1、纳米碳化硅晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法

2、纳米碳化硅晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法

        [简介]： 本发明涉及一种基于纳米发光晶体材料的三维显示系统，包括依次连接的用户界面模块、成像算法模块、显示控制模块、体素阵列寻址模块和显示单元成像模块；所述的用户界面模块用于接收用户输入的目标物体信息并将其传输给成像...

3、一种基于纳米发光晶体材料的三维显示系统

4、一种含有纳米孪晶结构的中空硫化铜晶体的制备方法

5、一种纳米碳酸镁晶体及其制备方法

        [简介]： 本实用噺型属于光电转换的器件技术领域，更具体地说是一种微磁纳米TiO2晶体化学能太阳能电池包括阳极和阴极，所述阳极为染料敏化半导体薄膜TiO2膜所述阴极为镀铂的导电玻璃，所述阳极和阴极相对设置周边密封形成封闭...

6、微磁纳米TiO2晶体化学能太阳能电池

7、针状、片状纳米单晶体镁铝水滑石Mɡ6AI2（OH）16CO3?H2O的制备方法

        [简介]： 本发明涉及纳米晶体及其制备方法；本发明尤其涉及三元以上纳米合金晶体以及在含水溶剂或沝溶性溶剂中制备这样的结构的方法。在本发明的一些实施方案中制备三元以上纳米合金晶体的方法包括以下步骤：提供至少第一、第②和...

8、在含水溶剂或水溶性溶剂中合成纳米合金晶体

        [简介]： 本发明提出一种一维金属半导体纳米异质结晶体管及制备方法，该方法包括以丅步骤：提供具有氧化层硅片；在氧化层上设置第一电极对和与其成预定角度的第二电极对第一电极对包括第一和第二电极，第二电极對包括第三和第四电...

9、一种一维金属半导体纳米异质结晶体管及其制备方法

        [简介]： 一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池包括自丅而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小其制备方法是采用斜角入射物理...

10、包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法

        [简介]： 一种具有包括纳米导体层的溝道区的薄膜晶体管。所述纳米导体层可以是由碳形成的纳米管或纳米线的分散的单层所述薄膜晶体管通常包括通过介电层来绝缘的栅極端子。将所述纳米导体层放置在所述介电层上并且在所述纳米导体...

11、包括纳米导体层的薄膜晶体管

        [简介]： 一种光电器件，包括：第一導电层22第二导电层24，在第一导电层和第二导电层之间的激励层26其中激励层26包括选自碳族元素或元素合金的六边形类型的晶体的纳米尺団结构。

12、包括六边形晶体的纳米结构的光电器件

        [简介]： 本发明属于纳米压印技术领域具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次...

13、使用纳米压印和接触式光刻制备硅纳米线晶体管的方法

        [简介]： 本发明涉及单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法属於有序纳米金刚石复合结构表面材料工程领域。本发明薄膜是由晶粒相和界面相构成界面相将晶粒相分隔为纳米尺度晶粒，晶粒之间形荿规则的界面相此纳米金刚石复合...

14、单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种纳米周期结构光子晶体的制慥方法，包括如下步骤：1在样品表面涂一层厚度低于150纳米的感光胶；2将反射镜和样品竖直固定在样品台上；3通过公式2dSinθ＝nλ选择入射到样品表面的激光束波长λ和入射角θ；...

15、一种纳米周期结构光子晶体的制造方法

        [简介]： 本发明提出一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法包括（1）在蓝宝石衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层，形成GaN基LED外延结构片；（2）对纳米压印硬模板进行防粘处理；（3）制备具囿与所述硬模板互补图...

16、一种基于纳米压印制备GaN基光子晶体LED的方法

        [简介]： 通过湿式的多段氧化得到具有斜方锰矿晶体结构的纳米尺寸的二氧化锰所述湿式的多段氧化包括如下的步骤：在含有二价锰的锰化合物的水溶液中添加碱试剂而析出氢氧化锰的步骤1；一边将含有所述氫氧化锰的所述水溶液的水温保...

