技IC研发总监林官秋指出：理论分析证明存在一条非线性的优化降频曲线，使得单电压下能效测试中的四点(25%, 50%, 75%, 100%)效率曲线趋于平坦，从而提升了轻载能效。同时“效率均衡”技术相当于设定了不同负载在优化的降频曲线的相对位置，并且补偿了高低压效率在轻载时的差异，所以“优化降频”技术和“效率均衡”技术的结合能够优化全电压全负载范围的能效，是满足“能源之星”EPS2.0 和五级能效标准的最佳技术选择。
电源币：4&nbsp|&nbsp主题帖：2&nbsp|&nbsp回复帖：60
电源币：22&nbsp|&nbsp主题帖：21&nbsp|&nbsp回复帖：199
板端效率还拿出来炫耀.
一般线端都能达到平均88%
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：1&nbsp|&nbsp回复帖：2
统统看了一遍！
你可否知道谁是现在耗能最大的？第二是谁？第三？你把前三名任意解决两个，或第一个解决，那就达标了！
2 该变压器
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：4
LZ，您好！请问您的这个OB2273模型是下载的还是自己建立的？如果是下载的请问在哪里可以下载得到？
电源币：0&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：22
电源币：92&nbsp|&nbsp主题帖：102&nbsp|&nbsp回复帖：116
个人觉得，EFD25做12V3A，明显变压器功率不足，建意换PQ2620试试
电源币：3217&nbsp|&nbsp主题帖：0&nbsp|&nbsp回复帖：87
出于成本考虑，EFD25做36W差不多了。
电源币：48&nbsp|&nbsp主题帖：19&nbsp|&nbsp回复帖：648
你把整流管换几个品牌的试一下，会提升2个点左右。
电源币：2722&nbsp|&nbsp主题帖：5&nbsp|&nbsp回复帖：102
提高效率最好是更换不同品牌的肖特基，换MOS效果没有这么明显，温升可能还是问题。
电源币：48&nbsp|&nbsp主题帖：19&nbsp|&nbsp回复帖：648
变压器再设计一下，次级尖峰电压不超过60V。选用60V的整流管，效率就上来了
电源币：3&nbsp|&nbsp主题帖：3&nbsp|&nbsp回复帖：129
EFD25的骨架比较宽，应该可以把反射电压提高点，次级用60V的管子
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请问这个恒流源1ma的原理是什么，有高手分析一下吗？？
&&未结帖(20)
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本帖最后由 ghwcxh 于
21:13 编辑
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下面那个运放是个跟随器，对上面那个运放用虚短虚断来算就可以了。只是给你说方法，不代表这个电路是对的哈。
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V5=V3+（VREF-V3）/2，
IL=（V7-V3）/R5
IL=VREF/R5
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为什么说这个电路时不对呢，仿真的时候也是1ma
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电路是对的，运放7脚电压是2VREF3.3V，所以注意VCC供电电压
赚钱不多，辛苦不少
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这个电路叫做改进型Howland恒流电路。
有关这些电路的详细描述，参见国半的AN1515：
A Comprehensive Study of the Howland Current Pump
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看不懂啊。
历经挫折才能站的更稳.加油
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看不懂没关系，可以仿真验证一下，或者干脆直接接受这个电路。
这是一个常用于Pt100测试的产生1mA的办法，优点是共地压控，而且1mA输出电流也是共地的，内部只用运放（不用三极管、FET、MOS，也不用稳压管）。
这个电路的弱点，是需要两对配对的电阻。
从原理上，应该先看Howland电流源，找一下Bob的视频
national_abd_06 Current Source Stuff
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仿真结果跟你的理论不相符。。。不知道为什么
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哪里不相符？
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是一个很常见的恒流源电路，没有问题的！
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可能LZ用的负载太大吧，导致仿真不正确。
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1K也算大？？
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这个视频是一系列的吗 能否提供下连接 谢谢
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回楼上，是国半的一个著名视频系列，地址如下：
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LZ是单电源使用，
此时U1A是被倒灌的，未必能保持在1V左右，
你量一下跟随器U1A能否跟随，
另外你的供电电压是多少？
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热门推荐 /4按“闲情逸致”做的简易电子负载，3个管子发热量差别很大?
