二是使用了一个在样品室非真空环境下仍然能起作用的二次电子探头。
The second is using a secondary electron detector that could function in this non vacuum sample environment.
而在放电功率升高的过程中，离子轰击阴极产生的二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。
While rf power increases to a certain value , the secondary electrons generated from cathode by positive ions bombardment lead to the enhancement of plasma optical emission.
本文介绍了在磁镜装置上应用的同时自动测量注入中性束和离子束的大型二次电子发射探测器；
A large-size secondary electron emission detector used in a magnetic mirror device for measuring automatically and simultaneously neutral and ion injection beams is described.
研究真空表面闪络过程有两类理论：二次电子发射崩溃（SEEA）和电子引发极化松弛（ETPR）。
There are two kinds of theory for the vacuum surface flashover: secondary electron emission avalanche (SEEA) and electron triggered polarization relaxation (ETPR).
而在放电功率升高的过程中，离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变。
While rf power increases to a certain value, the secondary electrons generated by positive ions bombarding cathode lead to the enhance of plasma optical emission.
本文简单介绍了构成环境扫描电镜（ESEM）的多级真空系统和气体二次电子探测器，描述了ESEM的基本工作原理。
The multi-stage vacuum system and gaseous secondary electron detector(GSED) for environmental scanning electron microscope(ESEM) were simply introduced and the basic principle of ESEM was discussed.
讨论了为获得放射虫化石的高质量的二次电子图像所采用的试样制备方法。
In this paper the sample preparation techniques of radiolarite were discussed in order to get high quality secondary electron images in SEM.
本文介绍测量绝缘介质二次电子发射系数的双枪方法，并在动态系统中进行测量。
A two electron gun method and an arrangement whereby the secondary electron emission yield of dielectric materials can be measured are introduced.
将要讨论的技术包括：波长和能量色散谱，扫描背散射电子，二次电子，阴极射线磷光和X射线成像。
Techniques to be discussed are wavelength and energy dispersive spectrometry, scanning backscattered electron, secondary electron, cathodoluminescence, and X-ray imaging.
电力电子技术近年来获得了突飞猛进的发展，并且这种发展被各国专家学者视为人类社会的第二次电子革命。
Power Electronics technique has advanced rapidly in years past , and the development was consider as the second revolution in electronics by specialists and scholars from different countries.
一个高反向偏置电压产生一个强有力的内部电场，加速了通过硅晶格的电子，并通过碰撞电离产生二次电子。
A high reverse bias voltage creates a strong internal electric field, which accelerates the electrons through the silicon crystal lattice and produces secondary electrons by impact ionization.
为了测量空间材料二次电子发射特性，航天科研机构已进行了相关的研究，研制出了几代测试装置。
To measure secondary electron emission characteristics of space materials, space research institutions have done some research and developed several generations of test system.
描述了用于基于减少电 子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。
Apparatus is described for maintaining neutralization based upon a reduction of electron losses, plasma bridge connections and secondary electron production.
建立一个简单的电路模型，分析二次电子倍增放电与RF腔之间的相互作用。
A simple circuit model is constructed to analyze the interaction between multipactor discharge and RF circuit.
在此基础上，对复合腔回旋管进行了大信号分析，计算了基波与二次电子回旋谐波情况下电子效率与一些参数的关系。
The relation between the interaction efficiency and some parameters is investigated in the case of the interaction of fundamental wave with secondary electron harmonic.
二次电子或背散射电子的电流被用来调制阴极射线管（CRT）中电子束的强度。
The secondary backscattered electron current is used to modulate the intensity of an electron beam in a cathode ray tube(CRT).
二次电子发射引起电荷积累，改变电场分布，二次电子再与空间电荷碰撞激发离子，引起离子轰击，这些将对场致发射造成极大影响。
The secondary emission may induce charge accumulation, change electric field distribution and produce ions which may cause the damage to the cathode through ion bombardment.
绝缘介质层的二次电子发射，使放电电流增大。
The secondary electron emission from the dielectric layer makes the discharge current increase.
本文通过二次电子成像研究表面这一晶体相为体心立方相，体心立方相在低于700K的退火温度下是稳定的。
We used SEI to probe the surface and found this phase belong to body-center cubic phase, body-center cubic phase is stable below 700K annealing temperature.
通过计算比较得知二次电子发射系数越大，响应频率越快，粒子电离率越高；
It is found that the response frequency and the ionization rate will be improved if the coefficient is increasing.
运用扫描俄歇微区棵针（SAM）和二次电子像、离子溅射剥层技术对微晶进行了表面及其纵深的碘离子的点分析，根据EDS和SAM的结果，可以得到板状碘溴化银微晶中的碘离子的空间分布。
Using SAM and ion etching, the surface and spatial analyses of iodide ions were carried out. Combining the results of EDS and SAM, the three dimensional iodide ion distribution was obtained.
我们搭建了一套实验装置，用来观察场发射中到达阳极屏上的电子（主要是二次电子）的能量分布。
An experimental instrument is set up to observe the energy distribution of electrons (mainly secondary electrons) on the anode screen in the field emission.
