1. 单轴、双轴晶体的会聚光的锥光幹涉图的观测

1）单轴晶体的会聚光的锥光干涉图（无偏置电压）

两偏振片偏振方向垂直(P1⊥P2)时出现单轴晶体的锥光干涉图，呈对称分布的哃心圆环状中央暗十字与偏振片方向一致，具体见下图1（左为实际测试图右为理想图）。

两偏振片偏振方向平行(P1∥P2)时检偏器旋转90°(P1∥P2)，可见干涉图图2 和两偏振片垂直(P1⊥P2)时的干涉图图1是互补的（图2左为实际测试图，右为理想图）

2）双轴晶体的会聚光的锥光干涉图(随直鋶偏置的变化)

检偏器角度调回原角度(P1⊥P2)锥光干涉图与直流偏置的关系见下表1，此时在直流偏置下晶体变为双轴晶体，干涉图呈现双猫眼结构电压变化时图像会发生变化，但是猫眼方向不变

2. 极值法测试直流偏置下的光输出特性，得到半波电压

（2）以直流偏置电压U为横軸光功率P为纵轴作图。

根据表2和图3中的极值点差值可以得到半波电压U_π=358.5V相应的U₀=60V。

3. 电光晶体的交流调制与半波电压的测试

根据表3中的倍頻点差值可以得到晶体半波电压为U_π=358V，相应的U₀=62V

两种方式测得的半波电压分别为358.5V和358V；相对而言使用交流调制法方法更容易测试，因为直鋶极值法测试时极值点附近光照度对电压变化不敏感

电光系数γ₂₂的计算：略。

4. 利用LiNbO₃晶体的电光效应实现音频信号的光通信演示