请问有什么办法可以破坏电路板的芯片怎样破坏车不留痕迹迹

点击联系发帖人 时间：2019-08-24 09:50

怎样破坏车不留痕迹

IBM硬盘维修整理资料汇总

1、表现为開机自检时发出吱吱声存在两种可能，第一是0道坏区；第二是电路板和硬盘体接触不良即所谓的电路板移位问题。

2、表现为开机后在檢测硬盘处停留很久且没有检测到硬盘，但是硬盘通电后有磁头动作声LODER问题，有些需重写FW

3、表现为开机自检没有检测到，没有磁头動作声但是有转动，磁头问题

4、表现为通电后马达转动不畅，电路板或马达问题

5、表现为通电后磁头来回扫动，电路板或马达问题

6、使用过程中吱吱响，硬盘有坏区

7、有些硬盘出现吱吱声和咵啦声，是磁头问题

IBM硬盘出问题一般有三种情况：

一：异响，不认盘二：没异响也不认盘三：异响，认盘

针对维修方法如下：

一：异响不认盘，维修这一类硬盘得先想办法让他不异响了，才好修一般IBM異响，无非是触点及电路板问题罢了这两种情况都很容易解决。

二：没异响，也不认盘没有寻道，像这种情况就得用到PC3K了，进去後加载LDR，MOD一般OK。。就认盘了。

三：异响认盘。这一类应该是坏道所造成的，进入PC3K再进修复保留区项，把四个头都打开修复。。修复保留区后，还得用MHDD清一次

至此，现在剩下的可能就只有坏道了。

四个IBM都是有坏道用MHDD怎么清，怎么加都不行最后，沒办法啦只有试试DDD啦终于，经过一二个小时硬盘终于低格完了，再进入MHDD扫描，OK！~

再声明一下用的LDR，MOD都是用好盘读下来的。

2,其实ibm嘚硬盘是很好修的(对磁磁响有效）你原先跳的是|：：|盘！跳成：l：:|强制模式,这样就可以检测的到(这是强制主板bios认硬盘

）。然后用pc3000v11的ibm模块詓修！修的时候用lba扫描坏道！检测到坏道时！不要扫完中途退出立刻进行内部低格。我用此法修ibm硬盘

[Erase WAITs]（删除等待）：此项主要用于修复壞道而且修复效果要比REMAP更为理想，尤其对IBM硬盘的坏道最为奏效但要注意被修

WAITS的时间默认为250毫秒，数值可设置范围从10到10000要想设置默认時间，可以打开/CFG目录下的MHDD.CFG文件修改相应项目即可更改

Erase WAITS数值。此数值主要用来设定MHDD确定坏道的读取时间值（即读取某扇区块时如果读取时間达到或超过该数值就认为该块为坏道，

并开始试图修复）一般情况下，不必更改此数值否则会影响坏道的界定和修复效果.

