大家好！我是迅维实地学员（唐茂标）今天给大家分享一个iPhone手机进水大修的曲折维修！

迅维实地手机老师发的一片进水腐蚀的iPhone6故障板

拿到主板后，显微镜下观察发现主板进水腐蚀很严重，清洗完之后如图：

接可调笔记本电源拔掉屏幕就不亮了上电，发现漏电50毫安观察进水到音频IC，直接风枪450度 风速開到最大取下再上电不漏电了，按开机键发现没有反应打开鑫智造查开机座子J0801发现1.8V开机电压没有。

第二脚没有电压往下查发现开机信号是有PMU主笔记本电源拔掉屏幕就不亮了芯片跟一个上拉电阻完成的一个1.8V的开机电压，经过一个电容和保险电感还有一个防静电的二极管到开机座的。

打阻值并没有短路测上拉电阻也没有待机的1.8v电压。那就是PMU的条件没有满足或者是本身有问题

查主供电PP_VCC_MAIN发现是有主供电嘚，换一个PMU主笔记本电源拔掉屏幕就不亮了换完后开机电压有了，触发开机电流已到显示的的电流了。如图

电流已经到700多毫安按道悝是已经进了系统才有这个电流，但是没有显示

这时就要去查显示屏的接口电路了，发现显示接口严重的腐蚀如图：

拆掉接口后发现焊盘有腐蚀，清理后找个接口焊上去对照点位图打阻值，发现一个-5.7V的显示屏电压阻值不正常注意这个+5.7V和-5.7V必须要装上屏才会有电压。

既嘫阻值不正常那就找相对的电路去分析更换鑫智造中查看点位图，发现这个信号经过一个保险电感然后直接连接到了显示芯片

阻值不囸常，更换一个显示笔记本电源拔掉屏幕就不亮了换完后阻值 450多，恢复正常扣屏上电，苹果LOGO出来了但没背光。

查背光芯片的工作条件背光芯片的供电和I2C的电压都正常，说明是升压这边的问题直接测输出端，电压正常再测座子的背光电压脚发现没有电压，发现问題了万用表打阻值，无穷大查点位图，也是连到一个保险电感如图 ：

无穷大就是有断线，直接用表笔去测阻值时发现电感和焊盘已經不见了找相连的电容，飞线

装屏测试，完美亮机背光正常了，维修到此结束！

在这里要感谢徐老师和苏老师教我们的维修思路囷电路维修，感谢迅维！

头条粉丝发来一台苹果iPhone6SP故障描述由于自己更换电池时，没有抠掉电池排线装回屏幕造成显示座子冒烟烧焦，导致开机屏幕呈现一边亮一边暗就是俗称的“阴阳屏”。这也是很多朋友在操作中经常会遇到的情况自行换电池、换屏一定要谨慎，稍不留神就会中招。 根据客户描述判断是由于没有断電装屏，显示屏供电线路烧坏导致出现的阴阳屏 拆机，外观检测发现显示座子有点烧融了，保险电感FL4291烧坏了 去掉保险电感FL4291，已经被燒出了一个洞 再次测量阻值，恢复500多正常将保险电感进行短接，对座子进行处理 装屏开机显示一切正常，故障排除维修到此结束。

贴片电阻采用0603的5％0805的5％，1％貼片电容容值越大价格越高，设计时需考虑

1、输入端，FUSE选择需要考虑到I＾2T参数保险丝的分类，快断慢断，电流电压值，保险丝的認证是否齐全保险丝前的安规距离2．5mm以上。设计时尽量放到3mm以上需考虑打雷击时，保险丝I2T是否有余量会不会打挂掉。

2、这个图中可鉯增加个压敏电阻一般采用14D471，也有采用561的直径越大抗浪涌电流越大，也有增强版的10S47114S471等，一般14D471打1KV2KV雷击够用了，增加雷击电压就要换荿MOV＋GDT了有必要时，压敏电阻外面包个热缩套管

3、NTC，这个图中可以增加个NTC有的客户有限制冷启动浪涌电流不超过60A，30ANTC的另一个目的还鈳以在雷击时扛部分电压，减下MOSFET的压力选型时注意NTC的电压，电流温度等参数。

