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从事电子元器件行业近20年对smd电子器件标记深有研究,能提供标记反查和按产品参数提供型号。
如果二极管工作在低压上可以代替如用在220v以上不可代
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场效应管fgd4536不可用其它的代换2113场效应5261晶体4102管主要有两种类型:结型场效应1653管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电也称为单极型晶体管。
场效应管:具5261有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低4102、动态范围大、易于集成1653、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点
当Vgs=0 V时,漏源之间相當两个背靠背的二极管在D、S之间加上电压,不会在D、S间形成电流
当栅极加有电压时,若0<Vgs<Vgs(th)时(VGS(th) 称为开启电压)通过栅极和衬底间嘚电容作用,将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动但数量有限,不足以形成沟道所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加Vgs当Vgs>Vgs(th)时,由于此时的栅极电压已经比较强在靠近栅极下方的P型半导體表层中聚集较多的电子,可以形成沟道将漏极和源极沟通。
如果此时加有漏源电压就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟噵中的电子因与P型半导体的载流子空穴极性相反,故称为反型层(inversion layer)随着Vgs的继续增加,ID将不断增加
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