导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质--《物理学报》1998年07期
导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质
【摘要】：用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级的性质．基于量子阱中载流子的热激发模型，从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离．对于ＳｉＧｅ合金和Ｓｉ形成的组分量子阱，主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响．发现样品的退火温度为８００℃时，随退火时间延长，激发能增加．对此现象的解释是，由于Ｓｉ，Ｇｅ互扩散，导致界面展宽，量子限制效应降低，重空穴基态位置下降，从而激发能增加．９００℃下退火，由于扩散系数增大和应变弛豫加强，激发能值单调下降，量子限制效应引起的变化被掩盖．对于Ｂ高浓度超薄层掺杂形成的量子阱结构样品，观察到在掺杂层掺杂浓度不变情况下，掺杂厚度的增加会导致量子阱
【作者单位】：
【分类号】：O471.5【正文快照】：
导纳谱研究两类Ｓｉ基量子阱基态子能级的性质林峰盛篪柯炼朱建红龚大卫张胜坤俞敏峰樊永良王迅（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）（１９９７年９月２９日收到；１９９８年１月１０日收到修改稿）用导纳谱技术研究了两类Ｓｉ基量子阱样品基态子能级
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400-819-9993量子阱能级结构的QLED器件制造技术
本发明专利技术提供了一种量子阱能级结构的QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，所述量子点发光层为量子阱能级结构，包括依次交替层叠的第一带隙层和第二带隙层，且所述量子点发光层的两个表层均为所述第一带隙层；其中，所述第一带隙层由第一带隙材料制成，所述第二带隙层由量子点发光材料制成，所述第一带隙材料的带隙宽度大于所述量子点发光材料的带隙宽度，且两者能级差≥0.5eV。
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技术实现步骤摘要
本专利技术属于显示，尤其涉及一种。技术介绍由于具有高色纯度、发光颜色连续可调以及轻薄、可柔性等特性，且适合大面积涂布工艺制备，量子点发光二极管(QLED)在显示方面具有巨大的应用优势。量子点发光材料的尺寸通常在1～100纳米，由于量子尺寸效应，发光随着颗粒变小而逐渐蓝移。但是，另一方面，由于量子点比表面积比较大，所以表面缺陷态对发光的淬灭显著，同时三维受限的尺寸也增大了俄歇复合的几率，导致激子复合效率降低。量子点发光层是通过溶液法制备的量子点薄膜，其量子点表面包覆了大量的表面配体，表面配体虽然能起到良好的钝化作用，改善了发光，但是却阻挡了相邻量子点的紧密接触(存在大量的空隙)，使得量子点薄膜不致密，从而造成量子点发光二极管器件在驱动时，存在很高的漏电流，进而降低了器件的电流效率。为了解决上述问题，人们通过核壳结构或者表面包覆来钝化表面缺陷态，减少对发光的淬灭，但是这种方法却无法克服俄歇过程对发光的影响。技术实现思路本专利技术的目的在于提供一种，旨在解决现有QLED器件中的量子点发光层膜层不致密，导致漏电流高、且激子复合效率低的问题。本专利技术是这样实现的，一种，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，所述量子点发光层为量子阱能级结构，包括依次交替层叠的第一带隙层和第二带隙层，且所述量子点发光层的两个表层均为所述第一带隙层；其中，所述第一带隙层由第一带隙材料制成，所述第二带隙层由量子点发光材料制成，所述第一带隙材...【详细说明在详细技术资料中】
技术保护点
一种量子阱能级结构的QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层为量子阱能级结构，包括依次交替层叠的第一带隙层和第二带隙层，且所述量子点发光层的两个表层均为所述第一带隙层；其中，所述第一带隙层由第一带隙材料制成，所述第二带隙层由量子点发光材料制成，所述第一带隙材料的带隙宽度大于所述量子点发光材料的带隙宽度，且两者能级差≥0.5eV。
技术保护范围摘要
1.一种量子阱能级结构的QLED器件，包括依次层叠设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其特征在于，所述量子点发光层为量子阱能级结构，包括依次交替层叠的第一带隙层和第二带隙层，且所述量子点发光层的两个表层均为所述第一带隙层；其中，所述第一带隙层由第一带隙材料制成，所述第二带隙层由量子点发光材料制成，所述第一带隙材料的带隙宽度大于所述量子点发光材料的带隙宽度，且两者能级差≥0.5eV。2.如权利要求1所述的量子阱能级结构的QLED器件，其特征在于，所述第一带隙层的厚度≤5nm。3.如权利要求1所述的量子阱能级结构的QLED器件，其特征在于，所述第一带隙材料包括2-6族半导体材料、无机纳米氧化物、聚合物材料中的至少一种。4.如权利要求3所述的量子阱能级结构的QLED器件，其特征在于，所述2-6族半导体材料包括ZnS、ZnSe；和/...
专利技术属性
发明(设计)人：，，，，，
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专利类型：发明
国别省市：广东;44
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