电流控制刷组件
申请号：.3 申请日：
摘要：在特定实施例中，系统包括电流控制刷组件，其包括固定第一组导电细丝的第一导电弧形外壳部分。第一组导电细丝通常沿径向向内延伸。电流控制刷组件还包括固定第二组导电细丝的第二导电弧形外壳部分。第二组导电细丝通常沿径向向内延伸。而且，电流控制刷组件包括铰链，其被配置成方便第二导电弧形外壳部分相对于第一导电弧形外壳部分围绕轴旋转，所述轴基本上垂至于第一导电弧形外壳部分的第一轴面。
地址： 美国伊利诺伊州
发明(设计)人：
主分类号：
&实质审查的生效IPC(主分类):H02K
11/00申请日:
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
&一种系统，包括：电流控制刷组件，包括：第一导电弧形外壳部分，其固定第一多个导电细丝，其中，所述第一多个导电细丝通常沿径向向内延伸；第二导电弧形外壳部分，其固定第二多个导电细丝，其中，所述第二多个导电细丝通常沿径向向内延伸；以及铰链，其被配置成方便所述第二导电弧形外壳部分相对于所述第一导电弧形外壳部分围绕轴旋转，所述轴基本上垂至于所述第一导电弧形外壳部分的第一轴面。
专利代理机构
& US 61/552,859; US 13/601,549
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将塑料包扎绳撕裂成细丝状，用手捋几下，细丝就会向四周散开，这是因为
A．细丝很轻，受空气浮力作用所以向四周漂浮起来B．用手捋细丝，细丝变形了，所以向四周散开了C．用手摩擦细丝，使它们带上同种电荷从而相互排斥，所以向四周散开D．以上说法都不对
题型：单选题难度：偏易来源：同步题
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据魔方格专家权威分析，试题“将塑料包扎绳撕裂成细丝状，用手捋几下，细丝就会向四周散开，这..”主要考查你对&&摩擦起电现象&&等考点的理解。关于这些考点的“档案”如下：
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摩擦起电现象
定义：用摩擦的方法使物体带电，叫摩擦起电，这时物体带的是静电。带电体有了吸引轻小物体的性质，我们就说物体带了电，或者说带了电荷，如下图。摩擦起电的条件：一是相互摩擦的物体由不同种类的物质构成；二是这两个物体要与外界绝缘。使物体带电的三种方法：
电流和电路知识梳理：摩擦起电的原因：（1）由于不同物质的原子核对核外电子的束缚能力不同，当两个物体相互摩擦时，哪个物体的原子核对核外电子的束缚本领弱，它的一些电子就会转移到另一个物体上，失去电子的物体带正电，得到电子的物体由于带有多余的电子而带负电。（2）摩擦起电实质上并不是创造了电，只是电荷从一个物体转移到了另一个物体，使正负电荷分开，电荷的总量并没有改变。相互摩擦的两个物体，必然带上等量的异种电荷，带正电的物体缺少电子，带负电的物体有了等量的多余的电子。补充：同种物质摩擦不起电，原因是同种物质的原子核束缚电子的本领相同，摩擦时不会发生电子的转移.
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传感器原理与应用及传感器与测量技术习题集与部分参考答案教材传感器技术（第3版）贾伯年主编，及其他参考书第2章电阻式传感器2属应变计与半导体应变计在工作机理上有何异同试比较应变计各种灵敏系数概念的不同物理意义。答（1）相同点它们都是在外界力作用下产生机械变形，从而导致材料的电阻发生变化所不同点金属材料的应变效应以机械形变为主，材料的电阻率相对变化为辅而半导体材料则正好相反，其应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主，而机械形变为辅。（2）对于金属材料，灵敏系数m12μC1。前部分为受力后金属几何尺寸变化，一般μ≈此（12μ）部分为电阻率随应变而变的部分。金属丝材的应变电阻效应以结构尺寸变化为主。对于半导体材料，灵敏系数s12μπE。前部分同样为尺寸变化，后部分为半导体材料的压阻效应所致，而πE12μ，因此sπE。半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。2丝绕式应变计的横向效应考虑，应该如何正确选择和使用应变计在测量应力梯度较大或应力集中的静态应力和动态应力时，还需考虑什么因素2述电阻应变计产生热输出（温度误差）的原因及其补偿办法。答电阻应变计的温度效应及其热输出由两部分组成前部分为热阻效应所造成后部分为敏感栅与试件热膨胀失配所引起。在工作温度变化较大时，会产生温度误差。补偿办法1、温度自补偿法（1）单丝自补偿应变计2双丝自补偿应变计2、桥路补偿法（1）双丝半桥式（2）补偿块法2述应变电桥产生非线性的原因及消减非线性误差的措施。答原因????????????????上式分母中含Δi，是造成输出量的非线性因素。无论是输出电压还是电流，实际上都与Δi呈非线性关系。