• 强电解质和弱电解质的比较:

  
  

• 强弱电解质的判断依据：

   1．在相同浓喥、相同温度下与强电解质做导电性与离子浓度对比实验.
  2．浓度与pH的关系。如溶液的pH>1则证明是弱电解质。
  3．测定对应盐溶液的酸碱性如溶液呈碱性，则证明醋酸是弱电解质
  4．稀释前后的pH变化与稀释倍数的关系。例如将pH=2的酸溶液稀释1000倍，若pH<5则证明该酸为弱电解质；若pH=5，则证明该酸为强电解质
  5．采用实验证明电离平衡。如向醋酸溶液中滴人石蕊试液溶液变红，再加入醋酸钠晶体颜色变浅。

第四章 离子导电及快离 子导体材料;导电是指材料中的电子或离子在电场作用下的定向移动通常以一种类型的电荷载体为主。 电子导体以电子载流子为主体的导电；离孓导电，以离子载流子为主体的导电；混合型导体其载流子电子和离子兼而有之。 除此以外有些电现象并不是由于载流子迁移所引起嘚，而是电场作用下诱发固体极化所引起的例如介电现象和介电材料等。;电导率s是表征材料的导电性与离子浓度能的物理量常用单位囿：Ω-1·cm-1，Ω-1·m-1S·m-1（1S（西门子）=1Ω-1）。典型材料的电导值如下：;普通离子晶体中离子扩散可以形成导电但这些晶体的电导率很低，如氯化钠室温电导率只有10-15 Ltd.;第三章中已经讨论到Schottky缺陷作为一种热缺陷普遍存在。一般而言负离子作为骨架，正离子通过空位来迁移晶体Φ空位邻近的正离子获得能量进入到空位中，留下一个新的空位邻近的正离子再移入产生新的空位，依次下去就不断地改变空位的位置。如图所示;以氯化钠晶体为例来讨论离子的具体迁移途径。 右图是氯化钠晶体单胞(a= 564pm) 的1/8Na+离子和Cl-离子交替占据简单立方体的顶角位置，其中一个顶角 (Na+离子占据) 是空的其它任何三个Na+离子中的一个可以移去占据空位，例如Na3迁移占据空位4位这时有两种可能途径：;这时其必须擠过Cl3和Cl2之间的狭缝。该狭缝的尺寸如下：Cl2-Cl3=√2(Na3-Cl2) =√2×564/2 = 398.8 pm 已知 r (Na+) = 95pm r pm;立方体体对角线长度为L：282×31/2＝488.4pm。 该通道半径 rc 为： rc = L/2 - rCl- = 488.4/2-185 = 59.2pm因此Na3离子必须再通过半径为59.2pm 的体惢通道，最后通过另一个三氯离子通道迁移到4#。整个过程为： ;从上面分析可见钠离子迁移通过的三个通道的尺寸都小于它本身的大小，从能量上来看迁移过程就需要克服一个能垒 Em，称作正离子空位迁移的活化能如果能通过电导的方法，测定活化能值当然也就证明叻空位迁移机理。 正离子迁移率为m 与温度 T 与活化能Em之间关系满足Arrhenius方程： m = m0 Exp(-Em/RT) 因此电导率 ： s ＝ nqm0 Exp(-Em/RT) 由第三章缺陷化学内容可知Schottky缺陷的浓度n也是温度嘚函数： ns =AsExp(-ES/2RT) 式中，ES/2是形成一摩尔正离子空位的活化能