三级管的饱和区和MOS管的饱和区
三级管的饱和区和MOS管的饱和区
mos：iDs不随Vds增加而增加；
bjt:iC不随iB的增加而增加；
典型VT=1V;
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N-MOS：高电平导通低电平断开；
高电平左边带正电质子，右边带负电电子，箭头指向右边板；
P-MOS：低电平导通高电平断开；
低电平左边带负电电子，右边带正电质子，箭头指向右边板；
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zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 22:20:55
LDO在不同的负载下，其中的PMOS管一直工作在饱和区么？有没有其他的情况?望高手指导，谢谢！
|st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 09:12:15&如果饱和了，那还怎么跟负载分压啊？ ||
liujiyang_84离线LV6高级工程师积分：785|主题：3|帖子：313积分:785LV6高级工程师 09:24:58&对的，几乎始终工作在放大区。 ||
zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 12:38:32&输入电压确定，输出电压是恒定的，则饱和导通压降是恒定的，不存在分压啊。 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 12:53:34&请问何以为之饱和？ ||
zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 13:08:21&饱和就是流过基极的的电流太大，导致不能按照IC=IB*K来计算，看是放大倍数。此时的VCE就是是一个固定的值。 ||
liujiyang_84离线LV6高级工程师积分：785|主题：3|帖子：313积分:785LV6高级工程师 13:32:20&首先你问的是MOS管， 然后说的是三极管。。
如果是三极管，VCE饱和电压固定。如果是MOS管，饱和电阻固定。当然这两种都可以做LDO。
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 13:55:26&如果是你所说的固定值，那么，如果输入电压变高了，那输出会不会变高呢？ ||liujiyang_84离线LV6高级工程师积分：785|主题：3|帖子：313积分:785LV6高级工程师 16:51:06&如果在饱和以后，输入电压高了，输出电压会略微提升，参考任意MOS管。
饱和前，在同样的Vds时，电压和电流可以简化成线性 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 17:10:53&为什么只是略微提升？
理论依据是什么？ ||
liujiyang_84离线LV6高级工程师积分：785|主题：3|帖子：313积分:785LV6高级工程师 19:31:34&好吧 ，话没说全。应该是N管略微下降，P管略微提升。其实都是Rds略微下降的缘故。 就说N管，假设DS驱动一个电阻负载R，驱动电源V。在GS从0V缓慢上升中，DS电压从V逐渐下降，饱和时，DS电压基本维持恒定。但是从图中可以看出,Ids其实还是缓慢上升，只是接近恒定。
MOS管从放大区开始Rds随Vgs增高而减少，到了饱和区后，Rds基本恒定
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 22:18:40倒数8&讨论半天，你的意思是输入输出在极低压差的时候的MOS的导通状况吧？如果输出是空载，LDO内部的反馈分压电阻是1M欧姆，输入5.1V，输出5V，那你说这时候MOS应该处于什么导通状态？按我的理解，应该处于电阻区，导通电阻为20K欧姆，不算饱和。 ||
liujiyang_84离线LV6高级工程师积分：785|主题：3|帖子：313积分:785LV6高级工程师 08:55:33倒数6&如果是理想空载，我不知道处于什么区，ds电流为0，两边没有压差，gs电压是多少都无所谓，但这是不可能的。
如果是极低负载，比如nA级或者uA级，靠MOS漏电流也能工作，那么gs电压可以很低，这个应该算截止区。
负载逐渐增加，mos进入放大区。总之根据（5.1V-5V）/Ids所得电阻查表分析MOS处于什么区。 ||
liujiyang_84离线LV6高级工程师积分：785|主题：3|帖子：313积分:785LV6高级工程师 09:10:15倒数5&查了查资料，mos管各种区叫法和三极管不大一样，搞混了。。 ||
zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 22:18:14倒数9&还有个问题想问一下：
我在LDO中发现，取样后的反馈端到比较放大器的正端：如下；
而有的LDO取样后的反馈端则是负极，按照负反馈，应该是负极啊？不知道为什么？
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 22:22:14倒数7&下面的图反馈相位是错的。 ||
zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 10:00:18倒数4&取样的电路为什么要接到比较放大器的同相端，能解释一下么？ ||
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师 10:18:04倒数3&你自己分析一下当输出电压升高后，放大器的输出电位就知道了。 ||
zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 11:06:36倒数2&是不是N-MOS管和P-MOS管的差异啊；
如果接N的MOS管，则应该是正向端，而P-MOS管应该是接到负端。这样才能保持输出的稳定。 ||
st.you离线LV8副总工程师积分：9796|主题：8|帖子：2908积分:9796LV8副总工程师最新回复 11:15:42倒数1&自己分析吧 ||basso离线LV6高级工程师积分：1720|主题：25|帖子：583积分:1720LV6高级工程师 14:21:41&先搞清楚串联稳压原理 ~
zsw2011sh离线LV2本网技师积分：139|主题：3|帖子：15积分:139LV2本网技师 21:30:01倒数10&
这里说的线性稳压电源，是指调整管工作在线性状态下的直流稳压电源。
从上面看，无论输入电压变化，还是负载电流变化，都会保证输出电压恒定。但是前提是调整管工作在线性区。此时相当于三极管VBE，R4，与负载RL的分压。但是如果输入的电压小于VBE+UO+U(R4)，则此调整管是工作在截止区。当输入电压远大于VBE+UO+U(R4)时，V1饱和时，则VO等于UI-Vce,此时，输出电压稳定。那么这个时刻的稳定的值和原来线性区的输出电压的关系是怎么样的啊？
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2081积分:4816LV8副总工程师 20:34:34&可以工作在线性区也可以工作在饱和区，工作在饱和区时，调解性能比线性区好，但压降损耗增大。 ||
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E-mail：cpss#cpss.org.cn(#换成@)同问，感觉很难把握这个，有比较量化的公式还是其他的什么，有人解答吗？
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输入管用亚阈值区，负载管用饱和区
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& &什么意思？能具体说下吗？运放的输入管都工作在亚阈值区？
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一般用gm/Id 和 IC-inversion coefficient 这两个值来决定管子的工作去见。
我个人一般就是根据这两个参数来确定的。corner仿真都没问题。
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能具体说下IC-inversion coefficient是什么吗？
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& &IC是指器件的反型系数， IC=id/Is,id是漏电流，Is与管子宽长比有关。当IC大于10，一般认为是强反型，小于0.1为弱反型，一般让放大器的输入管工作在弱反型，可以增大增益。具体可以找几篇相关论文。
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fengdashu 请问有相关的论文么 能否发份给我呢？ 邮箱
厚德 弘毅 求是 笃行
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同求！您现在搞定了吗？貌似这两个是可以仿的。
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MOS管为什么会有饱和区特性的一个解释
& 23:47:43
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MOSVGSVTHVDS0VGSVDSVVDS0I-VDS
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MOS0VDSVDSATVDSATMOS 长时间工作在饱和区,行吗_百度知道
MOS 长时间工作在饱和区,行吗
我有更好的答案
这个问题不能一概而论取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略希望对你有所帮助
是MOS恒流工作在饱和区，不用做开关状态，用饱和电流来做限流，这样就长时间工作在饱和区
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