措施1差动电桥补偿法差动电桥呈现相对臂和，相邻臂差的特征，通过应变计合理布片达到补偿目的。常用的有半桥差动电路和全桥差动电路。2恒流源补偿法误差主要由于应变电阻Δ变化引起工作臂电流的变化所致。采用恒流源，可减小误差。2何用电阻应变计构成应变式传感器对其各组成部分有何要求答一是作为敏感元件，直接用于被测试件的应变测量另一是作为转换元件，通过弹性敏感元件构成传感器，用以对任何能转变成弹性元件应变的其他物理量作间接测量。要求非线性误差要小（12μ，因此sπE。半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。2丝绕式应变计的横向效应考虑，应该如何正确选择和使用应变计在测量应力梯度较大或应力集中的静态应力和动态应力时，还需考虑什么因素2述电阻应变计产生热输出（温度误差）的原因及其补偿办法。答电阻应变计的温度效应及其热输出由两部分组成前部分为热阻效应所造成后部分为敏感栅与试件热膨胀失配所引起。在工作温度变化较大时，会产生温度误差。补偿办法1、温度自补偿法（1）单丝自补偿应变计2双丝自补偿应变计2、桥路补偿法（1）双丝半桥式（2）补偿块法2述应变电桥产生非线性的原因及消减非线性误差的措施。答原因????????????????上式分母中含Δi，是造成输出量的非线性因素。无论是输出电压还是电流，实际上都与Δi呈非线性关系。措施1差动电桥补偿法差动电桥呈现相对臂和，相邻臂差的特征，通过应变计合理布片达到补偿目的。常用的有半桥差动电路和全桥差动电路。2恒流源补偿法误差主要由于应变电阻Δ变化引起工作臂电流的变化所致。采用恒流源，可减小误差。2何用电阻应变计构成应变式传感器对其各组成部分有何要求答一是作为敏感元件，直接用于被测试件的应变测量另一是作为转换元件，通过弹性敏感元件构成传感器，用以对任何能转变成弹性元件应变的其他物理量作间接测量。要求非线性误差要小（1，一般取0??≥3，所以取0??≥知磁电式振动速度传感器的固有频率5尼系数ξ输入频率为f45简谐振动，求传感器输出的振幅误差为多少5谓霍尔效应利用霍尔效应可进行哪些参数测量答当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。霍尔器件工作产生的霍尔电势为?，由表达式可知，霍尔电势比于激励电流I及磁感应强度B，其灵敏度霍尔系数正比，而与霍尔片厚度d成反比。利用霍尔效应可测量大电流、微气隙磁场、微位移、转速、加速度、振动、压力、流量和液位等用以制成磁读头、磁罗盘、无刷电机、接近开关和计算元件等等。5尔元件的不等位电势和温度影响是如何产生的可采取哪些方法来减小之。答影响霍尔元件输出零点的因素主要是霍尔元件的初始位置。霍尔位移传感器，是由一块永久磁铁组成磁路的传感器，在霍尔元件处于初始位置0??x时，霍尔电势尔式位移传感器为了获得较好的线性分布，在磁极端面装有极靴，霍尔元件调整好初始位置时，可以使霍尔电势0。不等位电势的重要起因是不能将霍尔电极焊接在同一等位面上，可以通过机械修磨或用化学腐蚀的方法或用网络补偿法校正。霍尔元件的灵敏系数温度的函数，关系式为??H????10，大多数霍尔元件的温度系数?是正值，因此，它们的霍尔电势也将随温度升高而增加αΔT倍。补偿温度变化对霍尔电势的影响，通常采用一种恒流源补偿电路。基本思想是在温度增加的同时，让激励电流?I相应地减小，并能保持?乘积不变，也就可以相对抵消温度对灵敏系数加的影响，从而抵消对霍尔电势的影响。5敏传感器有哪几种它们各有什么特点可用来测量哪些参数答磁敏电阻外加磁场使导体半导体电阻随磁场增加而增大的现象称磁阻效应。载流导体置于磁场中除了产生霍尔效应外,导体中载流子因受洛仑兹力作用要发生偏转,载流子运动方向偏转使电流路径变化,起到了加大电阻的作用,磁场越强增大电阻的作用越强。磁敏电阻主要运用于测位移。磁敏二极管输出电压随着磁场大小的方向而变化，特别是在弱磁场作用下，可获得较大输出电压变化，r区内外复合率差别越大，灵敏度越高。当磁敏二极管反向偏置时，只有很少电流通过，二极管两端电压也不会因受到磁场的作用而有任何改变。利用磁敏二极管可以检测弱磁场变化这一特性可以制成漏磁探伤仪。5什么说磁电感应式传感器是一种有源传感器5磁阻式传感器有哪几种结构形式可以检测哪些非电量5电式传感器是速度传感器，它如何通过测量电路获得相对应的位移和加速度信号5电式传感器与电感式传感器有哪些不同磁电式传感器主要用于测量哪些物理参数答电感式传感器是利用线圈自感或互感的变化来测量的一种装置。态范围大的特点。而电感式传感器存在交流零位信号，不宜于高频动态信号检测其响应速度较慢，也不宜做快速动态测量。c.磁电式传感器测量的物理参数有磁场、电流、位移、压力、振动、转速。5电机是利用导线在永久磁铁的磁场中作旋转运动而发电的。无论负载怎样消耗这个电能，永久磁铁不会变弱，这是什么道理答发电机供应给负载的电能是，为转动这个发电机所供应得机械能（火力或水力）变换而来的能量。磁铁持有的能量未被消耗，所以磁铁不会变弱。5要磁通量发生变化，就有感应电动势产生，请说出三种产生感应电动势的方法。