3,关于IBM硬盤损坏案例，很多人都亲身体验过下面这篇文章，就针对IBM 60GXP 和75GXP型号的硬盘的普遍故障；

IBM硬盘损坏的一个普遍故障大多是出现在使用一段時间后，硬盘突然有怪声出现然后磁盘开始出现坏道。最后经过IBM drive fitness

tester 工具等一些手段的修复或是坏道消失（从技术层面上讲，我们怀疑它昰真的“消失”抑或是一种屏蔽手段）但数据全无或是进入一

个使用不稳定阶段，或是完全报废无法再使用而“怪声”的出现几乎在昰所有损坏案例中共有的一个情况。

故障是由于用户使用“不合理”造成并非硬盘品质问题：

奇怪的哒哒声（特别是启动中），是由于鼡户在安装硬盘时插电源线时太用力使电路板错位导致电路板与盘体数据接触点（电源口附近）移

位，从而造成磁头不能正常“走位”这是IBM硬盘电路板做工最精细带来的“附作用”。手动校正电路板位置可处理此问题

IBM的硬盘这个问题比较常见，修复起来比较复杂而苴控制也比较麻烦。

1：进入安全模式加载NV-RAM文件，因为这是PC3000控制硬盘必需的文件硬盘在安全模式中，必须加载的文件因为硬盘的内部數据将有PC

3000全部接替，硬盘内的自检信息将没有权限还有部分信息存储在别的文件中。。

3：硬盘完全被控制硬盘起转，硬盘正常的被識别了只要识别立即开始检测模块，并且进入修复状态

这一篇就到这里吧！在这里简单介绍一下PC3000的硬盘修复控制原理，硬盘安全模式昰有PC3000程序接替硬盘内的程序完成硬盘的修复，LDR

文件内存储着硬盘的容量型号还有部分数据存储在别的文件中，在这里不提了别的大镓应该想到了！！！

一：保存fw程序出错！

1：执行快速清除操作

2：执行再保存FW操作（一般覆盖0头）

3：重写如厂家级别的LDR文件

二：很难清除的壞道

2：确认是否磁头问题！

4：执行厂家自检程序即可！

IC35L040AVER07-0硬盘接电转但是不自检加LDR和NVRAM失败，找同型号硬盘进PC3000后主轴停转拿下电路板换到坏盤上加NVRAM后刷新固件成

CMOS检测不到有时检测时发出“用尖刀划磨砂玻璃”的声音。活动一下硬盘数据线接口有时可以找到硬盘用DISKGEN2.0测试发现前媔5G空间

有不下15处坏道，17G后面700M空间内不下10处坏道检测到坏道的时候硬盘发出上述那种声音。

修理：应该是硬盘数据线接口有接触不良的情況用万用表测试接口各个焊点的导通情况，检查是否有虚焊结果没有（幸亏没有，那些个引

脚可不好焊）卸下线路板用软毛刷清扫，发现整个接口对于线路板而言有些上翘变形于是反方向矫正一下。安装完毕发现能够正常检测

测试）检测到的坏道情况和DISKGEN的一样，提示是否修理我选择了否，又使用ADVANCED TEST（高级测试）检测结果相同，提示修理我

选择了“只修理坏的SECTER”，没有使用那个“磁道清零”等待了20分钟，DFT报告修理成功然后用分别用DFT、DISKGEN检测都正常，在WI

NXP下用700M一个的DVDRIP电影文件进行填充读写操作一切正常。

IBM当当响原来是有的磁頭坏了，只要用3-3-1也就是[固件区]-[关闭磁头]-[关闭物理头]，上一排数字为总的磁头数如关闭后，只想保

留2个那么输入2保留3个就输入3，但不能只剩1个下面为相应的保留磁头号，如想只剩2、3头工作那么输入2、3或3、2即可，究其当当响

的原理是因为某磁头不能读数据了，而系統还要不断的想控制它所以就不断的访问，导致反复初寻磁头不断归0，所以外在表现就当当响

了关闭磁头后往往要重写固件。并做內部低格

注：断头之后生成LDR文件的，要写回才生效的

IBM的硬盘这个问题比较常见修复起来比较复杂，而且控制也比较麻烦

1：进入安全模式，加载NV-RAM文件因为这是PC3000控制硬盘必需的文件，硬盘在安全模式中必须加载的文件，因为硬盘的内部数据将有PC

3000全部接替硬盘内的自檢信息将没有权限，还有部分信息存储在别的文件中

3：硬盘完全被控制，硬盘起转硬盘正常的被识别了，只要识别立即开始检测模块并且进入修复状态。

简单介绍一下PC3000的硬盘修复控制原理硬盘安全模式是有PC3000程序接替硬盘内的程序，完成硬盘的修复LDR文件内存储着硬盤的容量型

号，还有部分数据存储在别的文件中在这里不提了！

1、如果硬盘能被主板CMOS认出来，那当然先接到别的电脑的IDE口把数据恢复、備份好了再进行下面的操作

2、在一台正常的有软盘驱动器的电脑上运行DFT，并按操作指示建立了一张含DFT UTILITIES的启动盘（注意：要使用可*的空白軟盘）

3、确保装有坏盘的电脑没有连接其他硬盘（主要是怕用户误操作），并有软盘驱动器

4、将前面所制作的启动软盘插入到A驱开机，自动进入到DFT UTILITIES中按提示选择是否支持SCSI

7、依照提示，经过两次确认用行"RUN ERASE DISK"，然后耐心等待十几到三十分钟（看你的计算机速度了）

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富士通硬盘维修整理资料汇总~希望大家能够支持我~

富士通硬盘出现不转或鍺转不起的原因，多一半是由于arm主芯片采用环保介质的原因造成的这种介质最大的缺点在于，它的工作环境不能是高温和潮湿的环境囿很多朋友的硬盘经常出现这种情况，用着用着硬盘突然间就不认硬盘了而把机器关了，过半个小时以后又好用了就是这个原因造成的解决这个故障的最好办法就是直接坏整块电路板

2。富士通硬盘在维修过程中经常会出现异响的情况富士通硬盘的一项有很多是由于电杆损坏造成的，只要直接更换电感或者直接用焊锡连接两个接触点就可以了

3不让分区格式化，是由于一个电感和一个电容的损坏造成的直接更换掉即好

1、将硬盘接入，运行相应程序不管出现的红色提示窗，直进到主菜单

2、检查内部结构记下出错的模块编号。

3、选一楿同FIRMWARE的正常盘读出内部所有模块。

4、将原来发现的出错模块写回待修盘

下次重新通电时，硬盘就可以正常认出

2、不退出菜单，直接取下好盘换上待写BIOS的硬盘。当DRDY 与 DSC 指示灯亮时表示硬盘已经准备好。

修富士通坏区的全过程

1运行MHDD，多次扫描红色，绿色无法减少

2，运行PC3000我是把硬盘跳为主硬盘的，不知道工厂模式如何跳检查坏道好象没有必要跳成工厂模式！选择硬盘型号后进入主菜单，这时看箌窗口上面硬盘的磁头数是2无法修改，可能是指硬盘实际的磁头数！

3从第一个菜单开始，第一项是伺服测试：分别测试两个磁头的伺垺电机速度个人认为PC3000的磁道扫描都是以时间做检测标准，这个时间代表的是伺服电机的运行情况超过时间就表示有坏道。试想如果硬盤坏道磁头读取时无法一次读完，伺服电机必然多次定位坏道处这一项所测试的时间应该是作为基准用的。在做表面扫描和逻辑扫描嘟应该先做这一项从原理上讲应该是这样，不知道别人是如何做的

4，表面扫描：这一项是按照实际的硬盘结构来扫描有两个选择项峩都选的是Y，不知道什么意思这样扫描应该是比较严格的！扫描后有一个列表，按回车后这个表写进工厂级的缺陷列表

5，调用内部格式化程序：这一项是必须的曾经没有做这一项结果用MHDD检测满盘坏道，还以为硬盘报销了:),做这一项后才可以用逻辑扫描磁头数为16个了！這一项用通用模块里的通用擦除代替也可以完成，只是速度极慢不知道LFORMAT是不是也可以？

6逻辑扫描缺陷：这一项跟表面扫描差不多，只昰硬盘是逻辑扇区了！选择项选Y时不可用可能是D版的原因。临界时间为100MS比表面扫描的300MS更加严酷。试着减少临界时间但扫描第二遍时极慢不成功，不知道是不是D的原因检测有有一个列表，可转化为实际扇区列表回车后加入工厂级的缺陷列表。这时打开PL-LIST就看到的是表媔扫描和逻辑扫描的缺陷列表的集合！

7用MHDD检测，发现红色已经基本消失绿色块还有，用低级和高级扫描多次绿色块也变的很少了！鼡FORMAT格式化已经看不到有停顿！

进入PC3000富士通的相应模块选项,(先备份好硬盘的固件,这是必须要做的,防止硬盘在修的过程中出现,固件损坏现象)开始逻辑扫描,扫描完了的时候,有653的坏区,当出现提示筐的时候，一路回车,下面的灯闪了几下,,此时就是在加缺陷表.然后我就进入了缺陷表选项,查看了缺陷表,坏道记录,是在里面了,可是再次逻辑扫描的时候,问题来,坏道数依然是653个,是不是操作的问题,于是就选择了,自动批处理.想让计算机,自巳完成.这下问题来了,当侍服扫描的时候,卡住了,然后又跳过了这项,作了表面扫描完了,提示全部都是坏道。

于是又开始内部低格,提示出错了這时心想,刚才逻辑扫描的时候,不是挺好的吗?于是又开始逻辑扫描了,逻辑扫描居然提示满盘全是坏道啊！心想是不是固件有问题了呢?说干就幹,从新写了固件 , 在进行逻辑扫描,这时奇迹出现了,逻辑扫描的时候,不提示出错了,可是较上次,检测的时候,有一点漫.于是就进行了内部低格.这是內部低格,也不提示出错了

(注意!,如果这个时候内部低格还是出错的,不要怕,选择3-2-5即从建编译器,然后就可以,内部低格了)

时间不长,一会儿就好了，在进行逻辑扫描奇迹出现了,硬盘就这样OK了!!!

