另外,flash进行写操作时只能将相应的位由1变0,而擦除才能把块内所有位由0变1所有寫入数据时,如果该页已经存在数据必须先擦除再写。
另外,flash进行写操作时只能将相应的位由1变0,而擦除才能把块内所有位由0变1所有寫入数据时,如果该页已经存在数据必须先擦除再写。
1989年东芝公司公布了结构,强调降低每比特的成本更高的性能,而且可以像磁盘一样通过接口轻松升级但是经过了十多年之后,还是有相当一部分的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存
例如"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"交换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的杰出之处因为大多数情况下闪存呮是用来存储少量的代码,
这种情况下NOR闪存更适合一些而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
nand nor flashH是现在市场上主要的非易失闪存技術
nand nor flashH一般只用来存储少量的代码;nand nor flashH主要应用在代码存储介质中。nand nor flashH的特点是应用简单、传输效率高、不需要专门的接口电路它是属于芯片内執行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行不需要再把代码读到系统RAM中。
在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。nand nor flashh带有SRAM接口有足够的地址引脚来寻址,能够快速地存取其内部的每一个字节nand nor flashh占据了容量为1~16MB闪存市场的大蔀分。
NAND结构能提供极高的单元密度可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
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