按“闲情逸致”做的简易电子负载，3个管子发热量差别很大?
<span class="xi1" style="color:#ff
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 10:33:40
图下面原理图，3个MOS管并联的，驱动是公共的，RCS也是并联在一起的，我调到0.5A时试了下，发现靠近输入端的MOS特别烫手，而左侧的2个MOS只有温温的。管子用的STP120NF10(100V110A).
9楼 st.you 说的正确。
MOSFET做开关使用时的R on 会使电路均流，因为R on一致性比较好；而电子负载是用它的线性部分，栅极电压对应的导通电流是各有差别的，而且很小的电压差就对应很大的导通电流差。
要均流好只有每个MOSFET用独立的运放和采样电阻。运放驱动不需再加图腾，运放和G极中还要串一颗几十到几百欧的电阻，降低运放对MOSFET调整过度，避免引起震荡。
|st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 12:22:18&这个本身就是一个有很大缺陷的电路。 ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 12:38:34&缺陷在哪儿了，请明示？
我把第三个温度很高的MOS换掉，结果另外2个温度比较高，第三个反而变成很低的了，相差有15度左右
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 13:52:01&MOS的阀值和曲线很难做到一致导致，同样控制电压下，电流有差异，除非你用的MOS参数严格的一致，否则，怎么调都调整不好的。 或者，改成达林顿管三极管也可以，原因是三极管的PN结电压，再怎么差异，也不会大到哪去。只是电流精度就受限制了，毕竟取样电阻得到的电压，有基极电流的成分在里面。。这个电路，如果每个MOS用单独的一个运放来控制的话，就不存在电流不均的问题。 ||oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 14:13:34&并联驱动可能比较常见，成本比较省。
每个MOS管配运费，那多奢侈，不符合标题 简易电子负载 初衷 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 15:57:22&奢侈吗？每个MOS加运放，基准共用，三个MOS每个单独用一个取样电阻，一个324才多少钱？实际也就多两个取样电阻，两路运放（这个几乎不加多少钱）而已，有那么穷吗？ ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 23:02:50&想错了 以为要3个2904，其实一个324就可以了，其实也不贵。
我装上散热器，加上20W功耗，结果中间那个MOS 90+度， 两边的才30度 ||
灰狼行天下离线LV4初级工程师积分：360|主题：2|帖子：71积分:360LV4初级工程师 09:41:33倒数2&有道理，顶一个 ||
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 21:12:42&9楼 st.you 说的正确。
MOSFET做开关使用时的R on 会使电路均流，因为R on一致性比较好；而电子负载是用它的线性部分，栅极电压对应的导通电流是各有差别的，而且很小的电压差就对应很大的导通电流差。
要均流好只有每个MOSFET用独立的运放和采样电阻。运放驱动不需再加图腾，运放和G极中还要串一颗几十到几百欧的电阻，降低运放对MOSFET调整过度，避免引起震荡。
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 22:10:21&
开始我也是存在以为用同样的RDS就能均流的误区，那个只是开关状态下才行，比如电焊机上有一排MOS并联。
后来那个网友说要筛选VGS才知道电子负载是线性放大区，共驱动电压会导致不同的导通程度，所以出现了我说的中间MOS温度90度，两边30度的情况。 ||
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 23:07:09&
就看IRFP250的GS电压对应的电流，3~5V间就对应0~10A了，而且还因温度漂移都很大，个人认为是极不确定的，每个管子都可能不一致。还有温度越高导通越多，将是累者更累，加剧了不平均。
2V左右就起这么大的调整幅度了，而运放更高的工作电源电压有更好的特征，这两者有点冲突，所以串一个阻值大点电阻能使电路更稳定，虽然降低了瞬态响应速度，老化不需要那么快的瞬态响应速度。 ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 23:33:53&是不是可以这么说，电子负载并联驱动要么能够筛选VGS到几十毫伏级别（前提是有那么多供筛选）。要么就走下面2条路：
1.每个MOS管单独配驱动和采样。
2.直接用一个管子加大散热力度。 ||
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 11:30:58&晕 打了那么多字不小心按了退格键网页后退全没了。
