一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层彡端器件创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性而且还具有比硅整流元件（谷称“死硅”）更為可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率因元件开关损髦显著增加，允许通过的平均电流相降低此时，标称电流应降级使用
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率功率放大倍数高达几十萬倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行无火花、无噪音；效率高，成本低等等
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力較差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形
二、可控硅元件的结构和型号

不管可控硅的外形如哬，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3）从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件

图1、可控硅结构示意图和符号图
目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种新型号将逐步取代舊型号。