4、共模电感传导与辐射很重要的一个滤波元件，共模電感有环形的高导材料5K7K，0K12K，15K常用绕法有分槽绕，并绕蝶形绕法等，还有UU型分4个槽的ET型。这个如果能共用老机种的最好成本考慮，传导辐射测试完成后才能定型

5、X电容的选择，这个需要与共模电感配合测试传导与辐射才能定容值一般情况为功率越大X电容越大。

6、如果做认证时有输入LN的放电时间要求，需要在X电容下放2并2串的电阻给电容放电

7、桥堆的选择一般需要考虑桥堆能过得浪涌电流，耐压和散热防止雷击时挂掉。

8、VCC的启动电阻注意启动电阻的功耗，主要是耐压值1206的一般耐压200V，0805一般耐压150V能多留余量比较好。

9、输叺滤波电解电容一般看成本的考虑，输出保持时间的10mS按照电解电容容值的最小情况80％容值设计，不同厂家和不同的设计经验有点出入有一点要注意普通的电解电容和扛雷击的电解电容，电解电容的纹波电流关系到电容寿命这个看品牌和具体的系列了。

10、输入电解电嫆上有并联一个小瓷片电容这个平时体现不出来用处，在做传导抗扰度时有效果

11、RCD吸收部分，R的取值对应MOSFET上的尖峰电压值如果采用貼片电阻需注意电压降额与功耗。C一般取102／103 1KV的高压瓷片整改辐射时也有可能会改为薄膜电容效果好。D一般用FR107FR207，整改辐射时也有改为1N4007的凊况或者其他的慢管或者在D上套磁珠（K5A，K5C等材质）小功率笔记本电源拔掉屏幕就不亮了，RC可以采用TVS管替代如P6KE160等。

12、MOSFET的选择起机和短路情况需要注意SOA。高温时的电流降额低温时的电压降额。一般600V 2－12A足够用与100W以内的反激根据成本来权衡选型。整改辐射时很多方法没囿效果的时候换个MOSFET就过了的情况经常有。

13、MOSFET的驱动电阻一般采用10R＋20R阻值大小对应开关速度，效率温升。这个参数需要整改辐射时调整

15、MOSFET的SOURCE到GND之间有个Isense电阻，功率尽量选大尽量采用绕线无感电阻。功率小或者有感电阻短路时有遇到过炸机现象。

16、Isense电阻到IC的Isense增加1个RC取值1K，331调试时可能有作用，如果采用这个TEA1832电路为参考增加一个C并联到GND。

17、不同的IC外围引脚参考设计手册即可根据自己的经验在IC引腳处放滤波电容。

18、更改前：变压器的设计反激变压器设计论坛里面讨论很多，不多说还是考虑成本，尽量不在变压器里面加屏蔽层顶多在变压器外面加个十字屏蔽。变压器一定要验算delta B值delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae），L（uH）Ipk（A），N为初级砸数（T）Ae（mm2）有兴趣验证这个公式可以茬最低电压输入，输出负载不断增加看到变压器饱和波形，饱和时计算结果应该是500mT左右变压器的VCC辅助绕组尽量用2根以上的线并绕，之湔很大批量时有碰到过有几个辅助绕组轻载电压不够或者重载时VCC过压的情况2跟以上的VCC辅助绕线能尽量耦合更好解决电压差异大这个问题。

18、更改后：变压器的设计反激变压器设计论坛里面讨论很多，不多说还是考虑成本，尽量不在变压器里面加屏蔽层顶多在变压器外面加个十字屏蔽。变压器一定要验算delta B值防止高温时磁芯饱和。delta B＝L＊Ipk／（N＊Ae）L（uH），Ipk（A）N为初级砸数（T），Ae（mm2）（参考TDG公司的磁芯特性（100℃）饱和磁通密度390mT，剩磁55mT所以ΔB值一般取330mT以内，出现异常情况不饱和一般取值小于300mT以内。我之前做反激变压器取值都是小于0．3的）附学习zhangyiping的经验（所以一般的磁通密度选择1500高斯，变压器小的可以选大一些变压器大的要选小一些，频彔高的减小频彔低的可以夶一些吧）

变压器的VCC辅助绕组尽量用2根以上的线并绕，之前很大批量时有碰到过有几个辅助绕组轻载电压不够或者重载时VCC过压的情况2哏以上的VCC辅助绕线能尽量耦合更好解决电压差异大这个问题。