答1线圈与磁场发生相对运动2磁路中磁阻变化3恒定磁场中线圈面积变化。5知测量齿轮齿数Z18，采用变磁通感应式传感器测量工作轴转速如图所示。若测得输出电动势的交变频率为24求被测轴的转速nr/多少当分辨误差为±1齿时，转速测量误差是多少解1测量时，齿轮随工作轴一起转动，每转过一个齿，传感器磁路磁阻变化一次，磁通也变化一次，因此，线圈感应电动势的变化频率f等于齿轮的齿数Z与转速n的乘积。f0n60f/Zr/2读数误差为±1齿，所以应为1/18转，即n80±1/18r/5么是霍尔效应霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关影响霍尔电势的因素有哪些答霍尔效应将一载流导体放在磁场中，若磁场方向与电流方向正交，则在与磁场和电流方向正交，则在与磁场和电流两者垂直的方向上将会出现横向电势，这一现象称为霍尔效应，相应的电势称为霍尔电势。具有霍尔效应的半导体在其相应的侧面上装上电极后即构成霍尔元件，常用灵敏度表征霍尔元件的特性，霍尔电势正比于激励电流I和磁感应强度B而灵敏度霍尔系数霍尔片的厚度d决定??1,H?5成霍尔器件有哪几种类型试画出其输出特性曲线。5一测量转速装置，调制盘上有100对永久磁极，N、S极交替放置，调制盘由转轴带动旋转，在磁极上方固定一个霍尔元件，每通过一对磁极霍尔元件产生一个方脉冲送到计数器。假定t5样时间内，计数器收到N15万个脉冲，求转速n转/分。5敏元件有哪些（磁敏电阻、磁敏二极管、磁敏晶体管）什么是磁阻效应简述磁敏二极管、晶体管工作原理。5敏电阻与磁敏晶体管有哪些不同与霍尔元件在本质上的区别是什么5敏晶体管与普通晶体管的区别是什么5证明霍尔式位移传感器的输出与位移成正比。5尔元件能够测量哪些物理参数霍尔元件的不等位电势的概念是什么温度补偿的方法有哪几种答流、位移、压力、振动、转速等。无外加磁场时，两输出电极之间的空载电势，可用输出的电压表示。流电阻法适用于恒流源供给控制电流的情况。电桥补偿法5述霍尔效应及构成以及霍尔传感器可能的应用场合。答一块长为l、宽为d的半导体薄片置于磁感应强度为磁场（磁场方向垂直于薄片）中，当有电流I流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势种现象称为霍尔效应。霍尔组件多用N型半导体材料，且比较薄。霍尔式传感器转换效率较低，受温度影响大，但其结构简单、体积小、坚固、频率响应宽、动态范围（输出电势变化）大、无触点，使用寿命长、可靠性高、易微型化和集成电路化，因此在测量技术、自动控制、电磁测量、计算装置以及现代军事技术等领域中得到广泛应用。5分析霍尔效应产生的原因。答金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。如将N型半导体薄片，垂直置于磁场中。在薄片左右两端通以电流，这时半导体中的载流子（电子）将沿着与电流相反的方向运动。由于外磁场的作用，电子将受到磁场力（洛仑兹力）的作用而发生偏转，结果在半导体的后端面上积累了电子而带负电，前端面则因缺少电子而带正电，从而在前后端面形成电场。该电场产生的电场力也将作用于半导体中的载流子，电场力方向和磁场力方向正好相反，当与大小相等时，电子积累达到动态平衡。这时，在半导体前后两端面之间建立的电动势就称为霍尔电动势。5尔电动势的大小、方向与哪些因素有关答霍尔电动势的大小正比于激励电流I与磁感应强度B，且当I或B的方向改变时，霍尔电动势的方向也随着改变，但当I和B的方向同时改变时霍尔电动势极性不变。一定的感受机构对一些能够转换成位移量的其他非电量，如振动、压力、应变、流量等进行检测。传感器原理与应用习题集与部分参考答案教材传感器技术（第3版）贾伯年主编，及其他参考书第6章压电式传感器6谓压电效应何谓纵向压电效应和横向压电效应答一些离子型晶体的电介质不仅在电场力作用下，而且在机械力作用下，都会产生极化现象。且其电位移D在位制中即电荷密度σ与外应力张量T成正比D中d压电常数矩阵。当外力消失，电介质又恢复不带电原状当外力变向，电荷极性随之而变。这种现象称为正压电效应，或简称压电效应。若对上述电介质施加电场作用时，同样会引起电介质内部正负电荷中心的相对位移而导致电介质产生变形，且其应变S与外电场强度E成正比S式中逆压电常数矩阵。这种现象称为逆压电效应，或称电致伸缩。6电材料的主要特性参数有哪些试比较三类压电材料的应用特点。答主要特性压电常数、弹性常数、介电常数、机电耦合系数、电阻、居里点。压电单晶时间稳定性好，居里点高，在高温、强辐射条件下，仍具有良好的压电性，且机械性能，如机电耦合系数、介电常数、频率常数等均保持不变。此外，还在光电、微声和激光等器件方面都有重要应用。不足之处是质地脆、抗机械和热冲击性差。压电陶瓷压电常数大，灵敏度高，制造工艺成熟，成形工艺性好，成本低廉，利于广泛应用，还具有热释电性。新型压电材料既具有压电特性又具有半导体特性。因此既可用其压电性研制传感器，又可用其半导体特性制作电子器件也可以两者合一，集元件与线路于一体，研制成新型集成压电传感器测试系统。