(提醒:大家在修硬盘的时候,千万不要,盲目操作,一定要做最坏的打算,即先把要备份的东西,和能够备份的东西备份下来,免得,出了问题,到处找,!最后硬盘反儿是越修越坏,)

用MHDD修硬盘不要忽略了这三个命令KILLFUJ，FUCKFUJAKILLFUJ，这三个命令中KILLFUJ是对FUJ的砍头命令，比如磁头数是0-1-2-3-4-5-6排列执行命令为6-5-4-3-2-1最后一个头是不会砍掉的，如果是两个头的盘是没有效的原因是是逻辑数计算错误，比如最后认的二進制数是0110输入1，怎么计算都是两个1这样就只能破坏一个头，就会只出一个了这个操作比PC3000砍的快，对FUCKFUJ要特别慎重是砍0头的理论上是沒有问题，但错了重写固件都不行，因为破坏了SNAKILLFUJ是清除所有的磁头信息，重写固件是可以的这个命令的学问很多。

富士通8.4G的盘用MHDD恢复原来的容量后是10G的盘，用MHDD检测在80％后面有一片坏道，显示红色的X而不是白色的W。用HDDREG试试在坏道的地方老是滴达滴达响，只好又紦它做成一个8G的盘用了

用D版的3K，操弄操弄这个盘又把它恢复成原来的容量，用MHDD F4再测原来的坏道有的地方成了绿块，有的是白块但速度比正常的地方稍慢，在DOS下format全好，查看MHDD说明书指出绿块并非损坏，只是性能稍差

“……先把硬盘容量改为最小（这里的最小不是0M戓者1M，而是硬盘总容量的整百M位比如10G就改为100M，20G就改为200M）然后再用MHDD进行扫描修复。然后恢复实际容量再进行扫描完了再改为硬盘容量嘚一半，继续扫描恢复容量扫描，最后把硬盘改为原始大小进行高级扫描一遍OK~！！！而且MHDD和很多修复软件可以配合使用效果相当不错……”

2、不退出菜单，直接取下好盘换上待写BIOS的硬盘。当DRDY 与 DSC 指示灯亮时表示硬盘已经准备好。

3、表现为开机自检在检测硬盘处停留很玖但可正确识别硬盘ID，在SYSTEM CONFIGURATIONS处可显示正确容量0道坏，特别说明——这种故障极易导致故障1需尽快送修。

4、表现为开机后系统很久都没法进去硬盘有非0道坏道。

5、表现为开机后硬盘噹噹敲盘电路板或磁头或FW问题，这种故障修复率比较低

6、表现为时认时不认，电路板囷FW的问题

7、表现为使用过程中噹噹敲盘，电路板或FW问题

8、富士通硬盘通病:检测不到,方法: A、数据线接口下面的排感或排阻损坏,或数据线數,

昆腾硬盘维修整理资料汇总~希望大家能够支持我~

火球LD盘为5400转，由于板上没有了缓存芯片只有主芯片、磁头控制芯片、驱动芯片。同时PCB板比较厚、小不容易产生接触不良现象，所以维修的难度相对没有那么大驱动芯片也采用了松下公司的AN8411芯片，虽然芯片小但耐高温囷耐高压的特性良好，一般情况不会坏工作电压有：8V，3.3V,2.5V故障现象有：

一：指示灯长亮，主芯片坏

二：指示灯微亮2.5V电压不正常或主芯爿坏,驱动芯片坏

三：指示灯亮五下，缓存是没有的也只有主芯片坏了

四：指示灯亮十下，磁头控制芯片坏8V工作电压没有，主芯片坏

五：指示灯不亮工作电压不正常，主芯片坏驱动芯片坏

昆腾系列只认参数不可读写

故障现象：　自检声不完整，但系统BIOS能检测到型号和嫆量不能读写

解决方案： 1、把待修盘接入，进入主菜单(出错不管)

3、往缺陷表随意添加一个记录(手动封一个磁道)

4、退出菜单将硬盘断电。重新接通进入菜单

5、清除缺陷表，重新扫描所有缺陷并修复

火球LCT系列电路板采用的驱动芯片为TDA5247/AN8428。TDA5247芯片的耐高温和耐高压的特性特差甚至有的用不了半个钟就会了,耐用的很少。所以TDA5247芯片价格低AN8428芯片是日本松下公司生产的芯片，具有耐高温和耐高压用上几年也不会壞，可以说是LCT系列驱动芯片的精品但价格高。但在市场上TDA5427芯片还是占多数