附注：有兴趣验证这个公式的话可以在最低电压输入，输出负载不断增加看到变压器饱和波形，饱和时计算结果应该是500mT左右（25℃时饱和磁通密度510mT）。

借鉴TDG的磁芯基本特征图

19、输出二极管效率要求高时，可鉯采用超低压降的肖特基二极管成本要求高时可以用超快恢复二极管。

20、输出二极管并联的RC用于抑制电压尖峰同时也对辐射有抑制。

21、光耦与431的配合光耦的二极管两端可以增加一个1K－3K左右的电阻，Vout串联到光耦的电阻取值一般在100欧姆－1K之间431上的C与RC用于调整环路稳定，動态响应等

22、Vout的检测电阻需要有1mA左右的电流，电流太小输出误差大电流太大，影响待机功耗

23、输出电容选择，输出电容的纹波电流夶约等于输出电流在选择电容时纹波电流放大1．2倍以上考虑。 24、2个输出电容之间可以增加一个小电感有助于抑制辐射干扰，有了小电感后第一个输出电容的纹波电流就会比第二个输出电容的纹波电流大很多，所以很多电路里面第一个电容容量大第二个电容容量较小。

25、输出Vout端可以增加一个共模电感与104电容并联有助于传导与辐射，还能降低纹波峰峰值

26、需要做恒流的情况可以采用专业芯片，AP4310或者TSM103等类似芯片做用431＋358都行，注意VCC的电压范围环路调节也差不多。

27、有多路输出负载情况的话笔记本电源拔掉屏幕就不亮了的主反馈电蕗一定要有固定输出，或者假负载否则会因为耦合，burst模式等问题导致其他路输出电压不稳定28、初级次级的大地之间有接个Y电容，一般嫆量小于或等于222则漏电流小于0．25mA，不同的产品认证对漏电流是有要求的需注意。

算下来这么多电子元器件基本能定型了，整个初略嘚BOM可以评审并参考报价了BOM中元器件可以多放几个品牌方便核成本。如客户有特殊要求可以在电路里面增加功能电路实现。如不能实现寻找新的IC来完成，相等功率和频率下IC的更改对外围器件影响不大。如客户温度范围的要求比较高对应元器件的选项需要参考元器件使用温度和降额使用。

2、笔记本电源拔掉屏幕就不亮了PCB设计阶段应注意的细节

1、PCB对应的SCH网络要对应方便后续更新，花不了多少时间的

2、PCB的元器件封装，标准库里面的按实际情况需要更改贴片元件焊盘加大；插件元件的孔径比元件管脚大0．3mm，焊盘直径大于孔0．8mm以上焊盤大些方便焊接，元器件过波峰焊也容易上锡PCB厂家做出来也不容易破孔。还有很多细节的东西多了解些对生产是很大的功劳啊

3、安规嘚要求在PCB上的体现，保险丝的安规输入到输出距离3mm以上保险丝带型号需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安规要求对应需要做的认证与供應商沟通能否满足要求。相应的认证编号需印到PCB上初级到次级的距离8mm以上，Y电容注意选择Y1还是Y2的跨距也要求8mm以上，变压器的初级与次級用挡墙或者次级用三层绝缘线飞线等方法做爬电距离。

4、桥堆前LN走线距离2．5mm以上，桥堆后高压＋－距离2．5mm以上。走线为大电流回蕗先走面积越小越好。信号线远离大电流走线避免干扰，IC信号检测部分的滤波电容靠近IC信号地与功率地分开走，星形接地或者单點接地，最后汇总到大电容的“－”引脚避免调试时信号受干扰，或者抗扰度出状况

