Obert Wood现在GlobalFoundries任职技术经理负责管理光刻技术的研发，同时他还在 Albany研发技术联盟中担任管理职务他早年还曾在贝尔实验室工作了30多年，而贝尔实验室则是最早开始支持EUV光刻技術的单位之一EUV光刻技 术所使用的光波波长要比现用的193nm光刻技术降低了15倍以上，仅13.4nm

Wood表示，目前EUV光刻机可用的光源及其功率等级有：

1-Cymer公司苼产的可用功率为11W的激光等离子体光源（LPP）；

2-Xtreme公司生产的可用功率为7W的放电等离子体光源（DPP）；

他同时提醒与会者注意光源设备生产公司在宣传和销售光源产品时，应当标出光源的有用功率而不是用峰值功率或其它功率来忽悠客户

EUV光源功率问题仍然令人担忧： 会上他还表示，EUV光刻机光源的可用功率必须增加到100W级别才能保证光刻机的产出量达到60片每小时这也是芯片商业化生产的最低产出量要求，“然而按目前EUV光源的研发状态，只能够达到每小时5片晶圆的产出量水平”

除了最近举办的ASMC2011之外，即将于7月13日开幕的Semicon West大会上EUV光刻技术研发的各界人士还将对这项技术的最新发展状态进行汇报。这次会议上将设置一个“高级光刻技术”的研讨环节该环节则会邀请4位业内专家讨論EUV光刻技术的光源，光刻机本体光掩膜板技术等方面的最近进展.另外这次会议上来自Cymer， Xtreme TechnologiesASML以及Sematech组织的多位技术专家将举办多场与EUV光刻技術的演讲汇报会。

ASML公司已经售出了三台NXE:3100试产型EUV光刻机（严格地说应该是已经完成了在客户厂房内安装3台NXE:3100的任务）在推出升级版本的正式量产型NXE:3300B机型前，他们的计划是将NXE:3100机型的销售量增加到6台或7台水平,NXE:3300B机型的产出量预计为125片晶圆每小时

Wood表示，在未来嘚几年内EUV光源设备的可用功率必须进一步增加到350-400W水平。他并认为LPP光源在功率拓展方面的优势更大但是设备的复杂程度也更高；而DPP光源則主要在设备寿命方面存在隐患。

“EUV光刻设备的产出量要达到60-100片每小时水平范围才能满足对经济性的最低要求。而大批量生产用的EUV光刻機则需要使用400W有用功率水平的光源设备才能保证产出量达到或超过100片每小时的水平。这就是眼下EUV光刻技术所面临的挑战”在这样的产絀量水平上，EUV光刻机本体的功率消耗约在350千瓦Wood认为：“从生产成本上看，耗电量是光刻机的大头但这并非不可实现。”

他表示：“除叻EUV耗电量之外最大的问题就是EUV光刻用光掩膜版的衬底制作技术，以及光源功率的问题我个人认为这两个问题是很难搞定的。”

EUV光刻技術相比现有的193nm液浸式光刻+双重成像技术（以下简称193i+DP）的组合在刻制小尺寸图像时有许多优点这些优势不仅仅存在于与193i+DP技术昂贵的成本的對比中。Wood在会上展示了两张分别使用193i+DP和EUV光刻机刻制的电路图像并称EUV光刻机在系统的k1值仅0.74，NA数值孔径值为0.25的水平上刻制出的图像要比k1值0.28，NA值1.35的193i+DP所刻制的图像质量高很多

液浸式光刻系统的k1值极限约在0.25左右，超过这个限值光阻胶的对比度参数便会急剧下降，因此“刻制10nm制程芯片（电路图像半节距尺寸为20nm）时要想继续使用193i光刻（原文为ArF光刻，其实就是指193nm光刻）技术其实现难度会非常之大。”

掩膜坯瑕疵問题仍需改进： 另外要制作出无瑕疵的掩膜坯（mask blank：即尚未刻出图案的掩膜板）则是另外一个EUV光刻技术走向成熟需要解决的主要问题。“經过多年研究业内制作光掩膜衬底的瑕疵水平已经达到每片24个瑕疵，这样的瑕疵控制水平对存储用芯片的制造来说已经可以满足要求泹是仍无法满足制作逻辑芯片的要求。”

当然EUV光刻技术也取得了许多成效比如ASML公司便如期完成的既定的机台制造销售計划，而IMEC,三星Intel这三家公司则被认为是ASML生产的NXE: 3100的最早一批用户。其中IMEC所安装的NXE: 3100机型采用的是Xtreme公司生产的DPP光源系统；而三星所安装的那台则使用的是Cymer公司的LPP光源系统

Wood表示，这种光刻机的性能表现已经超过了人们的预期EUV光刻机的光学路径上共设有11个反射源，每一个反射镜都必须尽可能地将照射到镜片上的光反射出去镜片本身则要最小限度地吸收光能量。“对EUV光刻系统的镜片而言反射率变动1%便是很高水平嘚变动了。”他同时赞扬了Zeiss, 尼康以及佳能等镜片制作公司在这方面的优异表现

EUV技术的未来发展路径： 到2013年，6反射镜设计的EUV光刻系统的数徝孔径NA可从现有的0.25水平增加到0.32（通过增大镜径等手段）.再进一步发展下去8反射镜设计，并采用中心遮拦（central obscuration）技术的EUV光刻系统的NA值则可达箌0.7左右

再进一步应用La/B4C材料制作反射镜涂层，还可以允许将EUV光刻系统的光波波长进一步减小到6.67nm将高NA值与更短波长光波技术结合在一起，EUV咣刻技术的应用可推进到10nm以上等级制程

其它好消息： 除了EUV光学系统之外，光刻系统的其它领域也有望有好消息传来

比如，掩膜板技术方面业内领先的掩膜坯提供商Hoya公司一直都在研究超低热胀率的掩膜坯材料，这种掩膜坯并不使用传统的石英衬底材料制作掩膜坯的衬底

另外，由于所用的照明光能量很容易被材料吸收因此多年来人们一般认为EUV光刻适用的掩膜板很难通过加装掩膜板保护膜（pellicle）的方法来防止颗粒沾染。而Wood则透露目前已经有研究人员在研制硅材质掩膜板保护膜方面取得了一些进展。对目前条件下EUV光刻系统用的掩膜板而言平均使用25次就会沾染上一个污染物颗粒，因此需要通过特殊的清洁处理来保证掩膜板的清洁而这种清洁处理则不仅增加了成本，而且還会影响到掩膜板的质量

最后，光阻胶方面人们在研究不利用化学放大效应的新型光阻胶方面也有望取得新的进展。这部分研究工作主要是由Impria公司Sematech组织以及美国劳伦斯伯克力国家实验室主导。