推导出高能原电子斜入射时的金属的有效真二次电子发射系数的表达式，它与入射角的余弦近似成反比。
This paper derived the formulation for the real efficient emission coefficient of secondary electron under the condition that high energy primary electron incident on metal obliquely.
本文报告了以多孔玻璃为基材的微通道板的制备及其二次电子发射特性的测量结果。
The paper reports the fabrication of the MCP based on the porous glass (ceramics) and the measurement of secondary electron emission characteristic of the MCP.
SPIC广泛的应用前景也被有关专家称为“第二次电子革命”。
It was said that the trends of the developing of SPIC would introduce " A second electronic revolution".
在SMPDP中，二次电子发射主要是由粒子轰击放电单元内上下介质表面决定的。
And the effects of second electron emission are more sensitive on the surface of MgO than on the surface of metal barriers in the new SMPDP cells.
本文是从扫描电子显微镜的成像原理出发，推导了有关阐明二次电子像理论分辨率的公式。
Based on the imaging principle of SEM, the equation for illustrating the theoretical resolution of secondary electron image has been deduced in this paper.
本文从电子束能量、不同气压条件、电荷诱导等方面来研究低真空二次电子图像的分辨率。
The thesis analysis secondary electron resolution from beam energy, different gas pressure, charge-induced and so on in low-vacuum condition.
面对中国经济的蓬勃发展和电子商务二次创业的璀璨明天，我们充满信心。
Faced with the vigorous development of China's economy and e-business venture of two bright tomorrow, we are full of confidence.
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secondary electron yield
计算机行业专业英语第306页 ... secondary electron multiplier 二次电子倍增管 secondary electron yield 二次电子发射系数 secondary electron 二次电子 ...
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secondary electron emission yield
网络释义 ... secondary ion yield 二次离子产额 secondary electron emission yield 二次电子发射系数 ; 次级电子发射系数 Secondary yield point 次屈服点 ; 次屈服点 ...
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人为增强的粗糙表面上的二次电子发射系数（SEY）的效果进行了研究，在理论上和实验。三角形和矩形沟槽表面上的分析研究显示SEY减少一个给定的几何形状的特征参数之间的连接。
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secondary electron emission coefficient
二次电子发射系数
基于3个网页-
the effective secondary electron emission coefficient
The effective secondary electron emission coefficient
real efficient secondary electron emission coefficient
real efficient emission coefficient of secondary electron
efficient secondary electron emission coefficient
secondary electron yield
secondary electron emission yield
secondary electron emission coefficiency
&2,447,543篇论文数据，部分数据来源于
讨论微通道板玻璃的二次电子发射系数及其影响因素。
Effect of acid etching on electrical performances of microchannel
通过计算比较得知二次电子发射系数越大，响应频率越快，粒子电离率越高；
It is found that the response frequency and the ionization rate will be improved if the coefficient is increasing.
本文介绍测量绝缘介质二次电子发射系数的双枪方法，并在动态系统中进行测量。
A two electron gun method and an arrangement whereby the secondary electron emission yield of dielectric materials can be measured are introduced.