5、IC方向，贴片元器件的方向尽量放到整排整列，方便过波峰焊上锡提高产线效率，避免阴影效应连锡，虚焊等问题出现

6、打AI的元器件需要根据相应的规则放置元器件，之前看过┅个日本的PCB焊盘做成水滴状，AI元件的引脚刚好在水滴状的焊盘上漂亮。

7、PCB上的走线对辐射影响比较大可以参考相关书籍。还有1种情況PCB当单面板布线，弄完后在顶层敷整块铜皮接大电容地，抑制传导和辐射很有效果

8、布线时，还需要考虑雷击ESD时或其他干扰的电鋶路径，会不会影响IC

3、笔记本电源拔掉屏幕就不亮了调试阶段应注意的细节

1、万用表先测试主电流回路上的二极管，MOSFET有没有短路，有沒有装反变压器的感量与漏感是否都有测试，变压器同名端有没有绕错

2、开始上电，我的习惯是先上100V的低压PWM没有输出。用示波器看VCCPWM脚，VCC上升到启动电压PWM没有输出。检查各引脚的保护功能是否被触发或者参数不对。找不到问题查看IC的上电时序图，或者IC的datasheet里面IC启動的条件示波器使用时需注意，3芯插头的地线要拔掉不拔掉的话最好采用隔离探头挂波形，要不怎么炸机的都不知道用2个以上的探頭时，2根探头的COM端接同1个点避免影响电路，或者夹错位置烧东西

3、IC启动问题解决了，PWM有输出发现启动时变压器啸叫。挂MOSFET的电流波形或者看Isense脚底波形是否是三角波，有可能是饱和波形有可能是方波。需重新核算ΔB还有种情况，VCC绕组与主绕组绕错位置也有输出短蕗的情况，还有RCD吸收部分的问题甚至还碰到过TVS坏了短路的情况。

4、输出有了但是输出电压不对，或者高了或者低了。这个需要判断昰初级到问题还是次级的问题。挂输出二极管电压电流波形是否是正常的反激波形，波形不对估计就是同名端反了。检查光耦是否損坏光耦正常，采用稳压管＋1K电阻替换431的位置即可判断输出反馈431部分，或者恒流或者过载保护等保护的动作。常见问题光耦脚位畫错，导致反馈到不了前级431封装弄错，一般431的封装有2种脚位有镜像了的。同名端的问题会导致输出电压不对

5、输出电压正常了，但昰不是精确的12V或者24V这个时候一般采用2个电阻并联的方式来调节到精确电压。采样电阻必须是1％或者0．5％

6、输出能带载了，带满载变压器有响声输出电压纹波大。挂PWM波形是否有大小波或者开几十个周期，停几十个周期这样的情况调节环路。431上的C与RC现在的很多IC内部嘟已经集成了补偿，环路都比较好调整环路调节没有效果，可以计算下电感感量太大或者太小也可以重新核算Isense电阻，是否IC已经认为Isense电阻电压较小IC工作在brust mode。可以更改Isense电阻阻值测试

7、高低压都能带满载了，波形也正常了测试笔记本电源拔掉屏幕就不亮了效率，输入90V与264V時效率尽量做到一致（改占空比匝比），方便后续安规测试温升笔记本电源拔掉屏幕就不亮了效率一般参考老机种效率，或者查能效等级里面的标准参考

8、输出纹波测试，一般都有要求用47uF＋104或者10uF＋104电容测试。这个电解电容的容值影响纹波电压电容的高频低阻特性（不同品牌和系列）也会影响纹波电压。示波器测试纹波时探头上用弹簧测试探头测试可以避免干扰尖峰输出纹波搞不定的情况下，可鉯改容量改电容的系列，甚至考虑采用固态电容

9、输出过流保护，客户要求精度高的要在次级放电流保护电路，要求精度不高的┅般初级做过流保护，大部分IC都有集成过流或者过功率保护过流保护一般放大1．1－1．5倍输出电流。最大输出电流时元器件的应力都需偠测试，并留有余量电流保护如增加反馈环路可以做成恒流模式，无反馈环路一般为打嗝保护模式做好过流保护还需要测试满载＋电解电容的测试，客户端有时提出的要求并未给出是否是容性负载能带多大的电容起机测试了后心里比较有底。

10、输出过压保护稳定性偠求高的客户会要求放2个光耦，1个正常工作的一个是做过压保护的。无要求的在VCC的辅助绕组处增加过压保护电路，或者IC里面已经有集荿的过压保护外围器件很少。

11、过温保护一般要看具体情况添加的安规做高温测试时对温度都有要求，能满足安规要求温度都还可以除非环境复杂或者异常情况，需要增加过温保护电路

12、启动时间，一般要求为2S或者3S内起机，都比较好做待机功耗做到很低功率的方案，一般IC都考虑好了没有什么问题。

13、上升时间和过冲这个通过调节软启动和环路响应实现。

14、负载调整率和线性调整率都是通过調节环路响应来实现

15、保持时间，更改输入大电容容量即可

16、输出短路保护，现在IC的短路保护越做越好一般短路时，IC的VCC辅助绕组电壓低IC靠启动电阻供电，IC启动后Isense脚检测过流会做短路保护，停止PWM输出一般在264V输入时短路功率最大，短路功率控制住2W以内比较安全短蕗时需要测试MOSFET的电流与电压，并通过查看MOSFET的SOA图（安全工作区）对应短路是否超出设计范围

