则室温下该区的平衡多子浓度

）电荷。内建电场的方向

型耗尽区中的泊松方程为（

由此方程可以看出，掺杂浓

度越高则内建电场的斜率越（

结的掺杂浓度越高，则勢垒区的长度就越（

内建电场的最大值就越（

，在室温下的典型值为（

结外加正向电压时其势垒区宽度会（

，势垒区的势垒高度会（

結外加反向电压时其势垒区宽度会（

，势垒区的势垒高度会（

型中性区与耗尽区的边界上少子浓度

中性区与耗尽区边界上的少子浓度仳该处的平衡少子浓度

结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（

结的正向电流很大是因为正向电鋶的电荷来源是（

因为反向电流的电荷来源是（

区的非平衡电子一边向前扩散，一边（

每经过一个扩散长度的距离非平衡电子浓度降到原来的（

结扩散电流的表达式为（

。这个表达式在正向电压下可简化为

在反向电压下可简化为（

结的正向电流中，当电压较低时以（

）电流为主；当电压较高时，以（

结的某一个或两个中性区的长度小于（

极管中少子浓度的分布近似为（

、小注入条件是指注入某区边堺附近的（

因此该区总的多子浓度中的（

、大注入条件是指注入某区边界附近的（

因此该区总的多子浓度中的（

）电荷随外加电压的变化率。

浓度越高则势垒电容就越（

；外加反向电压越高，则势垒电容就越（

）电荷随外加电压的变化率正向电流越

；少子寿命越长，则擴散电容就越（

结开关管中在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电

引起这个电流的原因是存储在

这个电荷的消失途径有两条

《半导体物理与器件》习题库

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