铜的电导率是多少?_百度知道
铜的电导率是多少?
就是那个电阻=电导率*长度/面积公式中的电导率,要数值和量纲
是电阻率,要 -= 75摄氏度 =- 时的.
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物理书上用的是1。7*10-8 Ω·m物理题计算就用这个好了
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出门在外也不愁石墨的性质_百度文库
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石墨的性质
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P型氧化锌薄膜制备及其电导率研究
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内容提示：P型氧化锌薄膜制备及其电导率研究
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Si基ZnO光伏器件制备及光电性能的研究.pdf60页
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江苏 大学硕士学位论文 摘
要 ZnO一维纳米材料因其优异的光电性质成为当前ZnO材料研究中的热点之
一。利用纳米生长技术使光学活性半导体生长为纳米柱阵列，从而制备异质结太 阳能电池是一种具有潜在应用前景的构思。此种异质结太阳能电池具有优良的光
伏效应，且制作工艺简单，制备温度较低，使其具有巨大的工业化应用前景。本
论文在Si基片上以聚苯乙烯 PS 微球阵列为模板，旋涂制备ZnO晶种层，然后
利用水热法制备出高质量ZnO纳米棒及其阵列结构，并对ZnO纳米棒的形貌以及
zIlO／Si异质结结构的光电性质进行了研究，对ZnO基异质结型光伏器件做了初步 的探索。具体研究内容如下： 1 采用两步水热法来制备ZnO一维纳米结构。首先在Si基片上采用旋涂法
制备一层PS微球模板，再采用溶胶――凝胶法在PS模板上旋涂一层ZnO晶种层；
然后以硝酸锌与六次甲基四胺作为反应溶液，在涂覆了ZnO晶种层的Si片上制备 出形貌为六棱柱、端面平整的ZnO纳米棒阵列，并通过改变工艺参数，如溶液浓
度，晶种层以及PS模板的使用等，来研究各参数对ZnO纳米棒形貌的影响。研
究结果表明，随着反应液浓度的增加，ZnO纳米棒的直径也将增大；延长水热反
应时间，纳米棒的长度显著增加。同时，由于ZnO晶种层的引入提高了ZnO纳米
棒阵列的取向性和规整度。优化参数：溶液浓度为O．05M、反应时间为6h以及ZnO
晶种层的采用。
量比较高，具有较好的取向性，PS模板的采用有利于ZnO纳米阵列的竖直取向。
规整度高的PS模板能够用于制备周期性排布的ZnO晶种阵列，从而有利于ZnO
纳米棒的一致取向。然后对纳米阵列的疏水性进行表征，表明制备的ZnO纳米薄
膜具有较好的疏水性，并且探
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ZnO：In薄膜与制备及其光电性能研究.pdf64页
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北京化工大学 硕士学位论文
ZnO：In薄膜的制备及其光电性能研究 姓名：韩彬 申请学位级别：硕士 专业：材料学 指导教师：武光明 座机电话号码 摘要 ZnO：I n薄膜的制备及其光电性能研究 摘要 本文首先采用自行设计的超声喷雾热分解设备在普通玻璃衬底
上沉积了ZnO薄膜，优化工艺条件后，又分别在玻璃和高阻n．Si 100 衬底上沉积了ZnO：In薄膜，最后采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制
备了ZnO：In薄膜。借助X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、X射
线色散能谱、X射线光电子能谱、台阶仪、紫外可见光分光光度计、
霍尔效应、四探针等测试手段，研究了沉积温度、衬底材料、溅射功
率等对ZnO：In薄膜的晶体结构、形貌、成分及含量、元素价态、成
膜速率、光学性能和电学性能的影响。研究结果表明： 1 超声喷雾热分解制备ZnO的较佳生长条件为：衬底温度为
450℃以上，衬底与喷嘴之间的距离为6cm，生长时间为30min。 2 在400---，475。C的温度范围内，随着衬底温度的升高，超声
示，In元素很好地掺入了ZnO薄膜中，并且部分取代Zn，与O结合。
随着衬底温度的升高，沉积速率逐渐降低。随着衬底温度的升高，光
的紫外吸收边发生“蓝移’’。优化工艺条件下，ZnO薄膜的电阻率最 良好的电学性能。 北京化工大学硕上毕业论义
方向生长。在相同的衬底温度下，硅衬底上制备的ZnO：In薄膜电阻
率均高于玻璃衬底上制备的。 3 采用磁控溅射技术生长的ZnO：In薄膜样品均为具有C轴择
优取向的六方纤锌矿结构。在可见光区域，样品的透过率都在80％
以上。随着溅射功率的提高，光的紫外吸收边发生“蓝移”。随着功
率的增大，薄膜的方块电阻逐渐减小，最小可达26D．／o。
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