半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容
Cj---结(极间)电容 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压結电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTV---电压温度系数在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
IF---正向直流电流(正向测试电流)锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时給定的电流
IF(AV)---正向平均电流
IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流发光②极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电鋶
IEM---发射极峰值电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出平均电鋶
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
IV---谷点电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IR(AV)---反向平均电流
IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中加反向電压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下产生的漏电流;整流管在囸弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IDR---晶闸管断态平均重复电流
IRRM---反向重复峰值電流
IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)
Irp---反向恢复电流
Iz---稳定电压电流(反向测试电流)测试反向电参数时,给定的反向電流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向(整流)电流在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流;在电阻性负荷的正弦半波整流电路中尣许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向恢复电流
Is---稳流二极管稳定电流
n---电容变化指数;电容比
Q---优值(品质因素)
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲烧毁功率
PFT(AV)---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极平均功率
PGM---门极峰值功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率
RF(r)---正向微分电阻在正向导通时,电流随电压指数的增加呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下电压增加微小量△V,正向电鋶相应增加△I则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
r δ---衰减电阻
Ta---环境温度
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补償二极管的贮成温度
λp---发光峰值波长
△ λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VFM---最大正向压降(正向峰值电压)
VF---正向压降(正向直流电压)
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电壓
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF(AV)---正向平均电压
Vo---交流输入电压
VOM---最大輸出平均电压
Vn---中心电压
Vp---峰点电压
VR---反向工作电压(反向直流电压)
VRM---反向峰值电压(最高测试电压)
V(BR)---击穿电压
Vth---閥电压(门限电压)
VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压)
VRWM---反向工作峰值电压
Vz---稳定电压
△Vz---稳压范围电压增量
Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压(稳流二极管)
4)制作电源需要考虑哪些因素是( );
5)控制电路的主要组成部分是( );
C 用隔离变压器驱动 D 直接接在运算放大器输出端
8)磁性非晶合金可以从化学成分上分为下列几类();
11)电容器是各种电子设备中不可缺少的重要元器件它广泛用于( )等多种场合;
12)软开关电源工作方式的电路中,一般可分为( )几类;
15)每个开关电源内部都有四个电流环路每个环路都要相互分开,它们是( );
17)在开关电源中使用的PWM控制的IC一般具有下列特點( );
19)线性电源有( )几种类型;
20)通常与电源相关的附加功能是( );
21)设计开关电源,选择最合适的拓扑形式主要考虑的洇数是( );
22)开关电源优点主要集中在( );
23)开关电源的技术发展动向是( );
24)设计开关电源主要考虑的步驟是( );
D PCB板的考虑 E 控制电路的设计
25)影响高频开关电源的主电路方案的因素是( );
A 输入输出電压、电流范围与半导体器件规格的配合
D 减小体积、重量和提高效率;较小损耗可减小散热器的尺寸和重量;
26)未来的开关电源发展嘚新技术有( );
27)在开关电源中所需的整流二极管必须具有( )等特点;
28)高频变压器的( )和肖特基蒸馏二极管嘚( )在管子截至时,会形成一个谐振电路它会引起( )过压振荡;
29)为防止功率管(MOS)截至期间烧坏,会增加RC吸收電路进行抑制它们的形式是( );
30)在隔离式开关电源中,使用光耦作为输入输出隔离但必须遵循的原则是( );
A 所選的光耦器件必须符合国内或国际的有关隔离击穿电压标准
B 必须有足够的电流驱动能力
C 若用放大电路驱动光耦,必须保证它能够补偿耦合器的温度不稳定和漂移
D 所选的光耦器件必须有较高的耦合系数;
31)PCB板合理的装配十分重要应采取下列顺序装配( );
A 焊装小功耗电阻及小电容;
B 焊装小功耗电阻及小电容;
C 焊装小功耗电阻及小电容;
32)通信类电源的要求很多,主要归纳为( );
E 自动監测和集中控制
联想集团是1984年中科院计算所投资20万元人民币,由11名科技人员创办是一家在信息产业内多元化发展的大型企业集团,富有创新性的国际囮的科技公司从1996年开始,联想电脑销量一直位居中国国内市场首位
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