IGBT作为新型电子半导体器件具有輸入阻抗高，电压控制功耗低控制电路简单，耐高压承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用

IGBT的电路符号至今并未統一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

同时还要注意IGBT有没有体二极管图上沒有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明否则这个二极管都是存在的。

IGBT内部的体二极管并非寄生的而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）

判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极如果IGBT是好的，C、E两極测得电阻值无穷大则说明IGBT没有体二极管。

IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域IGBT的理想等效電路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合MOSFET存在高压时导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

另外相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长死区时间也要加长，从而会影响开关频率

在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑可鉯总结出以下几点：

也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都可以选用“？”表示当前工艺还无法达到的水平

总的来說，MOSFET优点是高频特性好可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表現卓越其导通电阻小，耐压高

MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊機、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

过去几年功率半导体的发展趋勢，主要集中在对给定的应用提高功率密度但当考虑到工作时的总功耗、安全工作区容限和允许的最大结温时，这种性能指标受到挑战随着最先进的IGBT正慢慢接近损耗降低的极限，提高最大结温已成为当今功率器件开发的主要动力之一由于热流跟温差成正比，如果半导體器件允许的结温更高将为产生的热量提供更好的传导，进而增加给定器件面积的功率密度