EP7312-IV-90 (CIRRUS [高性能，低功耗的系统级芯片， SDRAM和增强与SDRAM和增强]) PDF技术资料下载
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EP7312-IV-90
高性能，低功耗的系统级芯片， SDRAM和增强与SDRAM和增强
[High-performance, Low-power, System-on-chip with SDRAM & Enhanced with SDRAM & Enhanced]
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描述：&&高性能，低功耗的系统级芯片， SDRAM和增强与SDRAM和增强[High-performance, Low-power, System-on-chip with SDRAM & Enhanced with SDRAM & Enhanced]文件大小：&&1303 KPDF页数：
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EP7312-IV-90&
高性能，低功耗的系统级芯片， SDRAM和增强与SDRAM和增强 [High-performance, Low-power, System-on-chip with SDRAM & Enhanced with SDRAM & Enhanced]
EP7312数据表特点?ARM 720T处理器- ARM7TDMI CPU运行在74和速度90兆赫- 8字节的4路组相联高速缓存- MMU具有64项TLB- 拇指(TM)代码支持启用?超低功耗- 90毫瓦，在74 MHz的典型- 108 mW的90 MHz的典型- &.03 mW的待机状态?先进的音频解码器/解压缩功能- 支持自适应比特率的比特流。- 允许对支持多种音频解压算法（ MP3 ， WMA ， AAC ，声音等） 。(R)高性能低功耗，系统级芯片与SDRAM &增强数字音频接口概观Cirrus Logic公司的(TM)EP7312是专为超低功耗便携式和线路供电的应用，例如便携式消费类娱乐设备，家用及汽车音响点唱机系统，和通用工业控制应用中，或该功能的数字音频的附加能力的任何设备压缩解压& 。的核心逻辑功能该装置是围绕具有ARM720T处理器8字节的4路组相联的统一高速缓存和写缓冲区。纳入ARM720T是一种增强存储器管理单元（MMU ），其允许支持的像微软成熟的操作系统(R)视窗(R)CE和Linux(R).（续）（续）框图? IG ITA升自动? IO在TE RFA权证EPB BUSC罗? K·S &牛逼IM ê RS串口发E RIA升在TE RFA权证P流器M anagem耳鼻喉科ARM 720TIC ê -J T A摹一个R M 7牛逼D M I C P U被C 0重在TE RRU P TS ，P女男&克对IO用户界面（ 2 ）U A R牛逼sW /税务局一8 KB?疼BOOT只读存储器W??仪式B ü FFER公共汽车B RID克éMMUKeypad&TOUCHS·C再简I / F在TE车削A L D上TA B美国M E M O对RY C 0 ?卓LLE ?M A V埃里克? ? E YTm值SRAM的I / FSDRAM I / F0：N -C 2 H IP S R A M48 KB液晶显示? 0：N卓米勒内存和存储(C)版权所有Cirrus Logic公司， 2005年公司（版权所有）AUG 05DS508F1 上传我的文档
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一种恒流Buck型大功率LED驱动芯片设计
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一种恒流Buck型大功率LED驱动芯片设计
官方公共微信芯片的地线引脚和功率地引脚布线
芯片的地线引脚和功率地引脚布线
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likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 10:14:28
很多芯片有两个地，一个是普通地，一个是功率地，简称A和B吧，在控制板的布局中，是否可以大面积敷地的时候直接的将这两个地引脚直接连接？看到有些资料介绍由于芯片的功率地B是走大电流信号的，并不能和A直接的连接在一起，否则会带来一些意想不到的干扰情况。请问是这样的么？
|YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 11:13:35&如果驱动电源跟IC的工作电源是一个电源的话，我觉得可以。如果驱动电源跟IC的工作电源是两个电源，那么IC的功率地可以跟主回路的地接在一起。
个人理解。 ||likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 13:29:49&什么叫驱动电源？，是供电电源么？我现在的IC就是外面单独一个正负15V的电源供电，而IC又是跟主回路的副边输出共地的，因为是非隔离采样。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 13:35:42&有的时候，图腾柱电源与IC供电不采用一个电源，虽然他们的地最终是连在一个点，但再IC上是不连在一起的。 ||
resin离线LV4初级工程师积分：671|主题：13|帖子：79积分:671LV4初级工程师 23:40:12&驱动电源跟IC的工作电源是一个电源，IC的地和主回路的地也不可以共地。最近处理过这个案例。（干扰导致不能开机） ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 17:52:32&1、你是隔离驱动还是不隔离驱动？
2、我说的不是IC的地跟主回路的地直接连在一起，是IC上的两个地，也就是GND与PGND.这两个地连到一起后与功率地单点共地。 ||