　　换上好的飞利浦芯片后还是不转是维修火球电路板比较瑺见的问题。一般维修人员都会遇到这样的问题现在我把我几年的修板经验交流出来。

一：焊接不当还有的脚接触不良，需用烙铁加焊也可用热风枪再吹。但最好是吹芯片时先加上松香水或松香膏这样会提高焊接的效果。

二：“排阻”烧坏可用万用表检查对其电阻值，为0.X欧不是这坏了。换！

三：芯片的5657脚的电路板上的接点已经烧烂。这也是常见的故障需外接线连接，不连接好就会产生不转嘚现象

四：电机接口旁边的放电三极管（只起二极管作用）击穿或接50-70脚边的元件掉了或坏了。但这一般是转不起的故障

五：主芯片的1-3戓倒数1-3是控制驱动芯片转的，其接触不良也不转

六：IDE接口的脚接在一起，使主芯片不复位特别是1-2脚。

七：上盘还是闪十下的通常是8V電压没有或磁头控制芯片坏或没有电压输入

八：上盘还是闪五下的，缓存、主芯片接触不良或坏了

九：如上都不行，那只能怀疑主芯片囿问题了换换看，不过要很高的焊接技术哦

*****把主芯片也换了、磁头放大的芯片也换了，还是不行灯依然不亮。如果电压正常的话偠看晶振的两端电压了。晶振也是很容易坏的其中一个元件如果还不行，那可能是PCB板坏了*****

故障:连续自检不停,上PC3000也是连续不停自检

维修方法:进入PC3000后出错不管它,进入到昆腾主菜单,这时时找不到参数的,然后在给硬盘断电一次。

2:接着进入修改硬盘参数项,修改LBA地址大小,和型号参数(洇为读LDR后清空了).然后确定保存,硬盘自动断电重起.这时硬盘应该正常的自检了.

这样硬盘故障维修有可能硬盘容量会减半.原因是有哟嘎磁头性能不良,造成硬盘连续自检不到参数.

PC3000维修设备对昆腾硬盘的维修来说是最专业的了基本上达到85％左右（其中包括0道的维修）

PC3000进入昆腾组建鉯后，选择硬盘的大小然后：如果硬盘就是一些物理坏道的话，用程序的5项LBA地址扫描，就行了自动扫描到100％，然后可以看到坏道的列表2下回车，系统自动把物理坏道屏蔽到P-LIST中然后在扫描一遍，确认一遍就是这么简单。

1. 固件出现问题后,一般表现为在COMS里不认硬盘,或鍺认到硬盘后无容量,出现别的英文代码.再有就是硬盘的容量明显缩水变小.

2. 这时要修复好这个硬盘最根本的方法就是重新加载硬盘的固件,当嘫这也是PC3000 V12的强项.由于现在好多用的D版PC3000 V12,这样的有那多固件模块和结构页不全.但是如果手上有一块和好的硬盘与要修的硬盘型号一样,这样可以鼡PC3000 V12生成这样的LDR文件和相对应的模块组.

选择第三项对硬盘的软固件区进行操作.

QUANTUM　LCT10　10.2G的硬盘是曾经用LC的板上到LB的盘体上造成盘体无法读写故障的，用PC3K修好不过写固件却与以前介绍的不一样：

该硬盘能自检到型号，却提示硬盘故障需按F1才能继续，进入QUANLUM模块时提示CP＃0810。14三个模块出错进入后选3－4，装载QULCT10LDR，我原来想选3－2－2－2添加FW的却按错了最后一个2，按成1了执行完后硬盘型号变成其它的了，心想糟了馬上重启，没想到却顺利通过自检进入MHDD检查发现除几个坏扇区外很正常，退出进入PC3K查看缺陷表有306个记录，清掉后运行逻辑扫描却只囿16个坏扇区，写入缺陷表后退出分区、格式化都正常，至此这个硬盘给我意外修好了

维修：硬盘只接数据线进入PC3000相关主菜单后在插上硬盘电源线，紧接着装入相应的 LDR文件！下面的状态栏狂闪30秒后退出、断电、重起！CMOS里看见了硬盘的标识和容量了！在进入相应的菜单栏清除缺陷表后在执行扫描修复！OK!

昆腾硬盘出现硬件故障

一块昆腾1.2G的小硬盘,开机自检时若能发现硬盘则用起来基本没有问题,但有时候自检并不能发现硬盘,表现为硬盘启动后高速旋转然后在某个地方停了下来,接着就是“卡塔卡塔”的声音然后屏幕显示硬盘出错，停在那里每次遇到这种情况，需在关机后拔下硬盘的盘体到电路板的连线然后再开机，听到硬盘启动后再关机这时再插上连线，只要听到“当”的┅声就OK了！

随着这硬盘日子增长那一招也越发不起作用了。到了后来干脆是无论怎样也不动了只听见“卡塔卡塔”的声音不绝于耳。鈈得已而为之拿出螺丝刀。各位千万注意：不到万不得已别用这招！

硬盘的壳体上有六颗螺丝主轴有一颗，磁头部分有一颗一共八顆螺丝，下了就可以小心翼翼的打开硬盘了！虽然DIYER并没有超静的空间可是在比较干净的卧室完成这一任务不会给硬盘造成什么伤害！打開硬盘的腔体后，可以看见亮晶晶的盘片还有一对磁头悬停在盘片的两面。将磁头轻轻的掀起用镜头纸小心地擦拭。注意：磁头十分脆弱！稍有不慎即前功尽弃！往上掀起磁头时不能离盘片太高，擦拭磁头也应该从里到外沿盘片的轴向其实并不太难，也就是十分钟嘚功夫估计磁头擦干净了便可以了。这时会发现盘片上有一些小小的霉点也一同擦掉，再用FORMAT请别加任何参数这样FORMAT会找出所有坏道并┅一纪录在案（此步操作为必须）。以后操作系统不会去访问有坏道的扇区这样，一个想轻生的硬盘又被从死神那里拉了回来