MOSFET做线性使用基本很难并联，会出现一些很热一些凉飕飕。三极管并联方法st.you说了。
单独一颗管子的功率也不能做太大，我一般用法是TO220的25W左右，TO-3P的35W左右。保持晶圆的温度不要太高，95度以下吧。 热阻存在就算加大外壳散热面积都没有什么效果的。 否则批产时整天维护换管子也够呛的。 一些用少量管子、一点散热片的负载就说很大功率不可信，除非你不满负荷使用。
管子尽量选用电流大、耐压低点的。因为电流大晶体和衬底的接触面积相较大，有利于散热；耐压低晶圆的厚度也会薄点，热阻会小点。当然要考虑温度升高后耐压下降，一般MOSFET 125度时耐压降到1/2，按最高95度设计，选用2.5倍耐压的比较好。
||zhaohua2764离线LV8副总工程师积分：9962|主题：37|帖子：3747积分:9962LV8副总工程师 12:41:23&闲情逸致也有不轻闲的时候。 ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 13:54:14&只是我自己没有调试弄好的原因啊，标题是不是有点怪他的意思？ ||bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 12:58:44&哦，看来是 电流分配 严重不均啊！ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91847|主题：134|帖子：41816积分:91847版主 13:03:43&高手啊，连这都能看出来。 ||
liu1875离线LV8副总工程师积分：5782|主题：46|帖子：3416积分:5782LV8副总工程师 14:01:29&这个真正的高手是lism，绍明兄才是做这块的真正高手，您说是搽屁股的高手吧 ||bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 13:31:24&既然是分赃不均，那就应该考虑，使用特性接近一致的MOS，就是说IV曲线越接近越好。
另外，你这个是直流电源，LM2904的输出，接一个NPN例如2N3904就可以了，没必要PNP.
你还可以考虑，在MOS的源极加入小电阻，可能要凑试，以保证各个管子，分赃均匀！
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 13:52:37&对管在这里推拉增加驱动能力啊。
你说的串小电阻，统一一样的，还是每个MOS测试RDS后去配？ ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 13:57:52&对管是用于交流电流源的。直流ＮＰＮ就足够的！无许多此一举的嘛！
在采样电阻的上面，源极接电阻。
其实，你这个，用不着担心神马，只要ＭＯＳ没有过流，超过其功率范围，发热有如何？
另外，ＴＯ２２０应该加散热片！
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 14:16:44&对管啥时候是只用于交流电流源，随便看个规格书都是IC增加驱动力而已。
散热片肯定要加，拆了个显卡的，还在打洞。 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 14:19:37&这个真的没有用！
因为拟定ＰＮＰ从来都不会导通！
||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91847|主题：134|帖子：41816积分:91847版主 13:45:24&你想做多少A的电子负载？多少伏输入的？ ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 13:50:14&电流5A就够用了，功率30V2A 或者10V5A就够了。我通常碰到负载也只有这个范围 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91847|主题：134|帖子：41816积分:91847版主 14:20:16&如果是这个功率等级，换额定电流小一些的MOS管也许回好一些，另外，按照你3个MOS管，均分5A电力，每个MOS管电流不超过2A，那么可以在MOS管的S极串联0.2-0.5欧姆左右的电阻，当然要注意这个电阻的功率。 ||ontario离线LV2本网技师积分：150|主题：4|帖子：32积分:150LV2本网技师 02:12:50&需要挑选Vgs一致的管子，参见我的贴子