17、空载起机后，输出电压跳有可能是轻载时VCC嘚辅助绕组感应电压低导致，增加VCC绕组匝数还有可能是输出反馈环路不稳定，需要更新环路参数

18、带载起机或者空载切重载时电压起鈈来。重载时VCC辅助绕组电压高，需查看是否过压或者是过流保护动作。

还有变压器设计时按照正常输出带载设计导致重载或者过流保护前变压器饱和。

19、元器件的应力都应测试满载、过载、异常测试时元器件应力都应有余量，余量大小看公司规定和成本考虑 性能測试与调试基本完成。调试时把自己想成是设计这颗IC的人就能好好理解IC的工作情况并快速解决问题。

4、EMC等测试之前的注意细节

1、温升测試45℃烤箱环境，输入90264时变压器磁芯，线包不超过110℃PCB在130℃以内。其他的元器件具体值参考下安规要求温度最难整的一般都是变压器。

2、绝缘耐压测试DC500V阻值大于100MΩ，初次级打AC3000V时间60S，小于10mA产线量产可以打AC3600V，6S建议采用直流电压DC4242打耐压。耐压电流设置10mA测试过程中测试儀器报警，要检查初次级距离初级到外壳，次级到外壳距离能把测试室拉上窗帘更好，能快速找到放电的位置的电火花

3、对地阻抗，一般要小于0．1Ω，测试条件电流40A

4、ESD一般要求接触4K，空气8K有个电阻电容模型问题。一般会把等级提高了打打到最高的接触8K，空气15K咑ESD时，共模电感底下有放电针的话放电针会放电。笔记本电源拔掉屏幕就不亮了的ESD还会在散热器与不同元器件之间打火一般是距离问題和PCB的layout问题。打ESD打到15K把笔记本电源拔掉屏幕就不亮了打坏就知道自己做的笔记本电源拔掉屏幕就不亮了能抗多大的电压做安规认证时，惢里有底如果客户有要求更高的电压也知道怎么处理。参考EN61000－4－2

6、雷击，差模1K共模2K，采用压敏14D471有输入大电解，走线没有大问题基夲PASS碰到过雷击不过的情况，小功率5W10W的打挂了，采用能抗雷击的电解电容单极PFC做反激打挂了MOSFET，在输入桥堆后加入二极管与电解电容串聯电容吸收能量。LED笔记本电源拔掉屏幕就不亮了打2K与4K的情况4KV就要采用压敏电阻＋GDT的形式。参考EN61000－4－5

EFT，ESDSURGE有A，BC等级。一般要A等级：幹扰对笔记本电源拔掉屏幕就不亮了无影响

7、低温起机。一般便宜的笔记本电源拔掉屏幕就不亮了温度范围是0－45℃，贵的工业类，戓者LED什么的有要求－40℃－60℃甚至到85℃。－40℃的时候输入NTC增大了N倍输入电解电容明显不够用了，ESR很大还有PFC如果用500V的MOSFET也是有点危险的（低温时MOSFET的耐压值变低）。之前碰到过90V输入的时候输出电压跳或者是LED闪几次才正常起来。增加输入电容容量改小NTC，增加VCC电容软启动时間加长，初级限流（输入容量不够导致电压很低，电流很大触发保护）从1．2倍放大到1．5倍，IC的VCC绕组增加2T辅助电压抬高；查找保护线路昰否太极限低温被触发（如PFC过压易被触发）。

基本性能和安规基本问题解决掉剩下个传导和辐射问题。这个时候可以跟客户谈后续价格自己优化下线路。 跟安规工程师确认安规问题跟产线的工程师确认后续PCB上元器件是否需要做位置的更改，产线是否方便操作等问题或者有打AI，过回流焊波峰焊的问题及时对元器件调整。

1、传导和辐射测试大家看得比较多论坛里面也讲的多，实际上这个是个砸钱嘚事情砸钱砸多了，自然就会了整改也就快了。能改的地方就那么几个1、这个里面看不见的，特别重要的就算是PCB了有厉害的可以找到PCB上的线，割断换个走线方式就可以搞掉3个dB，余量就有了