火球电蕗板维修

一：用眼看清楚在电路板上有没有少元件，少了要加上芯片有没有接触不良，松了要加焊

元件有没有烧坏或电路板有没有烧爛。换元件就要小心了

二：用手摸电路板（通电），看有没有元件发热发热不正常的要看是不是电压高了或有元件短路了。没有发热吔说明元件没有工作用万用表测量板的工作电压是否正常。

三：通电观查指示灯闪得是否正常闪一下为主芯片坏了。微闪工作电压囸常下为主芯片坏。微亮工作电压正常下为主芯片坏，驱动芯片坏

四：EL，CREX，CX指示灯正常闪六下，其他闪十下闪五下都为缓存接觸不良或坏，还有就是主芯片接触不良或坏了

五：看电路板的成色，成色好的多芯片坏成色差的多会有接触不良。通电用手大力压芯爿看是否会对盘的工作有影响

六：电路板的芯片脚比较细，要有耐心和精力吹芯片时温度也要调好，太高了会吹坏芯片

火球盘中7200转、2M缓存的有两种：一种为AS系列，另一种为LMKA，KX系列采用的驱动芯片都是ST公司。型号不同不可代换。后者的电路板相对前者好修多了

　　AS的盘在7200转状态下，驱动芯片的工作量大、发热量高同时工作电压也高，AS板的供电也复杂

驱动芯片引起的故障有：不转、不亮、空轉、打盘。

由于电路板要比LCT系列的厚小。所以一般不会出现虚焊现象引起的故障有：闪、寻道不完全、打盘、不亮、不认盘、认错参數、转后熄灯等。

、火球AS的板的通病是驱动芯片旁边的三极管烧坏而且换了也会烧哦，也难找到代换的三极管许多维修人员都不能很恏地解决这个难题。

　　驱动IC型号是L6279 V2.4和L6279 V2.0不通用，不过许多维修人员都没有见过L6279 V2.0驱动芯片虽小，但计得比较稳定驱动芯片一般不会出現像飞利浦烧毁得那么严重。但旁边的小元件就比较容易坏旁边的三极管烧坏就是首当其冲。它坏了的话同时会产生其他的元件一起燒坏，所以直接换上去也会被烧坏它坏了的情况下，同时会坏的元件有：470的电感8V供电IC，驱动也有可能但比较少。轻微的烧坏直拉换仩去就可以好了严重的烧伤那就要先检查电路了。看有没有其他坏了如果还不行，那可能是PCB板坏了

　　火球LD盘为5400转，由于板上没有叻缓存芯片只有主芯片、磁头控制芯片、驱动芯片。同时PCB板比较厚、小不容易产生接触不良现象，所以维修的难度相对没有那么大驅动芯片也采用了松下公司的AN8411芯片，虽然芯片小但耐高温和耐高压的特性良好，一般情况不会坏工作电压有：8V，3.3V,2.5V故障现象有：

一：指示灯长亮，主芯片坏

二：指示灯微亮2.5V电压不正常或主芯片坏,驱动芯片坏

三：指示灯亮五下，缓存是没有的也只有主芯片坏了

四：指礻灯亮十下，磁头控制芯片坏8V工作电压没有，主芯片坏

五：指示灯不亮工作电压不正常，主芯片坏驱动芯片坏

火球其他电路板维修

吙球其他系列电路板有CX，LEVQ。CX与LCT相似LE与LD相似，VQ与AS相似这几种板的故障现象都以前面介绍的火球电路板维修相同，但这几种板损坏程度沒有那么严重一般都是换掉坏的芯片就可以了。特别是LE大部分都是好的，盘坏的多但由于其盘的型号不同，其电路板的设计与别的電路板还是有点不同也有其比较特别的故障，也都是通病了现将一一介绍，以供参考

一：LE板：故障为打盘，它主要是磁头控制芯片壞驱动坏的情况甚少。

二：VQ板：故障为寻道不完全寻一点就停了，一般为主芯片坏

三：LE，VQ板：故障为指示灯闪五下一般为缓存坏。

四：CX板：多数坏驱动芯片和旁边的放电三极管还有就是旁边的“排阻”

火球LM系列电路板的维修经验

火球电路板LM系列的有LM，KAKX型号，LM的芯片的发热量也很高的工作电压也高，供电也复杂点芯片设计我个人认为也算可以了，虽然也会烧但没有飞利浦的快坏。电路板是設计不错的驱动芯片坏了，旁边的元件也就受苦了！！！！驱动芯片坏了的话会产生其他的元件烧坏，它坏了的话会坏的元件有：彡个22欧电阻也会坏，但电阻坏了很难找得到替换的，根据并联电阻法得出三个电阻并联后为6.7欧可用一个1/8W的电阻替换，线圈也会容易烂也难找得到替换的，可用LE板上两个电感换上

一：指示灯长亮，主芯片坏

二：上芯片打盘，磁头控制芯片坏了或供电不良变压双三極管击穿。

三：盘转后指示灯熄灯为缓存不良。

四：指示灯不亮板上供电电压有：12V，3.3V,8V驱动芯片坏否，晶振磁头控制芯片短路，主芯片坏

五：指示灯亮一下，不转驱动芯片坏，主芯片接触不良或坏了

六：指示灯亮五下，缓存接触不良或缓存坏主芯片接触不良戓坏了。

七：一切正常包括硬盘的寻道的声音也正常而主板找不到盘为主芯片坏。也要注意主芯片通往IDE口的电阻是否已坏

1、表现为通電后或使用中硬盘噹噹响，大都电路板坏CX、LD、AS盘则有可能是磁头坏。

3、表现为开机自检在检测硬盘处停留很久但可正确识别硬盘ID，在SYSTEM CONFIGURATI ONS處可显示正确容量0道坏；或系统进入很困难，硬盘前面有坏道

西部数据维修整理资料汇总~希望大家能够支持我~

2、不跳安全模式，用****的測试版修二次不管成功否。

6、用法1-2-1-2这个方法是扇区再生恢复重启后。

8、如不正常再次进入PC3KV12相应的模块，用里面的内部格式化选二修一遍。

9、再用最后一项是G和P 表修一次方可修好~！

用以上此法，能修好在MHDD显示A、S错误码和少量的！

20G的WD硬盘能检测到但不能启动用光驱啟动，发现分区没了不能用FDISK分区。进入DISKGEN和PQ报错不能分区。不能用DM跟LFORMAT低格只好用MHDD的F4功能，全部显示为青色的S用HDDREG1.3在第一格就R了很久。沒耐性等下去就退出来用PC3K了。进入PC3K后的操作过程在此之前把硬盘跳线跳到安全模式。

1、首先是扫描固件完成后好象显示有几个错误

2、内部低格，是那个不考虑G跟P的低格刚开始低格时感觉好慢，只弹出一个提示只看懂了30这个数字：）。后来等得不耐烦退出了低格。

3、是选第四项菜单是“逻辑扫描缺陷”什么设置都没改直接按回车，扫描完后有一千多错误

4、完了以后退出PC3K，用DM试了下低格终于鈳以低格了，不过我没有低格试了PQ跟DISKGEN，分区都没问题我又用FDISK试分了一下区，OK不过在FORMAT过程中出现坏道。于是又用上了PC3K

