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各型三极管参数
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&&收​录​了​各​类​三​极​管​场​效​应​管​的​参​数s​a​ s​b​ s​c​ s​k​ ​b​u​ ​b​ ​c​ ​ ​d​等​系​列​参​数
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三极管的主要参数
1、直流参数　（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。　（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。　（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。　（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib　　2、交流参数　（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：　　　　　　　　　　　　　　　β= △Ic/△Ib　　一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。　　（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：　　　　　　　　　　　　　　α=△Ic/△Ie　　因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频的α＞0.90就可以使用　　　　α与β之间的关系：　　　　　　α= β/（1+β）　　　　　　β= α/（1-α）≈1/（1-α）　　（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα　　（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。　　3、极限参数　（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。　（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。　（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称BVEBO。　（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。　（5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。　　PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。
的放大与开关应用
一、用作放大器
　　第一步:进行静态分析，求静态工作点； 第二步:动态分析，求放大倍数等动态值；
下面用作图法进行分析：
静态分析（Vi＝0时）求。
方法：写出输入回路负载方程，将方程作在输入特性曲线上，求得：，
写出输出回路负载方程
并将它作在输出特性曲线上，负载线与IBQ对应的输出特性相交于Q点，求得：
动态分析（加入Vi后），先由输入特性求基极电流变化量ib：
由输出特性曲线与iC求VCE：
二、用作可控开关（或反相器）
VI=0：三极管截止， iC=0，VO=20V；VI=3V：饱和导电。
的参数反映了三极管各种性能的指标，是分析三极管电路和选用三极管的依据。&&&&一、放大系数&&&&1．共发射极放大系数&&&&（1）共发射极直流放大系数，它表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流IC与IB的比值，当忽略ICBO时&&&&&&&&&&（2）共发射极交流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时，集电极变化量ΔIC与基极变化量ΔIB之比，即&&&&管子的β值大小时，放大作用差；β值太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。&&&&2．共基极放大系数&&&&共基极直流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO的情况下 &&&&（2）共基极交流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即：
&&&&通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。&&&&二、极间反向&&&&1．集-基反向饱和ICBO&&&&ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移。在一定温度下，ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。&&&&2．穿透ICEO&&&&ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极。ICEO与ICBO的关系为：&&&&ICEO = ICBO＋ICBO＝（1＋）ICBO GS0125&&&&该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透。ICEO和ICBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。&&&&三、频率参数频率参数是反映三极管放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。&&&&1．共射极截止频率fβ&&&&三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。&&&&2．特征频率fT&&&&当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率，称为特征频率。在fβ～fT的范围内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞fT，时，三极管便失去了放大能力。&&&&四、极限参数1．最大允许集电极耗散功率PCM&&&&PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算：&&&&&PCM ＝ICUCE GS0126&&&&当已知管子的PCM 时，利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。2．最大允许集电极ICM&&&&当IC很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极为ICM当IC＞ICM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。&&&&3．反向击穿电压BVCEO与BVCEO&&&&BVCEO是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。&&&&BVCBO是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子的&&&&BVCEO（0.5～0.8）BVCBO 。三极管的反向工作电压应小于击穿电压的（1／2～1／3），以保证管子安全可靠地工作。&&&&三极管的3个极限参数PCM 、ICM、BVCEO和前面讲的临界饱和线 、截止线所包围的区域，便是三极管安全工作的线性放大区。一般作放大用的三极管，均须工作于此区。
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