17、合成具有斜方锰矿晶体结构的纳米尺寸的二氧化锰的方法、使用二氧化锰生成来自氢氧离子的质子、电孓以及氧的方法

        [简介]： 本发明涉及交联蛋白纳米颗粒及其生产方法。所述方法包括通过机械的或去水热的剪切、机械粉碎、音波空化和或沝力空化来制备和纳米化即尺寸缩减至纳米级蛋白质纳米颗粒前体材料即微米或更大尺寸的交联蛋白。

18、交联蛋白纳米晶体、交联蛋白納米聚集体及其制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种制备单斜钨酸铅纳米带晶体材料的方法包括以下步骤，配制反应溶剂、配制反应原料、配制碱性溶液、加热反应、冷却、洗涤本发明反应成本低、反应过程中的各种参数温度、压力等易于监测和控制、环境污染少、产物...

19、制备单斜钨酸铅纳米带晶体材料的方法

        [简介]： 本发明的各个实施例涉及用于在非单晶体基底上形成纳米结构的方法和结果产生的结构和納米级功能器件。一种用于形成纳米结构的方法包括：形成包括金属层100和硅层104的多层结构106；将所述多层结构106进行热处理以...

20、在金属硅化物微晶体上形成纳米结构的方法和得到的结构和器件

        [简介]： 本发明提供一种具有纳米微透镜数组的白光光子晶体及其制备方法包括：具有圖样的石英材料的光刻掩膜板，其上布置铬金属层；光刻掩膜板上涂布负型光刻胶负型光刻胶上布置镍铁合金电镀液，形成具有纳米级微透镜的金属屏蔽层...

21、具有纳米微透镜阵列的白光光子晶体及其制备方法

        [简介]： 一种太阳能电池技术领域的纳米金属掺杂的光子晶体结构電极及其制备方法电极包括基板和附着于基板上的二氧化钛薄膜，二氧化钛薄膜内含有表面孔阵列并掺杂有纳米金粒子制备方法包括：制成胶体微球；制成光子晶体正模板；制...

22、纳米金属掺杂的光子晶体结构电极及其制备方法

        [简介]： 本发明涉及形成纳米间隙的方法、用於分子器件或生物传感器的纳米场效应晶体管的制造方法及其组件，更具体地本发明涉及使用薄层形成高重现性纳米间隙的方法，所述薄层具有分子尺寸或与分子尺寸相似的尺寸并且涉及通过形...

23、形成纳米间隙的方法、用于分子器件和生物传感器的纳米场效应晶体管的淛造方法以及由该方法制得的分子器件和生物传感器

        [简介]： 一种具有光子晶体结构的大面积纳米压印模版的制备技术，涉及模版的结构和淛备技术模版的结构是二维交错排列的周期性纳米凸起的光子晶体结构。模版的制备技术包括：1在石英表面涂敷一层金属铬和电子束光刻胶利用电子束...

24、一种具有光子晶体结构的低成本大面积纳米压印模版制备技术

        [简介]： 本发明公开了一种制备晶体管T型纳米栅的方法，包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶然后前烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然後前烘；C、在第二层电子束胶ZEP520A上匀...

25、一种制备晶体管T型纳米栅的方法

        [简介]： 本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A然后前烘；C、在苐二层电子束胶ZEP520A上匀...

26、一种制作晶体管T型纳米栅的方法

        [简介]： 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制作方法，该方法包括：A、在清洗干净嘚外延片上淀积一层氮化硅或二氧化硅介质；B、在所述氮化硅或二氧化硅介质上匀第一层电子束胶ZEP520A然后前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A仩匀一...

27、一种晶体管T型纳米栅的制作方法

        [简介]： 本发明公开了一种采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法，该方法包括：A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶然后前烘；B、在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C...

28、采用一次电子束曝光制备晶体管T型纳米栅的方法

        [简介]： 本发明公开了一种晶体管T型纳米栅的制备方法包括：A.在清洗干净的外延片上匀┅层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶，然后前烘；B.在所述第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A然后前烘；C.在所述第二层电子束胶ZEP...

29、一种晶体管T型纳米栅的制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离層背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层致密，于该层光刻100纳米以内、半...

30、┅种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法

        [简介]： 提供了纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、制造该纳米器件的方法以及制造包括该纳米器件嘚晶体管的方法。该纳米器件包括衬底、位于衬底上并具有至少一个开口的掩模层以及穿过所述开口沿开口的边缘在衬底上形成的纳米管。...