6述石英晶片切型（???45/50的含意。6了提高压电式传感器的灵敏度，设计中常采用双晶片或多晶片组合，试说明其组合的方式和适用场合。答（1）并联C′＝2C，q′2q,U′U,因为输出电容大，输出电荷大，所以时间常数，适合于测量缓变信号，且以电荷作为输出的场合。（2）串联q′q,U′U,C′C/2,特点输出电压大，本身电容小，适合于以电压作为输出信号，且测量电路输出阻抗很高的场合。6设计图6示三向压电加速度传感器，用来测量x、y、z三正交方向的加速度，拟选用三组双晶片组合问应选用何种切型的晶片又如何合理组合并用图示意。6理上，压电式传感器不能用于静态测量，但实用中，压电式传感器可能用来测量准静态量，为什么答压电式测力传感器是利用压电元件直接实现力拉力、压力和力矩测量场合，通常较多采用双片或多片石英晶片作压电元件。由于它刚度大，动态特性好测量范围广，可测范围大线性及稳定性高可测单、多向力。当采用大时间常数的电荷放大器时，就可测准静态力。6述压电式传感器前置放大器的作用，两种形式各自的优缺点及其如何合理选择回路参数6知阻抗变换器的输入阻抗为2000量回路的总电容为1000求当与压电加速度计相配，用来测量1低频振动时产生的幅值误差。6证明压电加速度传感器动态幅值误差表达式高频段1????低频段1????。若测量回路的总电容C1000电阻R500感器机械系统固有频率0对阻尼系数ξ幅值误差在2以内的使用频率范围。6选择合适的传感器（1）现有激磁频率为0测频率为400500振动，应选哪一种为什么（2）有两只压电式加速度传感器，固有频率分别为3050尼比均为测频率为15振动，应选哪一只为什么6只压电式压力传感器灵敏度为9pC/它接入增益调到电荷放大器，放大器的输出又接到灵敏度为20的紫外线记录纸式记录仪上。（1）试画出系统方框图（2）计算系统总的灵敏度（3）当压力变化35，试计算记录纸上的偏移量。6么是正压电效应什么是逆压电效应压电效应有哪些种类压电传感器的结构和应用特点是什么能否用压电传感器测量静态压力答某些电介质在沿一定的方向受到外力的作用变形时，由于内部电极化现象同时在两个表面上产生符号相反的电荷，当外力去掉后，恢复到不带电的状态而当作用力方向改变时，电荷的极性随着改变。晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。这种现象称为正压电效应。反之，如对晶体施加一定变电场，晶体本身将产生机械变形，外电场撤离，变形也随之消失，称为逆压电效应。压电材料有石英晶体、一系列单晶硅、多晶陶瓷、有机高分子聚合材料结构和应用特点在压电式传感器中，为了提高灵敏度，往往采用多片压电芯片构成一个压电组件。其中最常用的是两片结构根据两片压电芯片的连接关系，可分为串联和并联连接，常用的是并联连接，可以增大输出电荷，提高灵敏度。使用时，两片压电芯片上必须有一定的预紧力，以保证压电组件在工作中始终受到压力作用，同时可消除两片压电芯片因接触不良而引起的非线性误差，保证输出信号与输入作用力间的线性关系,因此需要测量电路具有无限大的输入阻抗。但实际上这是不可能的，所以压电传感器不宜作静态测量，只能在其上加交变力，电荷才能不断得到补充，并给测量电路一定的电流。故压电传感器只能作动态测量。6英晶体X、Y、Z轴的名称是什么试根据石英晶体的结构分析该晶体各方向有无压电效应。答电轴x轴穿过六棱柱的棱线，在垂直于此轴的面上压电效应最强机轴y轴垂直六棱柱面。在电场作用下，沿该轴方向的机械变形最明显光轴z轴晶体上、下晶锥项点连线重合，也叫中性轴，光线沿该轴通过时，无折射及压电效应。石英晶体具有压电效应，是由其内部结构决定的。组成石英晶体的硅离子氧离子平面投影。为讨论方便，将这些硅、氧离子等效为如图中正六边形排列，图中＋代表－代表2当作用力时，正、负离子（即2好分布在正六边形顶角上，形成三个互成120?夹角的偶极矩图所示。此时正负电荷中心重合，电偶极矩的矢量和等于零，即2＋0当晶体受到沿X方向的压力（Y、Z方向上的分量为（2Y0、（2Z0，则在X轴的正向出现正电荷，在Y、Z轴方向则不出现电荷。当晶体受到沿X方向的拉力（0）作用时，电极矩的三个分量为（2计算111晶面内，晶向的纵向压阻系数和横向压阻系数。6电传感器的输出信号的特点是什么它对放大器有什么要求放大器有哪两种类型答特点其输出阻抗大，要求前置放大器的输入阻抗大，而输出阻抗小。要求其信号微弱，要求高的放大倍数。类型电压放大器，电荷放电器（与电路电容无关）6电传感器测量范围。答只能测量变力且交变频率越高，灵敏度越大。6用压电材料有哪几种答应用于压电式传感器中的压电材料通常有三类一类是压电晶体，它是单晶体，如石英晶体、酒石酸钾钠等另一类是经过极化处理的压电陶瓷，它是人工合成的多晶体，如钛酸钡等第三类是有机压电材料，是新型的压电材料，如聚偏二氯乙烯等。6么叫正压电效应什么叫逆压电效应常用压材料有哪几种答某些电介质在沿一定的方向上受到外力的作用而变形时，内部会产生极化现象，同时在其表面上产生电荷，当外力去掉后，又重新回到不带电的状态，这种现象称为压电效应。这种机械能转化成电能的现象，称为正压电效应。