resin离线LV4初级工程师积分：671|主题：13|帖子：79积分:671LV4初级工程师 15:29:53倒数2&1.隔离驱动。
2.最近处理的是IC GND与图腾柱PNP管的C极接在一起而后接大地。后来修改Layout将IC地与图腾柱隔开单独接大地。 ||Coming.Lu在线LV7版主积分：33778|主题：34|帖子：11836积分:33778版主 11:48:58&分析一下功率地的电流走向，控制好电流所走的“路线”，就可以。 ||
zvszcs离线LV7版主积分：4749|主题：171|帖子：1559积分:4749版主 15:50:48&两个地是不能直接相连的，多看看文档，多数都有特殊说明 ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 16:09:10&不是不能而是不建议吧？ ||
Coming.Lu在线LV7版主积分：33778|主题：34|帖子：11836积分:33778版主 16:14:33& ||
xiaoliangyl离线LV7版主积分：9387|主题：35|帖子：3679积分:9387版主 19:07:52&功率不大，初级电流小的话应该问题不大吧 ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 20:53:07&今天才看了一个老师的演讲，他说把&&&&IC的地连接到RSENSE的下端，而不是点解的负，我感觉和大家平时接的地不一样啊？一般都是单点接地，接的是点解的负啊？希望大家说说自己的情况。。 ||
庞展离线LV8副总工程师积分：5758|主题：232|帖子：2203积分:5758LV8副总工程师 20:59:32&这个应该是为了电流检测回路最短吧。IC的地跟RSENSE尽量做到构成的回路最短。 ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 21:41:27&他说这个是考虑驱动回路小，干扰小才这样做的。。
好像和我们一般的接法有点不一样噢。。。
资料很快就会上传。。到时看了就知道了。。。 ||庞展离线LV8副总工程师积分：5758|主题：232|帖子：2203积分:5758LV8副总工程师 11:50:37&期待你的资料。 ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 21:28:10&兄弟，我这是打印的。。
等编辑整理好了，肯定会上传的。。
就是这周六上海会议上的。。。 ||
resin离线LV4初级工程师积分：671|主题：13|帖子：79积分:671LV4初级工程师最新回复 17:37:27倒数1&anticipates your share ||
庞展离线LV8副总工程师积分：5758|主题：232|帖子：2203积分:5758LV8副总工程师 20:03:06&应该是不建议直接连接而是在电容器管脚处单点接地。 ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 20:15:15&控制IC普通地跟功率地，分成两个，谁能说明为什么？ ||
baizifei离线LV7版主积分：4034|主题：25|帖子：1036积分:4034版主 18:51:12&IC地是静地，功率地是动态低。。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 21:24:00&静态地跟动态地？那么震荡电路的地是静态地还是动态地？静态跟动态的区别是如何区分的？ ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 22:49:12&IC地是静地，功率地是动态地，说得好！
如果这两个地不能直接连接（这类芯片如果DIP封装的话，控制板背后大面积敷IC地时是否可以通过一个0欧姆的电阻将功率地和大面积地连接？）但是听说这样也有毛病，这个0欧姆的电阻会使得IC地和功率地存在可能的电势差，还会带来一些意想不到的干扰 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 08:29:31&个人觉得，采用0欧姆电阻将功率地与IC地连在一起，好像是遵循了两个地不直接相连的原则，实际上确实错误的。简单的以3875为例，在这个IC里，哪部分是功率地？哪部分又是IC 地？在实际应用中，这个地又应该如何接？我们知道，3875有两个地，同样也有两个输入电源端，如果对于这个IC，供电电源只有一个，也就是VC跟VIN接在一起，那么GND与PGND又该怎么接呢？ ||
庞展离线LV8副总工程师积分：5758|主题：232|帖子：2203积分:5758LV8副总工程师 09:36:21&尽量少用0欧电阻连接地，还是用导线好，不然后端地震荡。 ||jimmy离线LV7版主积分：5487|主题：37|帖子：2235积分:5487版主 10:03:33&主要是功率地上的大的di/dt会通过到信号地窜进IC，从而使控制信号出现不稳定，所以，通常内置功率器件的IC都会有两个地。在PCB布局的时候，要注意不要让芯片的控制地通过功率地再流到电解电容的负极，而是要分别走线。 ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 10:09:55&也就是IC地之间接到电解负？ ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 10:59:14&3875内部的功率器件是指哪些？图腾柱驱动电路？ ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 12:21:05&3875两个地？
我还没用过。。。 ||YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 14:54:54&，不仅两个地，还有两个电源端呢。 ||