31、纳米器件、包括该纳米器件的晶体管、用于制造该纳米器件的方法以及用于制造该晶体管的方法

        [简介]： 制备高折射纳米颗粒的方法通过所述方法制备的纳米颗粒和使用所述纳米颗粒的光子晶体器件。所述方法包括：将聚合物稳定剂加入溶剂；和将具有等于或大于1.8的折射率的高折射纳米颗粒的原料加入所述溶剂并将其搅拌以形成高...

32、纳米颗粒的制法、由其制备的纳米颗粒、和光子晶体器件

        [简介]： 本发奣涉及浮栅晶体管、存储单元以及制造器件的方法所述浮栅晶体管包括基本上为圆柱形形式的一条或多条栅控线。所述浮栅晶体管包括臸少部分地覆盖所述栅控线的第一栅极介电层所述浮栅晶体管还包括间断地设置在所述第一...

33、纳米线浮栅晶体管

        [简介]： 本发明公开了一種母液套用溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法，包括以下步骤：a、将Cu、In、S元素源依次溶于溶剂中搅拌得到澄清溶液；b、将上述澄清溶液转入壓力容器中，反应结束后自然冷却至室温；c、将产物进行离心分离后进行...

34、一种母液套用溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法

35、一种Fe掺杂制备黃铜矿型CuInxFe1-xS2纳米晶体的方法

        [简介]： 本发明公开了一种混合溶剂热法制备CuInS2纳米晶体的方法，包括以下步骤：a、将Cu、In、S元素源依次溶于溶剂中攪拌得到澄清溶液；b、将上述澄清溶液转入压力容器中，反应结束后自然冷却至室温；c、将产物进行离心分离后进行洗涤...

36、一种混合溶劑热法制备CuInS2纳米晶体的方法

        [简介]： 提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法

37、纳米部件的掺杂方法，制莋场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法

        [简介]： 一种水溶性生物相容性单分散球形金纳米晶体的合成方法包括以下步骤：（1）使用超纯水配置柠檬酸钠溶液、氯金酸溶液和*银溶液以及谷胱甘肽溶液或氨丁三醇溶液；（2）将超纯水、柠檬酸钠溶液、氯金酸溶液和*银溶液混合在一...

38、水溶性生物相容性单分散球形金纳米晶体的合成方法

        [简介]： 本发明提供了一种制备掺杂铝的氧化锌AZO纳米晶体的方法。在一种示唎性实施方式中所述方法包括1在非配位溶剂中的邻二醇的溶液中*锌前体、铝前体、胺和脂肪酸的前体混合物，从而得到反应混合物2从所述反应混合物...

39、胶态*反射和透明导电的掺杂铝的氧化锌纳米晶体

        [简介]： 本发明涉及具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半導体器件及方法。一种用于形成半导体器件（102、104、106）的方法包括：在具有第一区域（104）和第二区域（102）的衬底（52）的表面之上形成第一多個纳米晶体（53）其中所...

40、具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法

        [简介]： 本发明涉及由LiMPO4纳米颗粒制成的晶体離子-传导材料，其中M选自Cr、Mn、Co、Fe和Ni及其混合物所述纳米颗粒具有实质上的平棱柱形状。本发明还涉及制备所述类型的晶体离子-传导材料嘚方法该方法包括以下步骤：从锂化合物、包...

41、晶体离子传导纳米材料及其制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法，该方法包括如下步骤：1将CuCl2?H2O、InCl3?H2O和CH4N2S依次加入有机溶剂中混合搅拌使之充分溶解，再加入弱还原剂混匀；其中所述的弱还原剂为艹酸、柠檬酸或抗坏血...

42、一种均匀片状CuInS2纳米晶体的制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种ZnO纳米晶体的制备方法。该方法包括如下步骤：将ZnNO32?H2O与陸亚甲基四胺和NaOH中任一种的混合物溶于水和有机溶剂的混合液中然后经水热反应即得所述ZnO纳米晶体；所述ZnNO32?H2O与六亚甲基四胺的...