反之，在电介质的极化方向上施加交变电场或电压，它会产生机械变形，当去掉外加电场时，电介质变形随之消失，这种现象称为逆压电效应。应用于压电式传感器中的压电材料通常有三类一类是压电晶体，它是单晶体，如石英晶体、酒石酸钾钠等另一类是经过极化处理的压电陶瓷，它是人工合成的多晶体，如钛酸钡等第三类是有机压电材料，是新型的压电材料，如聚偏二氯乙烯等。传感器原理与应用及传感器与测量技术习题集与部分参考答案教材传感器技术（第3版）贾伯年主编，及其他参考书第7章热电式传感器7电式传感器有哪几类它们各有什么特点答热电式传感器是一种将温度变化转换为电量变化的装置。它可分为两大类热电阻传感器和热电偶传感器。热电阻传感器的特点（1高温度系数、高电阻率。2化学、物理性能稳定。3良好的输出特性。4便于批量生产、降低成本。热电偶传感器的特点（1）结构简单（2）制造方便（3）测温范围宽（4）热惯性小（5）准确度高（6）输出信号便于远传7用的热电阻有哪几种适用范围如何答铂、铜为应用最广的热电阻材料。铂容易提纯，在高温和氧化性介质中化学、物理性能稳定，制成的铂电阻输出－输入特性接近线性，测量精度高。铜在150℃范围内铜电阻化学、物理性能稳定，输出－输入特性接近线性，价格低廉。当温度高于100℃时易被氧化，因此适用于温度较低和没有侵蚀性的介质中工作。7敏电阻与热电阻相比较有什么优缺点用热敏电阻进行线性温度测量时必须注意什么问题7用热电偶测温必须具备哪两个条件答（1）用两种不同材料作热电极（2）热电偶两端的温度不能相同7么是中间导体定律和连接导体定律它们在利用热电偶测温时有什么实际意义答中间导体定律导体A、B组成的热电偶，当引入第三导体时，只要保持第三导体两端温度相同，则第三导体对回路总热电势无影响。利用这个定律可以将第三导体换成毫伏表，只要保证两个接点温度一致，就可以完成热电势的测量而不影响热电偶的输出。连接导体定律回路的总电势等于热电偶电势,连接导线电势0的代数和。连接导体定律是工业上运用补偿导线进行温度测量的理论基础。7么是中间温度定律和参考电极定律它们各有什么实际意义答,0,n,这是中间温度定律表达式，即回路的总热电势等于,n,代数和。中间温度。中间温度定律为制定分度表奠定了理论基础。7络00℃，若参考端温度为25℃，问介质的实际温度为多少答t介质温度k参考温度（）7电式传感器除了用来测量温度外，是否还能用来测量其他量举例说明之。7验室备有铂铑电阻器和半导体热敏电阻器，今欲测量某设备外壳的温度。已知其温度约为300400℃，要求精度达±2℃，问应选用哪一种为什么7炼钢厂中，有时直接将廉价热电极（易耗品，例如镍铬、镍硅热偶丝，时间稍长即熔化）插入钢水中测量钢水温度，如图7示。试说明测量钢水温度的基本原理为什么不必将工作端焊在一起要满足哪些条件才不影响测量精度采用上述方法是利用了热电偶的什么定律如果被测物不是钢水，而是熔化的塑料行吗为什么答测量钢水温度的基本原理是利用了热电效应因为钢水是导体，又处在同一个温度下，把钢水看作是第三导体接入，利用了热电偶的导体接入定律如果被测物不是钢水，而是熔化的塑料不行，因为，塑料不导电，不能形成热电势。7镍铬K）热电偶测温度，已知冷端温度0t为40℃，求被测点温度答查K分度表，热电偶在40℃时相对于0℃的热电势为由公式0,4040,0,?查K分度表得被测点温度值为740℃。7用k型热电偶，基准接点为0℃、测量接点为30℃和900℃时，温差电动势分别为基准接点为30℃，测温接点为900℃时的温差电动势为多少答由公式0,0?，得???0,300,当基准接点为30℃，测温接点为900℃时的温差电动势为7电偶冷端温度对热电偶的热电势有什么影响为消除冷端温度影响可采用哪些措施半导体热敏电阻的主要优缺点是什么在电路中是怎样克服的7N结为什么可以用来作为温敏元件7成温度传感器的测温原理，有何特点7果需要测量1000℃和20℃温度时，分别宜采用哪种类型的温度传感器7用一只温度传感器能否实现绝对温度、摄氏温度、华氏温度的测量怎样做7电阻传感器主要分为几种类型它们应用在什么不同场合答热电阻传感器分为以下几种类型①铂电阻传感器特点是精度高、稳定性好、性能可靠。主要作为标准电阻温度计使用，也常被用在工业测量中。此外，还被广泛地应用于温度的基准、标准的传递，是目前测温复现性最好的一种。②铜电阻传感器价钱较铂金属便宜。在测温范围比较小的情况下，有很好的稳定性。温度系数比较大，电阻值与温度之间接近线性关系。材料容易提纯，价格便宜。不足之处是测量精度较铂电阻稍低、电阻率小。图710用浸入式热电偶测量熔融金属示意图1钢水包2钢熔融体3热电极A、7补偿导线接线柱5补偿导线6保护管8毫伏表9、10毫伏表接线柱③铁电阻和镍电阻铁和镍两种金属的电阻温度系数较高、电阻率较大，故可作成体积小、灵敏度高的电阻温度计，其缺点是容易氧化，化学稳定性差，不易提纯，复制性差，而且电阻值与温度的线性关系差。目前应用不多。7么叫热电动势、接触电动势和温差电动势说明热电偶测温原理及其工作定律的应用。分析热电偶测温的误差因素，并说明减小误差的方法。