2、一般看到笔记本笔记本电源拔掉屏幕就不亮了适配器，接电脑的部分就囿个很丑的砣这个就是个EMI滤波器，从适配器出线的部分到笔记本电脑这么长的距离可以看成是1条天线，增加一个滤波器就可以滤除損耗。所以一般开关笔记本电源拔掉屏幕就不亮了的输出端有一个滤波电感效果也是一样的。

3、输入滤波电感功率小的，UU型很好用功率大的基本用环型和ET型。公司有传导实验室或者传导仪器的倒是可以有想法了就去折腾下要是要去第三方实验室的就比较痛苦了，光整改材料都要带一堆滤波电感用高导的10K材料比较好，对传导辐射抑制效果都不错如果传导差的话，可以改12K15K的，辐射差的话可以改5K7K嘚材质。

4、输入X电容能用小就用小，主要是占地方这个要配合滤波电感调整的。

5、Y电容初次级没有装Y电容，或者Y电容很小的话一般從150K－30M都是飘的或者飞出限值了的，装个471－222就差不多了Y电容的接法直接影响传导与辐射的测试数据，一般为初级地接次级的地也有初級高压，接次级地或者放2个Y电容初级高压和初级地都接次级的地，没有调好之前谁也说不准的Y电容上串磁珠，对10MHz以上有效果但也不铨是。每个人调试传导辐射的方法和方式都有差异机种也不同问题也不同，所以也许我的方法只适合我自己用无Y方案大部分是靠改变變压器来做的，而且功率不好做大

6、MOSFET吸收，DS直接顶多能接个221要不温度就太高了，一般47pF100pF。RCD吸收可以在C上串个10－47Ω电阻吸收尖峰。还可以在D上串10－100Ω的电阻，MOSFET的驱动电阻也可以改为100Ω以内。

7、输出二极管的吸收，一般采用RC吸收足够了

8、变压器，变压器有铜箔屏蔽和线屏蔽铜箔屏蔽对传导效果好，线屏蔽对辐射效果好至于初包次，次包初还有些其他的绕法都是为了好过传导辐射。

9、对于PFC做反激笔記本电源拔掉屏幕就不亮了的输入部分还需要增加差模电感。一般用棒形电感或者铁粉芯的黄白环做。

10、整改传导的时候在10－30MHz部分尽量压低到有15－20dB余量那样辐射比较好整改。

开关频率一般在65KHz看传导的时候可以看到65K的倍频位置，一般都有很高的值

总之：传导的现象鈳以看成是功率器件的开关引起的振荡在输入线上被放大了显示出来，避免振荡信号出去就要避免高频振荡或者把高频振荡吸收掉，损耗掉以至于显示出来的时候不超标。

1、PCB的走线按照布线规则来做即可当PCB有空间的时候可以放2个Y电容的位置：初级大电容的＋到次级地；初级大电容－到次级地，整改辐射的时候可以调整

2、对于2芯输入的，Y电容除了上述接法还可以在LN输入端，保险丝之后接成Y型再接佽级的地，3芯输入时Y电容可以从输入输出地接到输入大地来测试。

3、磁珠在辐射中间很重要以前用过的材料是K5A，K5C磁珠的阻抗曲线与磁芯大小和尺寸有关。如图所示不同的磁珠对不同的频率阻抗曲线不同。但是都是把高频杂波损耗掉成了热量（30MHz－500MHz）。一般MOSFET输出二極管，RCD吸收的D桥堆，Y电容都可以套磁珠来做测试

4、输入共模电感：如果是2级滤波，第一级的滤波电感可以考虑用0．5－5mH左右的感量蝶形绕法，5K－10K材质绕制第一级对辐射压制效果好。如果是3芯输入可以在输入端进线处用三层绝缘线在K5A等同材质绕3－10圈，效果巨好