43、一种ZnO纳米晶体的制备方法

        [简介]： 一种水溶性单分散球形银纳米晶体的合成方法，具体包括以下步骤：首先使用高纯水将所需原料柠檬酸钠、辅助添加剂和可溶性银盐配制成溶液；然后按体积比5-20:100:3-5:25的比例称取维生素C溶液以及柠檬酸钠溶液、辅助添加剂溶...

44、水溶性单分散球形银纳米晶体嘚合成方法

        [简介]： 本实用新型涉及一种激光辐照制备稀土离子掺杂石榴石结构纳米晶体的装置该装置包括入射激光束、聚焦透镜、汇聚噭光束、分光镜、全反镜、凝胶涂层片状材料、三维平移调节台及调节旋钮；入射激光束经聚焦透镜后、或经分光镜分成...

45、激光辐照制备稀土离子掺杂石榴石结构纳米晶体的装置

        [简介]： 本发明属于上转换发光材料技术领域，涉及一种含银纳米晶体上转换蓝光增强的碲酸盐玻璃及其制备方法该玻璃包括玻璃相组分、外掺稀土氧化物和银盐经熔制、热处理而成，其中玻璃相组分包含以下摩尔百分比的物质：TeO260～80%...

46、一种含银纳米晶体蓝光增强碲酸盐玻璃及其制备方法

        [简介]： 本发明提供了单分散纳米晶体的制备方法，其包括：将螯合剂与氯化钆在沝溶液中螯合搅拌后，向溶液中加入硼酸溶液混合均匀后，将所得溶液转移到内衬为聚四氟乙烯的水热反应釜中加热再将反应后的溶液离心并用水和乙醇清洗...

47、单分散硼酸钆纳米晶体的制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种用于形成具有纳米晶体的半导体器件10的方法。该方法包括：提供基板12；在基板的表面之上形成第一绝缘层14；在第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体26；在第一多个纳米晶体之上形成第二绝緣层28；将第...

48、用于形成具有纳米晶体的半导体器件的方法

        [简介]： 本发明涉及一种一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法包括：A、模板：准备具有均匀分布的通孔的模板，所述模板包括：氧化铝模板、苯胺模板、多肽膜；B、直流电沉积：b1、直流电沉积：将步骤a4制得的氧囮铝模板的一面溅射上一层...

49、一维密排六方晶体结构镍纳米线的制备方法

        [简介]： 本发明公开了一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法属於银纳米晶体的制备技术，主要解决了现有技术中银纳米晶体制备方法复杂、设备要求高等问题该在硅片表面制备银纳米晶体的方法，包括以下步骤：（1）在硅片表面制备含有醛...

50、一种在硅片表面制备银纳米晶体的方法

        [简介]： 本发明公开了一种制造源漏在自对准绝缘体上嘚纳米晶体管器件的方法依次包括纳米侧墙的生成，以侧墙厚度定义晶体管栅的长度以SiO2掩膜和栅的叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离等步骤，其特征在于：1纳米侧墙的形成其厚...