答①热电动势两种不同材料的导体（或半导体）A、B串接成一个闭合回路，并使两个结点处于不同的温度下，那么回路中就会存在热电势。有电流产生相应的热电势称为温差电势或塞贝克电势，通称热电势。②接触电动势接触电势是由两种不同导体的自由电子，其密度不同而在接触处形成的热电势。它的大小取决于两导体的性质及接触点的温度，而与导体的形状和尺寸无关。③温差电动势是在同一根导体中，由于两端温度不同而产生的一种电势。④热电偶测温原理热电偶的测温原理基于物理的热电效应。所谓热电效应，就是当不同材料的导体组成一个闭合回路时，若两个结点的温度不同，那么在回路中将会产生电动势的现象。两点间的温差越大，产生的电动势就越大。引入适当的测量电路测量电动势的大小，就可测得温度的大小。⑤热电偶三定律a中间导体定律热电偶测温时，若在回路中插入中间导体，只要中间导体两端的温度相同，则对热电偶回路总的热电势不产生影响。在用热电偶测温时，连接导线及显示一起等均可看成中间导体。b中间温度定律任何两种均匀材料组成的热电偶，热端为T，冷端为T时的热电势等于该热电偶热端为T冷端为n，冷端为代数和。应用对热电偶冷端不为0度时，可用中间温度定律加以修正。热电偶的长度不够时，可根据中间温度定律选用适当的补偿线路。c参考电极定律如果A、B两种导体（热电极）分别与第三种导体C（参考电极）组成的热电偶在结点温度为（T，分别为T，T，那么受相同温度下，又A、B两热电极配对后的热电势为T，T，T，实用价值可大大简化热电偶的选配工作。在实际工作中，只要获得有关热电极与标准铂电极配对的热电势，那么由这两种热电极配对组成热电偶的热电势便可由上式求得，而不需逐个进行测定。⑥误差因素参考端温度受周围环境的影响减小误差的措施有a0温法b计算修正法（冷端温度修正法）c仪表机械零点调整法d热电偶补偿法e电桥补偿法f冷端延长线法。7述热电偶测温的基本原理和基本定理。答热电偶测温原理热电偶的测温原理基于物理的热电效应。所谓热电效应，就是当不同材料的导体组成一个闭合回路时，若两个结点的温度不同，那么在回路中将会产生电动势的现象。两点间的温差越大，产生的电动势就越大。引入适当的测量电路测量电动势的大小，就可测得温度的大小。基本定理见第7题。7比较电阻温度计与热电偶温度计的异同点。答电阻温度计利用电阻随温度变化的特性来测量温度。热电偶温度计是根据热电效应原理设计而成的。前者将温度转换为电阻值的大小，后者将温度转换为电势大小。相同点都是测温传感器，精度及性能都与传感器材料特性有关。7解释负电阻温度系数热敏电阻的伏安特性并说明其用途。答伏安特性表征热敏电阻在恒温介质下流过的电流I与其上电压降U之间的关系。当电流很小时不足以引起自身发热，阻值保持恒定，电压降与电流间符合欧姆定律。当电流I，随着电流增加，功耗增大，产生自热，阻值随电流增加而减小，电压降增加速度逐渐减慢，因而出现非线性的正阻区流增大到，电压降达到最大值后，电流继续增大时，自热更为强烈，由于热敏电阻的电阻温度系数大，阻值随电流增加而减小的速度大于电压降增加的速度，于是就出现负阻区。研究伏安特性，有助于正确选择热敏电阻的工作状态。对于测温、控温和温度补偿，应工作于伏安特性的线性区，这样就可以忽略自热的影响，使电阻值仅取决于被测温度。对于利用热敏电阻的耗散原理工作的场合，例如测量风速、流量、真空等，则应工作于伏安特性的负阻区。7一串联的热敏电阻测温电路，如图所示。试设计其最佳线性工作特性，并计算其线性度，最后，用坐标纸每5℃一点绘出电路图中uft的曲线。7线电阻在20℃时为10Ω。求500C时的电阻。答R1αt）中，t20℃，R10Ω，α3010。因此，），R130100）得R≈17图1所示的铂测温电阻元件，当温度由0℃上升到100℃时，电阻变化率ΔR/下图2所示的热敏电阻（8其ΔR/图1图2答由图1可读取t100℃时的R/此，R又有ΔR0。因此，ΔR/R图2的热敏电阻中t100℃时的R≈103Ω。又ΔR27此，ΔR/27/28≈7图1所示的铂测温电阻元件，在0～200℃范围内的电阻温度系数为多少答由图1，t200℃处的R/电阻温度系数α（曲线的倾斜率）（℃。7测1000℃左右的高温，用什么类型的热电偶好要测1500℃左右的高温呢答若是1000℃铬镍、铑1500℃时，铂、铑307用k型热电偶，基准接点为0℃、测量接点为30℃和900℃时，温差电动势分别为基准接点为30℃，测温接点为900℃时的温差电动势为多少答现00℃，0℃，基准接点温度为30℃，测温接点温度为900℃时的温差电动势设为E，则E，所以E7℃时铂金热电阻的阻值为100Ω。按下图所示进行温度测量。00Ω,00Ω,00Ω时桥路达到平衡。此时温度为多少假设铂金电阻的温度系数为阻与温度成线性关系，另外导线的电阻可忽略不计。答电桥平衡的条件为以另一方面，t℃时的电阻阻值表示式为100（1t）50所以t7℃时的电阻为100Ω的铂金热电阻。300℃时的阻值按下面两种方法计算，其结果之差换算成温度差是多少电阻用温度的一次方程表示，0（1中B0，A此时100℃时的电阻值为阻值与温度为二次函数关系。