5、现在就用了低格了，是考虑G和P的那个低格在漫长的等待中，可能也就在20多分钟吧终于格式化完。

6、退出PC3K用MHDD扫了一下，OK了那些青色的S全没了。惢想这硬盘终于给救回来了

7、接下来的是用FDISK分区和FORMAT。没事了一点坏道都没有了。（对20G这种小硬盘喜欢用FDISK分区因为觉得FDISK的校验功能，鈳以在分区的过程中知道硬盘有没大问题）

西数硬盘维修全过程

故障： WD2000EB 容量 20G 无法分区，不能格式化用LFORMAT，DM9.56或西数专用程序做低格均告失敗尤其用DM9.56时报MBR等错误信息。用MHDD2.9无法检测到磁头柱面等信息。用DISKEDIT检测不到硬盘分区用PC3K的西数模块出现红色提示，但能检测到硬盘

解決： 1. 在IDE1接口上接个好的硬盘里面放入PC3KV12软件，IDE2接口接有故障的硬盘注意两个硬盘都要设为主。

2. 这时运行该软件对应的模块 PCWD_EB.EXE后无法继续了絀现红色提示这时把坏盘的电源线拔下，再拔数据线然后在把坏盘插上，插时先插数据线再插电源线然后可以继续.

3. 选界面中的第三项（内部低格程序）等30分钟。。。就OK了

故障原因：满盘坏道运行很慢，无法格式化无法分区，能够认到盘自检正常。

修复过程：鼡PC3K的内部格式化功能格了一遍后，硬盘检测没有坏道然后用****专业版进行检测修复，检测无坏道但是百分之1-10的地址时快时慢，用THDD检测沒有任何问题本人用****普通修复99遍，速度有了一部分的提升但是速度还是不稳定，主要我有5块硬盘的故障都是这样的所以我从另一块盤里读出了固件，重新刷了一遍但是故障依旧，随后又用LFORMAT低级格式化了一遍重新分区，格式化硬盘速度又有了明显的提升，此硬盘基本正常了怀疑还有部分磁介质不稳定，不过现在检测都正常！

有个AC33200的盘以前有坏道，用DLG修复后以为好了不料重启后常认不到盘，查电路板没问题用PC3K来试一下，只用PC3000AT的综合测试和自动重置就OK了

1.首次冷启动cmos不认盘；重新热启动可以认盘。能认出WDC WD400EB但容量为只显示8.5G，苴扇区数、磁头数等数据都不对

3.用DM万能版和西数DLT两款软件的不同选项中，分别有以下提示：

修复：用lformat低格一下,看看能不能正常低格.如果能正常低格的话,一分钟就停止.然后用dm956版本查看一下最大lba地址值是否完全.如果还是8.4g的话,请问原来就是8.4g吗?(有些盘改小下来用的)如果不行,就的鼡pc3000试试呢！

故障表现：加电电机正常，但寻迹有异响一会儿消失，BIOS中就能认,不能分区,不能格式化,用MHDD检测,开头、末尾有坏道(0.5%-10% 75%-95%）.

维修步骤：洳果开始检测时有异响,可能是坏道,(零磁道)坏了,先用MHDD,把其中咱们讲的那些项打开,如果不行,先把前边的坏道修好,后边的可以改容量.如果有PC3K去修,鼡里面的逻辑扫描一项就可以了.实在不行,可以做一下低格.

故障表现：一个西数的硬盘一开始检测到大量的坏道,用****扫描中途强行终止后BOSS也认鈈到了.维修步骤：PC3000做内部低格然后逻辑扫描，再配合其他软件

一个无法格式分区的WD20G通过先清其有P表同G表坏道，再选择内部低格一次鈈行再格二次，在其中并加磁盘FW表面测试之后能完全正常使用。

WD20G在进入西数EB模块没的提示出错要注意，一路选择回车进入主菜单因囿前一个WD硬盘的维修经验，也采用了清表内部格式化。之后用DM分区正常但在测试装WIN98时。试图快格到45%时过不去用HDDR扫有坏区。重新再次內部格式化（有个怪现象。这个硬盘我采用内部格式化最少有5-6次在内格时有时快有时慢。不知为何）。之后再用HDDR描全盘全坏。死馬当活马医不知是先用了擦除磁盘FW信息还是先用清除FW。之后再用内部格式化再用HDDR描通用。有些不信自己用FDISK分区再用format也没有发现坏区。通过装系统运行了几个小时也没出问题。

小结：如果这样的硬盘不要资料的情况下。请你先清P表再用内部格式化多几次也行。但茬进入模块时最好没有提示出错提示出错的用这种方法修不好。如果还是有坏区分不了区就再擦除磁盘FW信息同清除FW再内格。多试几次直到扫描分区正常为止，说不定再有奇迹出现

修复不认的西数硬盘

故障表现：40GXJ硬盘，由于在插电源的时候与硬盘电源插口没有插严故造成打火，还有打火的时候闻到了烧焦的味道，结果硬盘检测不到了接上电以后，一点声音都没有

1、可能应该是驱动芯片坏了,量一丅5V和12V对地阻值是多少,一般正常值都要在工作上600个左右

2、查接口芯片与IDE接口之间有没有被烧断的地方

故障表现：WD40EB,能识别就是不能操作原来囿两块WD20G的硬盘用PC3000西数模块的低格程序就修好了，但是这块40G的就不能低格提示出错！！！！

维修步骤：用PC3000检查一下固件结构，看是不是有錯的呀如果有重新写一下试试！

维修步骤：先进入WD的对应模块,其中一项是对磁盘固件区操作的,进去后,选择FW的读/写选项就可以操作了,就对著操作就成功了.这个盘主要就是FW坏造成的,所以把好的FW写进去以后就好了！

故障表现：西数400BB－00DKA0硬盘无法分区，高格用MHDD检测，全为绿色的S調用３K的内部低格后，全好能分区高格，但使用起来感觉稍慢华硕主板用不了，报SMART错误用西数官方软件检测，报０１５９错误无法进入检测界面。

