铜锌锡硒光伏材料及硒化铟/二硫囮钼二维异质结光电材料的研究 |
1.2 光伏材料介绍 |
1.2.1 光伏材料发展 |
1.2.2 新型光伏材料 |
1.3 铜锌锡硫硒(CZTSSe)光伏材料 |
1.3.4 高效CZTSSe太阳能电池面临问题 |
1.4 二维光电材料 |
1.4.2 二维二硫化钼(MoS_2) |
1.4.4 二维材料异质结 |
1.5 论文研究内容和章节安排 |
第二章 实验技術及表征测试手段 |
2.1 实验试剂及前驱体材料 |
2.2 制备样品过程中主要实验技术 |
2.2.1 电化学沉积 |
2.2.2 双温区硒化退火装置 |
2.2.3 二维材料转移技术 |
2.3 制备器件过程中主要实验技术 |
2.3.1 光刻蚀技术 |
2.3.2 电子束刻蚀技术 |
2.4 样品表征技术 |
2.4.2 拉曼散射譜 |
2.5 光电器件测试平台 |
第三章 CZTSe薄膜的制备及表征 |
3.2 电化学沉积后硒化法制备CZTSe薄膜 |
3.2.1 循环伏安法测定Cu-Zn-Sn沉积电位 |
3.2.2 恒电位法淛备Cu-Zn-Sn合金薄膜并硒化 |
3.3 溶胶-凝胶后硒化法制备CZTSe薄膜 |
3.3.1 Mo衬底温度对CZTSe薄膜的影响 |
3.3.2 纯净CZTSe薄膜的硒化衬底温度 |
3.4 溶胶-凝胶后硒囮法制备CZTSSe薄膜 |
第四章 光与二维半导体异质结的相互作用 |
4.2 随机转移法制备二维半导体异质结 |
4.2.1 随机转移二维材料工艺 |
4.2.2 衬底温度对二维材料附着力的影响 |
4.2.3 随机转移法制备MoS_2/In Se二维半导体异质结 |
4.3 二维半导体异质结中拉曼强度增强和减弱效应 |
4.4 二维半導体异质结中拉曼强度变化理论模拟 |
4.4.1 光在二维半导体异质结中多重折射和反射模型 |
4.4.3 随厚度变化的In Se/MoS_2异质结中拉曼散射强度汾析 |
4.5 光在二维半导体异质结中的分布与吸收 |
4.5.1 光在二维半导体异质结中的分布 |
4.5.2 光在二维半导体异质结中的吸收 |
第五章 基于二维In Se/MoS_2异质结的光电探测器 |
5.2 基于二维材料的光电探测器机理及参数 |
5.2.1 光电探测器机理 |
5.2.2 光电探测器重要参数 |
5.3.3 In Se/MoS_2異质结光电探测器的光电流分布及原因 |
第六章 论文总结及展望 |
6.2 论文创新点 |
1.1 理论模型及参数 |
1.2 光在二维半导体异质结中的分布 |
1.3 光在二维半导体异质结中的吸收 |
1.4 光在二维半导体异质结中的散射 |
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