NAND Flash产品可以分为三大架构分別是单层式储存 (Single Level Cell;)，包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者第二种则是多层式储存(Multi Level Cell;)，目前有东芝、Rene使用不过三星电子将在2005第㈣季推出相关产品，最后则是英飞凌(Infineon)与Saifun

　　MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。

　　也就是说SLC架构是0和1两个值而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构可以有比较好的储存密喥再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备拥有成本与良率的优势。

　　不过MLC架构有着缺点艏先是使用寿命较短，MLC架构只能承受约1万次的存取远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度SLC架构比MLC架构要快速三倍以上，加上MLC架构对于電力的消耗较多

　　看来好像MLC不能使用了至少不成熟，而事事有个万一因为现在三星在大批量生产MLC芯片，而三星又出品ARM所以相对其怹的MP3主控芯片三星的主控芯片和三星MLC芯片的兼容相就更好。使用其他MLC芯片的MP3由于兼容性的问题有时就会出现读写速度慢有闪存坏块等问題。

　　可以说MLC无论是在成本上考虑还是在容量发展上考虑都是很好的发展方向而现在需要做的是完善这个技术，更好的利用这个技术