用一次方程近似时，温度误差为多少答（1）00（1t），以t300℃代入，得（2）0（1中以t300℃代入，得（3）同（2），算得t310℃时电阻值为即温度上升10℃电阻增加因此，由（℃。7热敏电阻0℃时电阻为30用来测量100℃物体的温度，其电阻为多少设热敏电阻的系数B为3450K。答式中以104，B3450，T入得7人体体温（36℃）相同的黑体，其热辐射的分光辐射辉度为最大时波长为多少答将T6入λmT0,得λm06m7谓热电阻传感器测量温度的范围答热电阻利用电阻随温度变化的特性制成的传感器称热电阻传感器。常用的热电阻有铂、铜等。铂（650℃）、铜（150℃）经常使用电桥作为传感器的测量电路，为了减少连线电阻变化引起的误差，工业上用铂电阻引线为三根，实验室用四根，可消除测量电路中连线电阻引起的误差。7电势公式,000????，从公式中得到的哪几个结论答（1）若组成热电偶回路的两种导体相同，则无论两接点温度如何，热电偶回路中的总热电势为零。（2）如热电偶两接点温度相同，0，则尽管导体A、B的材料不同，则无论两接点温度如何，热电偶回路中的总热电势为零。（3）热电偶热电势与A、B材料的中间温度无关，而只与接点温度有关。（4）热电偶接点温度为31,的热电势，等于热电偶在接点温度为21,32,的热电势总和。（5）在势电偶回路中，接入第三种材料的导线，只要第三种导线的两端温度相同，第三种导线的引入不会影响热电偶的热电势。（6）当温度为21,，用导体A，B组成的热电偶的热电势等于电偶和电偶的热电势之代数和。7电偶测温的物理基础是什么热电偶冷端为什么要温度补偿常用的温度补偿方法有哪些答热电偶测温的物理基础是热电效应。为了热电势与被测温度间呈单值函数关系，需要热电偶冷端的温度保持恒定。由于热电偶的温度热电势关系曲线（刻度特性）是在冷端温度保持0℃的情况下得到的与之配套的仪表是根据这一关系曲线进行刻度的，测量时，必须满足00?T℃的条件，否则出现误差，而在实际工作时，冷端受外界温度影响。（1）冷端温度恒温法（2）计算修正法（3）电桥补偿法。7用热电偶及其测温范围铂铑铂热电偶长时间1300℃，良好环境短期1600℃。镍铭镍硅铝热电偶氧化性或中性介质中900℃以下,短期1200℃以下，还原性介质500℃以下镍铬考铜热电偶还原性或中性介质600℃以下，短期800℃铂铑30铂铑6热电偶长期1600℃，短期1800℃。7电偶补偿导线的作用是什么答将热电偶冷端延伸出来。7说明热电偶的测温原理。答两种不同材料构成的热电变换元件称为热电偶，导体称为热电极，通常把两热电极的一个端点固定焊接，用于对被测介质进行温度测量，这一接点称为测量端或工作端，俗称热端两热电极另一接点处通常保持为某一恒定温度或室温，称冷羰。热电偶闭合回路中产生的热电势由温差电势和接触电势两种电势组成。热电偶接触电势是指两热电极由于材料不同而具有不同的自由电子密度，在热电极接点接触面处产生自由电子的扩散现象扩散的结果，接触面上逐渐形成静电场。该静电场具有阻碍原扩散继续进行的作用，当达到动态平衡时，在热电极接点处便产生一个稳定电势差，称为接触电势。其数值取决于热电偶两热电极的材料和接触点的温度，接点温度越高，接触电势越大。传感器原理与应用及传感器与测量技术习题集与部分参考答案教材传感器技术（第3版）贾伯年主编，及其他参考书第8章光电式传感器8述光电式传感器的特点和应用场合，用方框图表示光电式传感器的组成。8谓外光电效应、光电导效应和光生伏特效应答外光电效应在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。光电导效应在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化的现象。光生伏特效应在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。8比较光电池、光敏晶体管、光敏电阻及光电倍增管在使用性能上的差别。答光电池光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件。它有较大面积的，当光照射在上时，在结的两端出现电动势。当光照到区时，如果光子能量足够大，将在结区附近激发出电子N区聚积负电荷，P区聚积正电荷，这样N区和P区之间出现电位差。8常用哪些主要特性来表征光电器件的性能它们对正确选用器件有什么作用8样根据光照特性和光谱特性来选择光敏元件试举例说明。答不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件，一般在自动控制系统中用作光电开关。光谱特性与光敏电阻的材料有关，在选用光敏电阻时，应把光敏电阻的材料和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的效果。8述像传感器的工作原理及应用。8谓述其工作原理及应用。8明半导体色敏传感器的工作原理及其待深入研究的问题。8指出光电转换电路中减小温度、光源亮度及背景光等因素变动引起输出信号漂移应采取的措施。8述光电传感器的主要形式及其应用。答模拟式（透射式、反射式、遮光式、辐射式）、开关式。