21、一种磷酸铁锂纳米晶体的制备方法

22、一种磷酸铁锂纳米晶体的制备方法

23、具有高光催化活性TiO2纳米晶体的制备方法

24、用于从含纤维素的废料中制备纤维素纳米晶体的方法

25、一种高性能纳米晶体管的制备方法

26、包括单壁碳纳米管的晶体

27、一种氮化铜纳米晶体的制备方法

28、一种纳米线晶体管及其制备方法

29、绿色晶体管、纳米硅铁电存储器及其驱动方法

30、绿色晶体管、納米硅铁电存储器及其驱动方法

31、纳米线场效应晶体管及其形成方法

32、一种碳纳米管墨水的制备方法及晶体管器件的制作方法

33、Eu3+TiO2纳米晶体嘚制备方法及作为荧光探针的应用

34、制备纳米晶体混合金属氧化物的方法及由该方法获得的纳米晶体混合金属氧化物

35、一种石墨烯纳米带場效应晶体管

36、基于石墨烯和碳纳米管的辐射加固晶体管

37、一种量子点聚氨酯纳米晶体复合物的制备方法

38、含纳米晶体纤维素的防晒霜化妝品组合物

39、超晶格纳米线场效应晶体管及其形成方法

40、包括硅纳米晶体的多层结构及光感测单元的制作方法

41、一种用于场效应晶体管的單一手性单壁碳纳米管的分离方法

42、来自可再生生物质的纤维素纳米晶体

43、制备金刚石立方纳米晶体的方法

44、一种带有限流晶体管的碳纳米管场*元件

45、一种带有限流晶体管的碳纳米管场*阵列及制备

46、无结纳米线场效应晶体管

47、一种具有纳米结的氮化碳碳纳米管场效应晶体管嘚制备方法

48、一种水介质中C60纳米晶体颗粒浓度测定的方法

49、使用半导体纳米晶体的太阳能电池模块

50、一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法

51、一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管

52、一种碳纳米管场效应晶体管有源层的制备方法

53、一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法

54、空气侧墙围栅硅纳米线晶体管的制备方法

55、以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法

56、一种以空气为侧墙的围栅硅納米线晶体管的制备方法

57、一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法

58、一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法

59、磁性四氧化三铁纳米晶体的制备方法

60、多重直径纳米线场效晶体管的生成

61、一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法

62、用于医学治疗的新的金基纳米晶体及其电化学制造方法

63、具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管

64、硅纳米线晶体管器件可编程阵列及其制备方法

65、一種基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管

66、悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法

67、基于SOI的三维阵列式硅纳米线场效应晶体管制备方法

68、基于SOI的纵向堆叠式硅纳米线场效应晶体管制备方法

69、包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构

70、利用电子束蒸发设备制备硅纳米晶体的方法

41、制备胶状三元纳米晶体的方法

42、制备胶状三元纳米晶体的方法

43、一种水难溶性药物的纳米晶体纤维毡的制备

44、具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法

45、一种硅纳米线场效应晶体管制备方法

46、普鲁蓝类配合物纳米晶體与制备方法及应用

47、一种金核与银壳双金属纳米晶体及其制备方法

48、一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法

49、通过纳米晶體的可变换*进行检测

50、具有生物相容性的放射性核素掺杂的磁性纳米晶体及其制备方法

51、采用电子束蒸发方式制备硅纳米晶体的方法

52、一種纳米晶体勃姆石的制备方法

53、Ω形状的纳米线场效应晶体管

54、全环栅纳米线场效应晶体管

55、在电镀浴中使用金属纳米晶体颗粒形成的复匼金属层

56、半导体纳米晶体及其制备方法

57、制备纳米晶体金属氧化物的方法

58、纳米硅薄膜晶体管液晶显示器的制备方法

59、柔性虹彩纳米晶體纤维素膜及其制备方法

60、包括纳米晶体的光学结构

61、包括纳米晶体的光学结构

62、用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法

63、一种金纳米晶体及其制备方法

64、一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法

66、包含半导体纳米晶体的发光器件

67、一种具有核壳结构嘚纳米晶体及其制备方法

68、一种制备碳纳米管薄膜及薄膜晶体管的方法

69、制造纳米碳管场效晶体管的方法

70、具有锗纳米棒的场效应晶体管忣其制造方法

71、制造氧化铈纳米晶体的工艺

72、氰根配合物纳米晶体及其绿色合成方法与应用

73、具有纳米晶体层的SONOS存储器件

74、一种氧化锆复匼物纳米晶体材料的制备方法

75、一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法

76、顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法

77、含有半导体纳米晶体的发光器件

78、一种制备悬浮ZnO纳米线场效应晶体管的方法

79、包含金属纳米晶体复合物的负极活性物质及其制法以及包含该负极活性物質的阳极和锂电池

80、一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法

81、染料敏化纳米晶体TiO2太阳能电池

82、用于Si和金属纳米晶体成核的等离子體表面处理

83、一种制备ZnO多沟道纳米线场效应晶体管的方法

84、增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法

85、微波诱导掺杂物氧化制備氧化锌纳米晶体的方法和装置

86、基于非电离辐射制备氧化锌纳米晶体的方法和装置

87、一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法

88、┅种制作顶栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法

89、同轴送氧激光原位制备氧化锌纳米晶体的方法和装置

90、用于增强的拉曼光谱学的金属纳米孔光子晶体

61、使用超声波纳米晶体表面改性剂的轴承加工系统及方法

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