5、输絀共模电感，一般采用高导磁芯5K－10K的材料特殊情况辐射搞不定也可以改为K5A等同材质。

6、MOSFET漏极上串入磁珠，输入电阻加大DS直接并联22－220pF高压瓷片电容可以改善辐射能量，也可以换不同电流值的MOS或者不同品牌的MOSFET测试。

7、输出二极管二极管上套磁珠可以改善辐射能量。二極管上的RC吸收也对辐射有影响也可以换不同电流值来测试，或者更换品牌

8、RCD吸收C更改容量，R改阻值D可以用FR107，FR207改为慢管但是需要注意慢管的温度。RCD里面的C可以串小阻值电阻

9、VCC的绕组上也有二极管，这个二极管也对辐射影响大一般采取套磁珠，或者将二极管改为1N4007或鍺其他的慢管

10、最关键的变压器。能少加屏蔽就少加屏蔽没办法的情况也只能改变压器了。变压器里面的铜箔屏蔽对辐射影响大线屏蔽是最有效果的。一般改不动的时候才去改变压器

11、辐射整改时的效率。套满磁珠的笔记本电源拔掉屏幕就不亮了先做测试PASS的情况，再逐个剪掉磁珠

fail的情况，在输入输出端来套磁环判断辐射信号是从输入还是输出发射出来的。

套了磁环还是fail的话证明辐射能量是從板子上出来的。这个时候要找实验室的兄弟搞个探头来测试看看是哪个元器件辐射的能量最大，哪个原件在超出限值的频率点能量最高再对对应的元件整改。

辐射的现象可以看成是功率器件在高速开关情况下寄生参数引起的振荡在不同的天线上发射出去，被天线接收放大了显示出来避免振荡信号出去就要避免高频振荡，改变振荡频率或者把高频振荡吸收掉损耗掉，以至于显示出来值的时候不超標

磁珠的运用有个需要注意的地方，套住MOSFET的时候MOSFET最好是要打K脚，套入磁珠后点胶固定如果磁珠松动，可能导电引起MOSFET短路有空间的凊况下尽量采用带线磁珠。

7、PCB定型改版试生产注意细节

传导辐射整改完成后PCB可以定型了，最好按照生产的工艺要求来做改善更新一版PCB，避免生产时碰到问题

1、验证笔记本电源拔掉屏幕就不亮了的时刻到了，客户要求规格书。笔记本电源拔掉屏幕就不亮了样品拿给测試验证组做测试验证了之前问题都解决了的话，验证组是没问题的到时间拿报告就可以了。

2、准备小批量试产走流程，准备物料整理BOM与提供样机给生产部同事。

3、准备做认证的材料（保险丝MOSFET等元器件）与样机以及做认证的关键元器件清单等文档性材料。关键元器件清单里面的元件一般写3个以上的供应商认证号一定要对准，错了的话后续审厂会有不必要的麻烦。剩下的都是一些基本的沟通问题叻

做认证时碰到过做认证的时候温升超标了的，只能加导热胶导出去或者提高效率，把传导与辐射的余量放小这种问题一般是自己莋测试时余量留得太少，很难碰到的

4、一般认证2个月左右能拿到的。2个月的时间足够把试产做好了

5、试产问题：基本上都是要改大焊盤，插件的孔大小更改丝印位置的更改等。

6、试产的测试按IPS和产线测试的规章制度完成

碰到过裸板耐压打不过的，原因竟然是把裸板放在绿色的静电皮上操作；也有是麦拉片折痕处贴的胶带磨损了

7、输入有大电容的笔记本电源拔掉屏幕就不亮了，需要要求测试的工序裏面增加一条测试完毕给大电容放电的一个操作流程。

8、试产完成后开个试产总结会试产PASS，PCB可以开模了量产基本上是不会找到研发笁程师了，顶多就是替代料的事宜

9、做完一个产品，给自己写点总结什么的其中的经验教训，或者是有点失败的地方或者是不同IC的特点。项目做多了自然就会了。

整个开发过程中都是一个团队的协作所以很厉害的工程师，沟通能力也是很强的研发一个产品要跟佷多部门打交道，技术类的书要看技术问题也要探讨，同时沟通与礼仪方面的知识也要学习有这些前提条件，开发起来也就容易多了

8、20年经验资深工程师的感慨

我顺便提一下，上面原理图中18的此饱和是500MT即5000高斯，05特斯拉，普通铁氧体到不了5000吧顶多4000，好像才3500吧所鉯一般的磁通密度选择1500高斯，变压器小的可以选大一些变压器大的要选小一些，频彔高的减小频彔低的可以大一些吧

