来源：半导体器件应用网【哔哥哔特导读】近日，英飞凌推出了面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN IPS系列产品，并举行CoolGaNTM IPS 第三代化合物半导体新品发布媒体沟通会。5月25日上午，英飞凌半导体（深圳）有限公司（简称：英飞凌）在深圳办公室举行了CoolGaNTM IPS 第三代化合物半导体新品发布媒体沟通会。随着当前充电器行业的发展，大功率、通用性、小尺寸和低成本的充电器产品越来越符合应用商和消费者的需求。为了更好地适应当前市场，英飞凌推出了面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN IPS系列产品。IPS基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源(SMPS)。据英飞凌半导体（深圳）有限公司高级应用市场经理卢柱强介绍，得益于GaN的材料与技术特性，CoolGaNTM IPS系列产品在开关电源中，能够显著减少开关损耗，尤其是高频开关应用，同时在充电器中的使用，主要是利用了GaN在高频下的开关特性优点，从而实现小型化设计。值得一提的是，英飞凌CoolGaNTM IPS（Integrated Power Stage）在一个QFN8*8的封装里，集成了隔离驱动IC和GaN开关管，易于设计，不仅减少干扰和尖峰，提高可靠性，减少寄生参数，利于提高可靠性，而且节省外围器件数量，减少PCB面积。与其他同类产品不同，英飞凌CoolGaNTM IPS系列产品具有以下亮点：1. 低至47ns的时延，支持1MHz高频开关，死区控制更准确，半桥控制一致性更好；2. 外部可配置驱动RC网络，优化具体路线dv/dt；3. 输入端支持各种MCU，DSP或FPGA等3.3V CMOS PWM；4. 无磁芯变压器驱动，气隙隔离更安全。其中，代表产品600V CoolGaN半桥式IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装形式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型(e-mode)HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。600V CoolGaN半桥式IPS IGI60F1414A1L这款CoolGaNTM IPS系列产品不单单只应用在充电器领域，同样适用于功率、框架合理的应用领域。目前，在USB-C充电器领域，英飞凌和Cypress强强联合，共同为充电器行业提供优秀的方案，更好地服务客户。据悉，宽禁带(WBG)第三代半导体材料是英飞凌全面布局的方向，SiC和GaN等材料都有相关应用。英飞凌半导体（深圳）有限公司董事总经理陈志豪表示，就GaN材料而言，其产品主要聚焦应用在充电器领域。可靠性和高功率密度是当前的一个趋势，英飞凌希望通过高可靠性的集成方案，让更多的客户使用，未来短时间内也希望会在应用领域扩大使用。本文为哔哥哔特资讯原创文章，如需转载请在文前注明来源}