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 08:50:45&我挑的RDS一致的管子，3个都是7.5MR，用20W老化了一个晚上，中间的管子90度，边上2个30度左右。 散热片也是凉凉的感觉直接用螺丝打上去散热不太理想。 ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91847|主题：134|帖子：41816积分:91847版主 09:38:57&漏极串联小电阻，可以调整VGS及RDS的不一致性。 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 10:54:55&漏极？原理上是源极吧？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91847|主题：134|帖子：41816积分:91847版主 13:05:07&SORRY,确实是源极，呵呵。 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 13:26:30&你的这些管子是开关管，对吧？
而你的恒流电路，ＭＯＳ是工作在恒流方式，相当于三极管的放大状态，所以看ＩＶ曲线，才是挑选一致性的方法，当人了这并不容易！
还是那句话，这些ＭＯＳ都是大功率的，只要不超范围，加散热器的情况下，用散热器把３个连一起，不就是一个了吗！
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 14:20:29&分赃不均，严重的，会导致能者多劳，然后过劳死掉。而无视这个问题，三个当一个用，钱多人傻是吧？ ||bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 14:42:43&从来都是能者多劳！
你学校里，还没毕业的八？
||constant离线LV6高级工程师积分：595|主题：20|帖子：197积分:595LV6高级工程师 14:55:12&送楼上的一个手势（此处省略一个手势！！！） ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 14:59:44&还以为你要送个截至呢！首饰就算了！ ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 15:46:15&替你楼上冒昧的问下你，你毕业了没 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 15:48:01&没，有！ ||
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 16:34:40&找三个做苦力的，出同样的工钱，你希望是三个干同样多的事呢，还是只给一个干活，然后养另外两个闲人啊 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 16:39:27&你这边偷换概念吗！
是给一样的钱，但一个给李，两不给力！
你说咋办？
||oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 16:47:52&你们2个家伙都讨论到哪儿去了
学校教的是能者多劳
社会教的是多薪则多劳
你们2个不是同一个背景 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 16:52:50&我说的是同工同酬 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 16:51:49&你的办法是不管那么多，反正给钱了，就给三个人的工作量，他们自个爱怎么分配怎么分配，最后卖力干活的那个给累死了。
而我，是每个工人都派一个监工，不干活就抽鞭子，不让多干，也不能少干。 ||bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 17:08:14&那好，既然你这么有办法，请解决lz分赃不均的问题！
如果你愿与用鞭子，偶页不表示反对！
看看那你的鞭子，对于MOS来说好事不？
st.you离线LV8副总工程师积分：8985|主题：7|帖子：2759积分:8985LV8副总工程师 17:10:02&我在9楼已经说了 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 17:22:50&如果每个MOS用单独的一个运放来控制的话，就不存在电流不均的问题。
＋这就是你说的？
你想让Ｌｚ修改设计，从新作？
但是，你依然是统筹不同劳啊！
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 21:30:55&G极很小的电压范围就对应很大的电流差别了， 就算同一个型号同一批的管子都有差别，温度、老化速度不同都会不同，硬件很难一致。 或许每个管子的独立接一个采样电阻，电阻的阻值取大点，电流大的G极电压自动下降，共用驱动时或许能使电流更均衡点。但一个管子对应一个采样电阻和运放，是最准确可靠的，成本加不了什么。 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 22:00:34&那么现在，您为何不采用431+817的多路反馈电路了呢？
如果是３８４２，你肯定是要４３１＋８１７，并且多路反馈的嘛，以降低所谓的交叉调整绿！
hxhz离线LV3助理工程师积分：282|主题：4|帖子：51积分:282LV3助理工程师 22:52:10&就楼主的图来说简单点就是均流电阻增大一些。 ||
