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微电子复试----写给要参加微电子复试的学弟学妹们,笔试真题+面试真题记忆版
&&&&& 关于笔试,笔试是微电子概论(郝跃主编)和模拟电子技术(孙肖子主编)二选一,笔试时,会发一套卷子,里面有模电和微电子概论,任选一门,可以先看看题,觉得哪个简单就做哪个(当然,这需要你做两手准备时才有可能)
下面是07年到09年这三年的微电子概论的笔试真题,可以看出基本有一半的题属于书上最简单的知识,当然还有将近15%可能是书上没有的,所以微电子概论一般都在70多分
07年微电子概论复试题
(一共6道大题,满分100分,4月9日19:30~21:00)1,什么是N型半导体?什么是P型半导体?如何获得?2,简述晶体管的直流工作原理。3,简述MOS场效应管的工作特性。4,CMOS电路的基本版图共几层,都是哪几层?再描述一下COMS工艺流程。5,专用集成电路的设计方法有哪些?它们有什么区别?6,影响Spice软件精度的因素有哪些?
08年微电子复试题
1.半导体内部有哪几种电流?写出电流计算公式。2.晶体管的基极宽度会影响那些参数?为什么?3.经过那些工艺流程可以实现选择&掺杂&?写出工艺流程。4.双极ic和mos ic的隔离有何不同?5.rom有那些编程结构?各有和特点?6.画出稳压电路的结构图,解释工学原理。
09年微电子复试题
1.pn结的寄生电容有几种,形成机理,对pn结的工作特性及使用的影响?15'2.什么是基区宽变效应,基区宽变效应受哪些因素影响?15'3.CMOS集成电路设计中,电流受哪些因素影响?15'4.CMOS集成电路版图设计中,什么是有比例设计和无比例设计,对电学参数有哪些影响?15'5.画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图,并说明它们的工作原理的区别?20'6.对门电路而言,高电平噪声容限和低电平噪声容限受哪些因素影响?20'
对于模拟电子技术,有填空和计算两种题型,相对而言,要进行计算和电路分析的比较多,难度一般并不大,主要是张进成老师上课的重点和期末考试的重点,所以考模电可能会考比较高的分数,但相对微电子概论,复习起来可能会比较麻烦
笔试完后,第二天就是面试,关于面试,主要在于回答专业课的问题,一般来说,专业课的问题都出自模电和微电子概论我简单说一下郝跃课题组去年的情况,抽两道题,一道英语题(一般是与专业知识无关的英语问题),再就是一道专业题(一般出自于模电或是微电子概论),有2分钟左右的准备时间,然后开始回答,回答完之后,有时面试就直接结束,有时可能问题会有扩展,再多问几道专业问题,之后面试就结束了,听力基本没有涉及,至于其他课题组,不太了解,但据说问的问题会多一些,但基本也出自模电或是微电子概论,一般认为,专业问题要比英语更重要,直接决定面试老师对你的印象
下面引用一下好网上网友给出的部分去年面试真题
专业课面试
1.& && &齐纳击穿与雪崩击穿的原理和区别 2.& && &什么是有比例设计与无比例设计,其影响参数 3.& && &高低电平噪声影响的参数 4.& && &多级放大器的耦合方式及优缺点 5.& && &什么是线性电源 6.& && &...
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学长,有没有电院推免生的面试资料啊
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