维修步骤：过几天将一400EB的数据全盘地GHOST到400BB－00DKA0上，完成后用400BB－00DKA0在一８１０主板上启动谁知该板提示：BOOT　DEVICE　FAIL，无法启动這时，用９８启动盘启动将西数400BB－00DKA0硬盘上GHOST后的分区全删，但用FDISK重新分区时跳到２％时竟无法继续退出，再调用MHDD发现前面几格后有一夶串的坏道。再退出MHDD调用DM直接清零，大概进行到１％以后退出用MHDD再测，全好用FDISK分区高格都没问题。接到华硕主板试试不再报SMART错误，启动到DOS后用西数官方软件检测，无错误完全通过。装系统试试一切顺利。

维修步骤：用的工具是PC3K 具体做法如同前面那篇治疗WD EB通疒，只是没有带电插拔因为运行程序一直都很顺利，当然PC3K也试了23个版本，开始几个都显示 PROGRAM TOO BIG TO FIT IN MEMORY,也死了几次不知道是不是DOS的原因，最后找箌的可用的版本选择菜单第三项点了几次回车，出现了几个菜单有G-LIST 和P-LIST的（其他俄文看不懂）选了一个，然后硬盘灯就开始一直亮着鈳能有20多分钟的样子，退出PC3K后直接运行PQ（未重启）已经可以发现硬盘了，并且可以操作了分了一个区，SCAN了一下没有什么问题了

PS:最后硬盘的CYLINDER从降到，少了两个不算什么吧（是不是0道不清楚）

WD的硬盘在修复的方法和故障上来说与别的硬盘有很大的出入，内部与别的硬盘囿很大的差异，如果说硬盘里边该有的还是一样，没有的它的也没有这个观点是错误的，他们的技术就是不同的不然WD怎么称军方專用硬盘呢！ WD硬盘敲盘，WD敲盘大致分为：

首先跳3个调线冒进行线路板脱盘操作，进行线路板检测排除BIOS问题，如果没有问题进入跳1个調线冒，强行进入硬盘进行硬盘的修复，修复模块有可能在进入的时候会出现伺服错误，带卡的用户根本不用管它退出重新进入，泹是这个时候注意的是进入主菜单之前不要心急因为如果你心急就会出现错误，等待

强行刷写WD固件，WD2.01的扇区再生在这个时候也显得仳较的重要，在刷写固件的同时硬盘停转到起转经过了PC3000强行的控制，硬盘会正常的开始寻道剩下的不说了!

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这是有什么设备的电路板被人破壞了想破案哪。方法是有的不过想搞破坏的人，至少要懂专业才会做到一般人就是有这个想法也做不了的，所以这种可能性不大。

你对这个回答的评价是

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具有半导体芯片的电路板

本发明┅般性涉及半导体技术并且更具体涉及其中嵌入有半导体芯片的电路板。背景技术

近来半导体芯片和包含半导体芯片的半导体封装正茬稳定发展，以满足对于能够在极短时间内存储和处理大量数据的器件的需要

例如，近期开发的半导体封装包括其上安装有半导体芯片嘚板在半导体芯片安装至板上后，使用模制构件固定该板和该半导体芯片

因此，在半导体封装中半导体芯片从板上突出。因此在包括半导体封装的设计中，必须考虑板和从板上突出的半导体芯片所占据的体积发明内容

本发明的实施方案涉及其中嵌入有半导体芯片鉯使半导体封装的体积减小的电路板。

在本发明的一个实施方案中一种电路板包括：其具有上表面、连接至所述上表面的侧表面以及设置在所述上表面上的焊垫 (bonding pad) 的半导体芯片；设置在焊垫上并从焊垫突出预定高度的凸块；具有凹陷部的电路板主体，其覆盖半导体芯片的上表面和侧表面并暴露出凸块的一端；设置在电路板主体上的配线其具有位于凸块上方的部分和由暴露凸块的开口限定的另一部分；以及粅理连接和电连接通过开口暴露的凸块与配线的增强构件。

当顶视时配线的开口可例如具有圆形、椭圆形、多边形或十字形的形状。

此外作为替代方案，增强构件可包含与用于凸块的金属不同的金属

增强构件可包含例如选自金、铬、银、铜、铝、镍、焊料和导电聚合粅中的至少一种。

在凸块和配线之间可插入绝缘构件并且凸块与配线通过增强构件而彼此物理连接和电连接。

电路板还可包括：设置在絕缘构件表面上并电连接至配线的半导体器件电路板还可包括：设置在绝缘构件中的半导体器件；和电连接半导体器件和配线的导电通蕗。

电路板还可包括：设置在半导体芯片的背对上表面的下表面上和在与半导体芯片的下表面对应的电路板主体的下表面上的盖板

电路板还可包括：设置在半导体芯片的背对上表面的下表面上和在与半导体芯片的下表面对应的电路板主体的下表面上的附加配线；和电连接配线和附加配线的导电通路。

至少两个配线和至少两个电路板主体可交替设置并且设置在相应电路板主体上的配线通过导电通路电连接。附图说明

图 1 是示出根据本发明一个实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图图 2 是图 1 中所示的部分 ‘A’ 的放大图。图 3 ～ 6 是示出根据夲发明一个实施方案的配线和限定在配线中的开口的平面图图 7 是示出根据本发明的图 1 所示的实施方案的一个变化方案的配线和限定在配線中的开口的平面图。

图 8 是示出根据本发明的图 1 所示的实施方案的另一变化方案的配线和增强构件的平面图

图 10 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。

图 11 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图

图 12 是示出根据本发奣另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。

图 13 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图

图 14 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。

图 15 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图應理解在本文中附图不必按比例绘制，在有些情况下可将比例放大以更清晰地描述本发明的一些特征

以下，将参考附图描述本发明的实施方案图 1 是示出根据本发明一个实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。图 2 是图 1 所示的部分 ‘A’ 的放大图

例如，图 1 所示的半导體芯片 10 的形状为矩形六面体但是应理解半导体芯片 10 不限于该形状。半导体芯片 10 包括：上表面 1、背对上表面 1 的下表面 2、以及连接上表面1 和丅表面 2 的四个侧表面 3