jimmmy1125离线LV6高级工程师积分：2926|主题：38|帖子：2786积分:2926LV6高级工程师 15:39:44&谢谢王工。。
先看看。。 ||
zvszcs离线LV7版主积分：4749|主题：171|帖子：1559积分:4749版主 22:13:18倒数3&UC289X系列就有两个地，说明书就指明了两个地必须分开 ||charley_cheng离线LV2本网技师积分：125|主题：0|帖子：2积分:125LV2本网技师 11:21:19&我也遇到过这样的问题，是一个D-D IC，由于layout时，信号地和功率地没有分开，导致IC死掉，有的后面的同步整流MOS也跟着死了。 ||
庞展离线LV8副总工程师积分：5758|主题：232|帖子：2203积分:5758LV8副总工程师 15:06:50&功率地噪音比较大，干扰。 ||
powerlove离线LV6高级工程师积分：1035|主题：118|帖子：251积分:1035LV6高级工程师 22:55:48&我也见过这样的例子，以3895为例，IC只有一个供电电源，但是有两个地，一个是GND，一个是内部图腾柱的POWER-GND，也可以说是上面有朋友称为的静态地和动态地吧！我见到我 单位的一个工程师在布控制板时，直接的将这两个地用大面积的铜敷在一起，当时我也没注意，今天看到这个帖子才知道这个地有这么多学问。 ||powerlove离线LV6高级工程师积分：1035|主题：118|帖子：251积分:1035LV6高级工程师 22:59:36&不过他布的那个板子貌似也没出现问题，可能真的运气好。
再次弱弱的请教，这两个地标准有效的布局应该是怎么样的？一般说来，PCB板（指的是控制板而非主电路板）背后大面积副铜将GND引脚连接是经常见到的做法，那么这个POWER-GND呢？又如何和板子背后的大面积铜相连接？这个应该是个技巧 ||
charley_cheng离线LV2本网技师积分：125|主题：0|帖子：2积分:125LV2本网技师 22:07:15倒数4&power-GND和GNG要分开，且power-GND接mosFET的trace要短而粗。我们当时也是量产多了才发现IC死掉了一些，如果两个地接在一起会出现输出同步整流开关节点过压。分开走就好了很多。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 08:26:29&当时用的时候，IC都是采用的两个供电电源，一个给IC供电，一个作为内部图腾柱供电，现在认为，可能IC的供电，要接到大电容的地，而PGND，可能要接到主电路的地，也就是MOS管下管的S端好。 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 10:07:05&我现在用的3895控制芯片，电源输出48V，电阻分压非隔离采样，IC用的是一路+15电源供电（IC只有一个VDD电源引脚），请问制作控制板时，我的这个芯片的GND该如何布局，POWER-GND又该如何布局？是不是GND引脚直接连接控制板大面积敷铜地，而POWER-GND引脚则连接主电路上面的输出地 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91984|主题：134|帖子：41855积分:91984版主 10:37:44&我也不知道，我只用过一次3875而已。 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 22:57:35&有什么好建议么？王工 ||
庞展离线LV8副总工程师积分：5758|主题：232|帖子：2203积分:5758LV8副总工程师 23:59:49&在电源端加个小电容。 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 16:10:30&电源端加有47U/25V电解+104无极性电容去耦 ||micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 00:28:31&设计两个地，很方便菜鸟啊
micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 00:35:23&通常所有控制用的信号都接于SGND上，这样新手都能减小很多问题。 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 16:14:00&对于这句话“所有的控制信号都接到SGND上”
芯片的POWER-GND又该如何？ ||
micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 09:46:01&虽然PGND与SGND是连在一起的，但这两个引脚是有压差的，我看了很多芯片特别强调压差不应超过5V ||zvszcs离线LV7版主积分：4749|主题：171|帖子：1559积分:4749版主 08:57:49&电源的做法都是将A以及其他信号地先连接到IC的信号地线再连接到VCC电容地最后回到B地，跟B点地会合以后回到输入电解的地
注意：AB的会合点，一定是A点在B点后面，A点更接近输入电解的地
如果芯片有两地，推动地绝对不能跟芯片的信号地直接连接，要分开走，可以让他先回到功率地 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 13:54:13&还是看到糊里糊涂！
那请高手说一下我该如何处理现在的问题：是这样的，我做了一块主电路板，输出48V，控制电路3895也单独做了一块板，控制板通过连接器竖直插在主电路上，对输出48V电阻分压非隔离采样，3895用的是一路+15电源供电（IC只有一个VDD电源引脚），该芯片有两个地，一个是GND，一个是POWER-GND，走弱电信号的控制板背后往往会大面积敷铜作为地，那么3895的GND引脚是不是直接连接控制板背后大面积敷铜地，而POWER-GND引脚呢？则该如何处理 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 22:23:09&到了具体实际问题的时候大家就不理俺了 ||
micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 23:16:55&没用过3895
但所有用法是一样的 ||
micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 23:39:32&比较忙，本想画个图上去更好说明接地的影响，这个图留下次了 ||
songlsx离线LV7版主积分：5192|主题：29|帖子：1084积分:5192版主 23:57:04倒数10&功率地到总回路地之间是否有电压波动的，IC接到这个地线上面会受到上面的波动电压影响，造成一些干扰，所以电源会发生过热现象。 ||
likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 14:02:40倒数9&那该如何? ||likepower在线LV6高级工程师积分：1720|主题：193|帖子：473积分:1720LV6高级工程师 14:04:28倒数8&POWER-GND引脚如何处理?请大家直接明了的说 ||
micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 10:22:06倒数6&上面我看很多网友说了那么多，难道找不到些启发？
micropower离线LV7版主积分：7375|主题：49|帖子：2900积分:7375版主 10:25:39倒数5&上图我想讲接地对电路的影响，空点再作详细说明。
接下来再作个图详解关于SGND及PGND之间的关系及信号示意图。 ||
songlsx离线LV7版主积分：5192|主题：29|帖子：1084积分:5192版主 21:41:03倒数7&所以地线中的主线与小电流的IC最好分开接地，这些是搞过大功率的就会尝试过这些经验。 ||
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地 址：天津市南开区黄河道大通大厦5层
电 话：(022)
传 真：(022)
E-mail：cpss#(#换成@)美高森美SparX-IV管理型以太网交换芯片系列 新增最低功耗产品-控制器/处理器-与非网
具有最多10个端口的完全L2/L3管理型器件
提供用于工业和企业应用的灵活、功能丰富的低功耗解决方案
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布SparX-IV以太网产品系列中的最新成员VSC7440 SparX-IV-34，经设计实现更高成本效益、更小外形尺寸和更低功耗的2.5G和10 gigabit以太网联网解决方案。这个完全L2/L3管理型 (managed) 以太网交换芯片具有最多10个端口，支持1G、2.5G和10G以太网端口组合，面向包括中小型公司(SMB)、中小型企业(SME)和工业以太网应用的企业网络，提供了灵活且功能丰富的解决方案。
美高森美以太网网络技术(ENT) 事业部产品营销总监Larry O&Connell表示：&通过推出扩展旗舰SparX-IV以太网交换芯片产品系列的VSC7440，我们提供了业界迫切需要的高成本效益小端口数目交换芯片产品以支持更快的以太网速率，增加了我们在低带宽、海量市场领域的机会。客户能够通过最高10 Gbps数据服务建立面向未来的平台，从而为用户提供视频、存储和其它数据密集应用。&
目前功耗和特性与美高森美VSC7440相近的其它同类交换机产品无法支持超过1 gigabit以太网速率，而VSC7440以太网交换芯片则集成了美高森美正在申请专利的分布式时钟同步技术VeriTime&，提供纳秒精度IEEE 1588V2时间戳，为网络通信市场带来了全新功能。此外，这款器件支持美高森美全面的应用软件包和编程接口(API)包，为美高森美客户加快了上市速度并提高了投资收益率。这个软件API包可与第三方软件轻易集成以实现多样化应用，同时保护客户现有的软件投资。
市场研究机构IHS指出，具有1G、2.5G和10G端口的固定以太网交换设备的现有市场总量(TAM)预计将于2018年增长至超过142亿美元。美高森美新型VSC7440器件适用于这个扩展市场中的多个应用领域，包括多服务运营商(MSO)和电信/互联网服务提供商网络、用于住宅服务的下一代路由器网关，以及用于小型办公室/家庭办公室(SOHO)和SMB的小型IEEE 802.11ac Wi-Fi 聚合交换机。
VSC7440的其它主要特性包括：
&三层(Layer-3)路由
&最多4个1G、4个2.5G和2个10G端口
&最多2个集成式电口PHY和2个10G串行器/解串器(SerDes)
&更广泛的工作温度范围
&在SparX-IV系列中轻易升级至更高带宽的型号，包括更多10GbE端口支持
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根据芯片的工作状态和Datasheet中的一些参数来估算一个大概的功耗其他的感觉就是比较困难了
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如果是为了确定电源功率，最简便、可靠的方法是借鉴相近电路功耗（实测），为了更可靠些，再留点设计裕度。因为大规模数字集成电路的功耗不仅仅决定于电路，还同芯片的制造工艺有关，相同型号的芯片，不同厂家的产品，其功耗会有一定的差异，尤其外围电路不同，其功耗差别会更大，程序运行过程各瞬态功率也必然存在很大差异，因此最为简便、实用的功率设计不是准确计算各芯片的功率，因该采用经验设计。
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你好！& & &如果能知道工作时的最大电流，就可以得出最大功率，其它的可以不考虑。还要看通过实际测量的手段可以通过Datasheet电流参数计算的方法
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