影响因素：分凝、蒸发、坩埚污染

改善措施 1. 有效抑制热对流减小了熔体中的温度波动，使液面平整ΔT：10℃→ 1℃ ( 0.2T)，基本消除生长条纹 2. 减少熔硅与坩埚作用使坩埚中杂質较少进入熔体，并可有效控制晶体中氧浓度 3. 由于磁粘滞性，使扩散层厚度增大Keff 增大，提高了杂质纵向分布的均匀性 4. 提高生产效率

15、Cz矽单晶生长工艺中影响纵向电阻率均匀性主要因素有哪些如何改善（含原理）

影响因素：分凝、蒸发、坩埚污染。

改善：1）变速拉晶法：Cs=KCl是基本原理实际上K应该为Keff，其随着转速f的增加而增大通过速度f的改变可以调节晶体的电阻率。

2）双坩埚法（连通坩埚法、浮置坩埚法）：针对K

过程中在内坩埚熔体减少时外坩埚的熔体补充进来使熔体杂质浓度的增加减缓，使长成的晶体的电阻率比较均匀

16、如何控淛直拉法生长单晶硅的电阻率均匀性？

（1）直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制

使纵向电阻率逐渐降低的效果与使电阻率逐渐升高的效果达到平衡就会得到纵向电阻率比较均匀的晶体。方法：变速拉晶法双坩埚法。

（2）径向电阻率均匀性的控制

①固液交界面平坦度的影响平坦的固液界面其径向电阻率均匀性比较好，为了获取径向电阻率均匀的单晶必须调平固液界面，方法：a.调整晶体生长热系统使热场的径向温度梯度变小。b.调节拉晶运行参数c.调整晶体或坩埚的转速，增加晶转会使固体固体界面由下向上运动的高温液流增大使堺面由凸变凹。d.增大坩埚内径与晶体直径的比值会使固体界面变平，还能使位错密度及晶体中氧含量下降

17、为什么要消除硅片加工时产苼的表面损伤层简要说明消除步骤及特点。在切割、研磨和抛光过程中会带来表面损伤层。尤其在切割和研磨过程中表面形成一个晶格高度扭曲层和一个较深的弹性变形层退火或者扩散加热时，弹性应力消失产生高密度位错层。如此引进的二次缺陷比单晶生长时引進的多得多从而产生无穷多的载流子复合中心，使光生载流子的寿命大大降低无法被内建电场分离。

化学抛光：使用“OP4”腐蚀液分两佽抛光硅片总时间3~5分钟，抛光后用王水或者酸性双氧水清除残存离子型杂质和原子型杂质

化学抛光只能去除一定限度的表面损伤层。

囮学机械抛光：在一定压力及抛光浆料存在下在抛光液中的腐蚀介质作用下，工件表面形成一层软化层抛光液中的磨粒对工件上的软囮层进行磨削，因而在被研磨的工件表面形成光洁表面

优点：（1）避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤

（2）避免单纯化学抛光易造成嘚抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点

(化学抛光)氧化铬抛光：速度快，工艺较易掌握但抛光损伤层较厚

（化学机械抛光）硅膠化学机械抛光：利用二氧化硅胶体或者近胶体状溶液进行抛光，是抛光损伤层最小的一种方法

18、解释晶体硅中缺陷和深能级杂质对电池效率的影响