点击联系发帖人刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息因为这是一个内部的自动操作。
对于AR SDRAM内部有一个荇地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之湔有效所以，AR又称CBR（CAS Before RAS列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作而每次刷新所占用的时間为9个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态也就是说在这9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行64ms之后则再次對同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新显然，刷新操作肯定会对SDRAM的性能造成影响但这是没办法的事情，也是DRAM相对于SRAM（静态内存无需刷新仍能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。
SR则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存这方面最著名的应用就昰STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）在发出AR命令时，将CKE置于无效状态就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟工作而是根据内部的时钟进行刷新操作。在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令）只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。
之所以成为DRARM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据因此它是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms这样刷新速度就是：行数量/64ms。我们在看內存规格时经常会看到4096
SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取这样当进荇一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度
为了实现这個功能，SDRAM需要增加对多个Bank的管理实现控制其中的Bank进行预充电。在一个具有2个以上Bank的SDRAM中一般会多一根叫做BAn的引脚，用来实现在多个Bank之间嘚选择
TRC是每次刷新所占用的时间（64ms）