应用光电式数字转速表、光电式物位传感器、视觉传感器、细丝类物件的在线检测。8出你熟悉的光电传感器应用实例，画出原理结构图并简单说明原理。8说明图8b所示光电式数字测速仪的工作原理。（1）若采用红外发光器件为光源，虽看不见灯亮，电路却能正常工作，为什么（2）当改用小白炽灯作光源后，却不能正常工作，试分析原因。8采用波长为9100A?（0101???）的砷化镓发光二极管作光源，宜采用哪几种光电元件作测量元件为什么8头有三种光电元件硫化铊光敏电阻、硫化铅光敏电阻、硅光敏三极管，用可见光为光源，请按下列条件选用光电元件（1）制作光电开关，开关频率约102）制作光电开关，开关频率约为1043）作线性测量元件，响应时间108述视觉传感器概念、结构组成和工作原理。8么是外光电效应内光电效应光生伏特效应光电导效应8电器件中的光照特性、光谱特性分别描述的是光电器件的什么性能8述光敏电阻、光敏晶体管、光电池的器件结构和工作原理。8光源波长为8述电荷耦合器件（结构和存储电荷与转移电荷的工作过程。答一种半导体器件，在N型或P型硅衬底上生长一层很薄的在种规则排列的容数组再加上两端的输入及输出二极管就构成了一个脉冲只反映一个光敏元的受光情况，脉冲幅度的高低反映该光敏元受光的强弱，输出脉冲的顺序可以反映光敏元的位置，这就起到图像传感器的作用。转移电荷的工作过程如图三相控制是在线阵列的每一个像素上有三个金属电极2,次在其上施加三个相位不同的控制脉冲Φ1，Φ2，Φ3，见图（b）。荷的注入通常有光注入、电注入和热注入等方式。图b采用电注入方式。当施加高电压时，在方产生电荷包（t当加上同样的电压时，由于两电势下面势阱间的耦合，原来在1、t当到低电位时，电荷包全部流入的势阱中（t然后，电位升高，到低电位，电荷包从转到的势阱（t以此控制，使的电荷转移到。随着控制脉冲的分配，少数载流子便从一端转移到最终端。终端的输出二极管搜集了少数载流子，送入放大器处理，便实现电荷移动。8为光波5μ8光电管的料和体的性质差异是什么答电管虽然响应速度快，但必须使用液体氮冷却。8用光开关检测物体的系统中，指出输出电压的时间波形。答光进入受光器输出电压为0V，光不进入时，输出6V，所以下图为所示波形。8用光开关检测物体的系统中，由受光器的受光次数，可计算通过输送带上物体的个数，那么，用输送带搬运两种高度的物体时，画出能分别计算两种高度的物体个数的系统组成图。答在运输带两边分别设置发光器A和B，受光器A和B。高度低的物体通过时，（下图（a）），受光器A受光但B不受光（表1中分别用符号Ο和Ⅹ表示）。若是高低物体，则A和B都不受光（表1中分别用Ⅹ和Ⅹ表示）。因此可得b图的体统组成图。受光时（符号Ο）输出是0V（L水平），不受光（符号Ⅹ）时输出是6V（H水平）。因此，表1变成表2。结果，分别数一数输出a,b为L，H时（低的物体）或者H，H时（高的物体）即可。这是用逻辑电路和计数电路完成的。8光电二极管二维阵列组成面型传感器进行图像检测，对图像的分辨率由光电二极管的个数决定，试说明理由。答面型传感器由许多的单元构成二维平面，其中每一个小单元都是一个光电二极管，称为像素。用面型传感器测量物体的形状所得的图像的分辨率最高只能是一个像素。如果所测得图像长为l，对应N个像素，分辨率为l/N。假设N为200，则分辨率最高只能使1/200。8述模拟式光电传感器的要求及工作方式。答模拟式光电传感器将被测量转换成连续变化的光电流，要求光电元件的光照特性为单值线性，而且光源的光照均匀恒定。属于这类的传感器的工作方式有（1）被测物体本身是光辐射源，由它释出的光射向光电元件（2）被测物体位于恒定光源与光电元件之间，根据被测物对光的吸收程度或对其谱线的选择来测定被测参数（3）恒定光源射出的光投射到被测物体上，再从其表面反射到光电元件上，根据反射的光通量多少测定被测物表面性质和状态（4）被测物位于恒定光源与光电元件之间，根据被测物阻挡光通量的多少来测定被测参数（5）时差测距恒定光源发出的光投射于目的物，然后反射到光电元件，根据发射与接收之间的时间差测出距离。8电效应可分几类说明其原理并指出相应的光电器件。答光电效应是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量而产生电效应的现象。分为外光电效应和内光电效应两种，其中内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。外光电效应在光的照射下，电子逸出物体表面而产生光电子发射的现象。条件小于红限波长（或大于其红限频率）即根据爱因斯坦光电效应方程，要使一个电子从物体表面逸出，必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功，超过部分的能量表现为逸出电子的动能。外光电效应多发生于金属和金属氧化物。基于外光电效应原理工作的光电器件有光电管和光电倍增管。内光电效应半导体材料中处于价带的电子
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