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感谢您的反馈，我们会尽快进行适当修改！不同带电情况下介质材料二次电子发射特性研究--《原子能科学技术》2015年09期
不同带电情况下介质材料二次电子发射特性研究
【摘要】：空间材料二次电子发射特性是决定航天器表面带电速率和充电平衡电位水平的重要参数。本文利用1~5keV的脉冲电子束开展了聚酰亚胺(kapton)、玻璃盖片和光学太阳反射镜(OSR)材料的二次电子发射系数(δ)测试,并完成了介质材料表面不同充电情况下的二次电子发射特性研究。研究结果表明,在入射电子能量为1~5keV范围内材料二次电子发射系数随入射电子能量上升而下降,同时当二次电子发射系数大于1时,材料表面将累积正电荷,二次电子发射系数下降,当二次电子发射系数小于1时,材料表面将累积负电荷,二次电子发射系数将增加。
【作者单位】：
【关键词】：
【基金】：
【分类号】：O462.2【正文快照】：
航天器表面带电效应可能会产生具有瞬时高压和强电流特征的电磁脉冲,导致航天器上的敏感电子元器件损坏及组件误动作,干扰航天器与地面的通信,甚至造成航天器飞行任务的失败[1-4]。当空间环境中的航天器表面发生充放电效应时,最后的平衡电位取决于入射的电子、离子、表面的二
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【参考文献】
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3.1.3二次电子发射的基本原理.ppt 25页
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3.1.3二次电子发射的基本原理
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InternationalPhotonicsLaboratory*第三章内光电效应探测器件*本章学习要求：1.掌握光电效应基础理论和基本概念2.掌握光生伏特器件的结构、原理及其应用3.掌握光电导器件的结构、原理及其应用4.了解新型光半导体探测器件5.掌握典型的偏置电路和信号处理电路*3.1基础理论和基本概念3.1.1能带理论3.1.2光电效应3.1.3二次电子发射的基本原理*原子物理指出，自由原子中的电子具有的能量状态不是任意的，电子只能存在在一定的能级上。能级通常用能带图表示，能带分为价带、禁带和导带。对于绝缘体、半导体和金属，能级差别只是禁带宽度(带隙能量Eg)不同。3.1.1能带理论*金属：不存在禁带，导带和价带交织在一起，电子可以连续过渡，因而导电性能强。绝缘体：禁带宽度较大，在室温下由于热能激发到导带中的电子很少，因此导电性能很差。半导体：禁带宽度较小，介于金属和绝缘体之间，室温下由于热运动总有一部分电子从满带跃迁到导带，形成电子空穴对。如果外加电场，电子空穴对载流子沿着电场方向漂移运动，形成电流输出。3.1.1能带理论*在纯半导体材料中掺入不同杂质生成P型和N型半导体。掺入杂质后，在原先的价带和导带之间产生一些孤立的附加级。附加能级的位置则决定于杂质原子的性质:在4价硅中掺入少量5价的磷，则构成N型半导体；在4价硅中掺入少量3价的硼，则构成P型半导体。3.1.1能带理论半导体材料的能带图*半导体光电发射可以用电子亲和势来描述。如图所示，电子亲和势（电子结合能）EA指的是导带底上的电子向真空逸出时所需的最低能量，数值上等于真空能级与导带底能级EC之差。即：此时电子亲和势就等于能量阈值。那么半导体材料中电子从价带顶逸出产生光电发射所需的能量阈值，就是真空能级与价带顶能级之差。3.1.1能带理论半导体光电发射体的简化能带模型*电子亲和势是表征半导体材料发生光电效应时，电子逸出的难易程度。电子亲和势越小，就越容易逸出。采用一些特殊工艺，使得有效的电子亲和势变为负值，则大大降低光电发射阈值，提高材料的量子效率，这种材料称为负电子亲和势的半导体材料。3.1.1能带理论如果电子亲和势为零或是负值，则意味着电子处于随时可以脱离状态，变成自由电子，这样用电子亲和势为负值的材料制作的光电阴极，由于光子易于激发到表面逸出，因此灵敏度就高。*从能带图可以看出，由于能带弯曲，表面的电位相对于体内降低了Ed，因此电子在表面附近受到耗尽层内建电场作用容易到达表面，电子只需克服EA1就能逸出表面，此时由于光的入射产生的光电子只需克服有效电子亲和势为：适当控制掺杂浓度，就有可能使Ed＞EA2，EAef＜0。3.1.1能带理论E0EC2EV2耗尽区表面：N型:EA1EA2Ed负电子亲和势能带模型*3.1.2光电效应当光作用到物质表面时，与光电材料中的电子相互作用，改变了电子的能量状态，从而引起各种电学参量变化，这种现象统称为光电效应。内光电效应:受到光照射的物质内部电子能量状态发生变化，光子激发产生的载流子仍保留在材料内部，不存在表面发射电子的现象，包括光电导效应和光伏效应。外光电效应:物质在光辐射作用下，被光激发产生的电子逸出物质表面的现象。光电效应又分为内光电效应与外光电效应两类。*外光电效应当光子入射到光阴极面上时，处于价带中的电子吸收光子能量而被激励，向表面扩散，扩散到表面的电子，越过真空位垒成为光电子发射到真空，完成由光子转变为电子的光电发射。3.1.2光电效应从半导体能级图可以看出，价带和导带之间有一禁带(禁带宽度－带隙能量Eg)，半导体电子不能存在于禁带区域，导带与真空能级之间形成电子亲和势(EA)。*（1）斯托夫定律当入射光的频谱成份不变时(同一波长的单色光或者相同频谱的光线)，光电阴极的饱和光电发射电流Ik与被阴极吸收的入射光的光通量φ成正比：3.1.2光电效应只要测出光电发射的阴极的电流Ik以及入射到光阴极的光通量φ，就能求出光电阴极光照灵敏度。SK：表征光电发射灵敏度的系数(光电阴极的光照灵敏度)。*（2）爱因斯坦定律爱因斯坦定律阐明了发射光电子的最大动能E与入射光频率v(或波长λ)和光电发射材料逸出功(W)之间的关系。发射光电子最大动能与光的强度无关，而随入射光频率的提高而线性增加：3.1.2光电效应V表示光电子的速度，h是普朗克常数。*从以上的理论出发可以得出存在一个临界波长，这个波长通常称为红限波长(λ0)。此时，光电子刚刚能从阴极逸出，初速应该为零，因此：3.1.2光电效应只要知道光电器件的光电发射材料的逸出功，或者知道器件的带隙能量，就可以知道这种器件的截止波长。（nm）*量子效率由于探测器对入射光的反射、透射、散射的作用，当入射光能量hν≥Eg，每个光子不一定都能产生光电子，实际的量子效率η＜100%。3.1.2光
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