灰狼行天下离线LV4初级工程师积分：360|主题：2|帖子：71积分:360LV4初级工程师最新回复 18:02:05倒数1&顶起，肯定是要平均分配的！顶顶 ||
liu1875离线LV8副总工程师积分：5782|主题：46|帖子：3416积分:5782LV8副总工程师 15:57:21&,这么热闹，绍明兄人呢，我去把他叫过来，给大家补课。 ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 16:33:15&快喊原创来说说 ||
liu1875离线LV8副总工程师积分：5782|主题：46|帖子：3416积分:5782LV8副总工程师 17:38:16&绍明兄不是这个原创，是专门做电子负载和功率计设计的。什么台湾日月星的电子负载好像就是他设计的。我跟他留言了，这个帖子链接也发他了。他有空应该会看的。 ||
oldfang离线LV8副总工程师积分：5621|主题：240|帖子：2107积分:5621LV8副总工程师 18:54:18&那我搞错了。
印象中，论坛里有一个是专门搞电子负载的老板。
还有个好像推他的功率计，外壳很丑但是指标很高的那款 ||
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 22:39:30&看见大家在这块花了很多精力又做不成功，画个图给大家吧。可以用于老化，均流效果非常好。要注意布线，电流信号的采样点。 当然小广告下。
我一直都设计电子负载呀，功率计是一个新产品，大家可以在电源网搜索到的。认真只做好产品，价格也不高，欢迎大家支持。
并二极管防反接是台湾人的认为和习惯，我认为没必要，因为MOSFET寄生的二极管能过的电流远比并加的大。而并压敏电阻和电容特别重要，硅晶体很经常是被瞬间高压击坏的。 实际批量产品中很少见到过接反输入把MOSFET烧了的。 ||szgoldenking离线LV3助理工程师积分：211|主题：2|帖子：55积分:211LV3助理工程师 20:25:12&请教一下，用TL084，不用324，是出于响应速度考虑吗？因为没做过这东西，不知道会有多大差别？望指教。 ||
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 14:08:05&这个电路用TL084噪音比较低。LM324是电流型的，用在这个电路产生噪音大。仪表不能寄生太大的纹波，使电源测试指标不真实。 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 22:08:17&Tl084噪音比较低，是事实，但Lm324变成电流反馈型的运放，就不太合适了吧？
你这个电路不会有神马 噪声 的，事实上你这里补偿该有的都有了，用LM324也是一样，不会出现输出电流的振荡。其实那两个电容就是用于抑制振荡提高稳定性的。所以用324也是真实的。
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 22:46:51倒数10&呵呵 可能我记错了，LM324我很少用，因为TL084的摆速快有十几V/uS，输出电流较大，噪音小，非常合适做电子负载的MOSFET驱动，就不怎么了解LM324了。 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 22:50:15倒数9&也一样用，摆幅大的，不补偿，震荡都较大，所以ＬＭ３２４低带宽的，反倒有优势，在这方面。 ||
绿箭口香糖离线LV3助理工程师积分：252|主题：1|帖子：150积分:252LV3助理工程师 09:43:17倒数7&具体深入分析一下，不要这么泛泛而谈呀。譬如，根据电子负载的特性来谈谈这个运放的选择性。 ||
lism离线LV6高级工程师积分：967|主题：15|帖子：278积分:967LV6高级工程师 15:42:35倒数6&。。。 ||
nerol_here离线LV2本网技师积分：118|主题：3|帖子：12积分:118LV2本网技师 00:44:23倒数3&为什么从康铜丝反馈回来的电压加到运放负极性端，出去就一直处于10V，使MOS管处于完全导通状态？ ||
wolfdeer离线LV6高级工程师积分：453|主题：1|帖子：107积分:453LV6高级工程师 11:20:41&实际还有个问题，MOS温度高了，电压阀值会下降，意味着线性区时越热越抢着干活、、、 ||
luck_离线LV8副总工程师积分：2819|主题：129|帖子：728积分:2819LV8副总工程师 09:27:58倒数8&关注中 ||
zzq5008离线LV6高级工程师积分：958|主题：20|帖子：243积分:958LV6高级工程师 14:43:17倒数5&在吗，我也做了个电子负载照着做的，但是有些问题咨询你，我的QQ
zzq5008离线LV6高级工程师积分：958|主题：20|帖子：243积分:958LV6高级工程师 14:45:01倒数4&主要是电流基本OK,电压怎么才7V哦，是12-18W的哦输出只有7V了但是电流300MA正常，电压怎么不是标准电压呢 ||
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