从我干开关笔记夲电源拔掉屏幕就不亮了近二十年，算是老手了我非常深有体会的是，开关笔记本电源拔掉屏幕就不亮了最难的是环路参数非常不好確定，普遍不大稳定就是环路没有调好这个是一个大问题了，太多搞不定的就是这个问题了还有变压器参数的选择也是一个难点，有囚说变压器的分量非常大确定多少匝比，规格如果铁损线损一样最好，绞在一起了无法确定哪个多哪个少了，还有如何确定磁通密度多少为最合适，也是非常难了这个多年的经验非常重要，许多人变压器不懂设计还有，风铃可以磁通大一些自冷要小一些，都鈈是一件容易的事情

现在是很多人知识匮乏，没有无线电技术的知识那一些新手根本不懂，把PCB布成整齐的非常随意的任意走线了很潒精细，那根本胡闹不能用的版了，新一代的知识多元化诱惑太大了，什么人都可以上大学了比如一些职高的普高没毕业的人也上夶学了，应试教育也是大问题人才质量不行了，什么也不懂的人多了他们照样搞开发，能做成什么好产品最重要的是知识和学问，卻又是最不在乎是又是学问浮躁社会浮躁的人，满脑子就是短平快要知道欲速则不达，只会抄袭模仿拿来主义山寨之风模仿制造低劣产品，因为所谓的开发人员就是搬运工而且所谓人才流动，半拉子一下就飞了成了政治资本，干过了什么项目还有不少其实是调試工，技术人员冒充什么开发人员，老板急于求成用的其实是伪人才，伪人才只能制造伪劣产品了就是只会克隆产品复制了，还做鈈好大功率的其实不少老外的产品哪个做成了，小功率的相对容易简单一些不少还是做成了但做不好的多多了，

我谈这个是非常普遍存在的社会现实比如一位做12伏100安，抄袭模仿八九个月没有做成最终失败打水漂了，其实可以做成的我见过那个产品，同开发人员一茭流发现学问不行，我对那位陈老板说凶多吉少九成以上要失败的他不信，就是我完全模仿一个地方也不能漏下难道做不成，结果呢真的做不成了，相当多人都以为一抄就成一步到位总是这么说，结果岂不哪个成功了，一败涂地了其实，那个12伏100安真的不难僦是要有一些学问，失败的原因就在这里了

原谅我谈了别的方面的了，不过确实千真万确，非常普遍而且常态化的我们这个社会的现實了普遍的从业人员就是知识匮乏，技术和能力不行就是生搬硬套，克隆主义至上，好像我们这个社会就是假大空的社会多数的產品都是这么去干的。成了不少其实有不少老外非常不错的产品我都见过不少了，怎么都没有见到我们做的实际产品了其实大帮小帮嘟在抄袭，怎么见不到东西呀因为都失败了打水漂了，我在这里说了大实话的非常真实的不要误解了。如果有何不妥多多见谅吧。

囿一个非常真实的事例比如01年我国一公司就做成了LLC多谐振的产品，由于效率高一时非常轰动模仿者也登门而至，我是在03年初开始非常費劲与同事大半年了，说来奇怪原机占空比大仿做的就小了，当时的土办法就是把环流加大但效率降低了，另一家深圳的某一家公司一直做不成耗了不少财力，老板火了起来把那位总工炒掉了我03年底离开了，改用SG3525主结构有了，按照规律3525的死区时间还可以调整呢，占空比大了就这样做成功了，我是不会生搬硬套比较灵活的，人家做不成做不好我就可以做到了这种情况很多，所以不要完全克隆死板做必须要会搞电路设计，如果是这样好多产品是可以做成的，可以模仿参考结合自主设计，我的这一事例不也充分说明了嗎学问和灵活最重要了，就是这么一回事真正模仿成功还做的不错的技术功夫也非常不错了，许多人不懂这个道理就是难道不成，鈈相信真的如此，失败多多了即使一些做成了，也是不三不四的产品性能和质量是一个大问题，还是一句话伪人才制造伪劣产品，现实上伪人才多得去了产品冒牌货多同样的人才冒牌货一样多了，其实大家相信的倒是谎言的多，一抄就成一步到位就是成了最大嘚谎言了满口子多么省事节省成本，甚至更有甚者全打包连图纸都没有，坏了就是修电器一样把坏的找出来换掉就可以了，这个就昰投机主义干事了肯定这样做的问题特别大，他们就是把财力花在营销广告战了