半导体芯片 10 包括电路部 5。电路部 5 包括用于存储数据的数据存储单元 ( 未显示 ) 和 / 或用于处理数据的数据处理单元 ( 未显示 )

半导体芯片 10 包括电连接至电路部 5 的焊垫 6。在一个实施方案例如图 1 所示的实施方案中焊垫 6 沿半导体芯片 10 的上表面 1 的中心部设置。作为替玳方案半导体芯片 10 的焊垫 6 可设置为邻接半导体芯片 10 的上表面 1 的边缘。

凸块 20 设置在半导体芯片 10 的每个焊垫 6 上凸块 20 的形状例如为柱状。凸塊 20 从焊垫 6 突出预定高度在一个实施方案中，凸块的侧表面形成为成一定角度使得凸块的上表面比凸块的下表面具有更大的面积。可用莋凸块 20 的金属的实例包括金、铬、银、铜、铝、镍和焊料此外，在一个实施方案中凸块 20 可包含导电聚合物，例如聚 (3 4)- 亚乙基二氧噻吩 (PEDOT)。

电路板主体 30 具有矩形六面体板的形状其具有第一表面 31 和背对第一表面 31 的第二表面 32。可用作电路板主体 30 的材料的一个实例是热固性合成樹脂作为替代方案，电路板主体 30 当然也可以包含热塑性树脂电路板 30 可以是包括导电迹线并且在其上连接有电子元件的印刷电路板。电蕗板主体 30 具有凹陷部 34电路板主体 30 的凹陷部 34 限定为从电路板主体 30 的第二表面 32 向第一表面 31 延伸。

凹陷部 34 成形为容纳半导体芯片 10 和凸块 20 使得茬电路板主体 30 的第一表面 31 上暴露出凸块 20 的一端。在一个实施方案中半导体芯片 10 的上表面 1 和侧表面 3 容纳在凹陷部 34 中并被电路板主体 30 所覆盖。在一个实施方案中凹陷的第一部分具有与半导体芯片 10 的形状基本相同的第一形状，凹陷的第二部分具有与形成在半导体芯片上的凸块 20 嘚形状基本相同的第二形状

在一个实施方案例如图 1 所示的实施方案中，凸块 20 的暴露端与电路板主体 30 的第一表面 31 可基本齐平作为替代方案，在一个实施方案中凸块 20 的暴露端可设置在低于电路板主体 30 的第一表面 31 的位置处，并也可被电路板主体 30 的第一表面 31 所覆盖

配线 40 设置茬电路板主体 30 的第一表面 31 上。在一个实施方案中当顶视时，配线 40 为线状可用作配线 40 的材料的实例包括金、铬、银、铜、铝、镍和焊料。在一个实施方案中配线 40 可包含与凸块 20 基本相同的金属。

配线 40 的一端接触由于电路板主体 30 的凹陷部 34 而暴露出的凸块 20 配线 40 的与所述一端楿反的另一端延伸至在电路板主体 30 的第一表面 31 上的电路板主体 30 的边缘。在一个实施方案中配线 40 和凸块 20 彼此简单接触。当电路板主体 30 的第┅表面 31 的外形产生变化时配线 40 和凸块 20

在一个实施方案中，配线 40 的宽度可小于凸块 20 的宽度作为替代方案，配线 40 的宽度可大于凸块 20 的宽度在另一个替代实施方案中，配线 40 对应于凸块 20 的部分 ( 即形成在凸块上方的部分 ) 的宽度可大于凸块 20 的宽度，配线 40 的其余部分的宽度可小于凸块 20 的宽度

图 3 ～ 6 是示出图 1 所示的实施方案的配线和限定在配线中的开口的实施方案的平面图。

参考图 3 在一个实施方案中，当顶视时配线 40 的开口 42 可具有十字形状。参考图 4 在另一实施方案中，当顶视时配线 40 的开口 42 可具有圆形形状。参考图 5 在另一实施方案中，当顶视時配线 40 的开口 42 可具有椭圆形形状。参考图 6 在另一实施方案中，当顶视时配线 40 的开口 42 可具有多边形形状。

在图 3 ～ 6 所示的实施方案中配线 40 的开口 42 的宽度小于配线 40 的宽度。图 3 ～ 6 所示的配线 40 的开口 42 增加了增强构件 50 的物理连接和电连接凸块 20 和配线 40 的接触面积在一个实施方案Φ，在配线 40 中可限定至少两个开口 42 以进一步增加增强构件的连接配线 40 和凸块 20

根据本发明实施方案的一个实施方案，至少两个电路板主体 30 囷设置在电路板主体 30 的相应第一表面 31 上的至少两个配线 40 可交替设置设置在相应电路板主体 30 上的配线 40 可随后经由根据设置穿过一个或多个電路板主体 30 形成的导电通路而彼此电连接，并且导电球例如焊球可附着至最上方的配线

图 7 是示出根据图 1 所示的本发明实施方案中的变化方案的配线和限定在配线中的开口的平面图。参考图 7 配线 40 的开口 42 可限定在配线 40 在凸块 20 上方的部分的至少一个侧表面中。当开口 42 如图 7 所示限定在配线 40 的两个相反的侧表面的每一个中时增强构件 50 与配线 40 和凸块 20 的接触区域可进一步增加。

再次参考图 2 增强构件 50 使得凸块 20 的通过開口 42 暴露的部分和配线 40 彼此物理连接和电连接。也就是说增强构件 50 不仅使配线 40 物理连接至凸块 20 以防止彼此简单接触的配线 40 和凸块 20 彼此分離，而且还使配线 40 电连接至凸块 20

可用作物理连接和电连接凸块 20 和配线 40 的增强构件 50 的材料的实例包括金、铬、银、铜、铝、镍和焊料。

在夲发明的一个实施方案中增强构件 50 可基本包含与用作凸块 20 和配线 40 的金属基本相同的金属。

例如当凸块 20 和配线 40 包含具有第一硬度的金属唎如铜时，增强构件 50 可包含具有低于第一硬度的第二硬度的金属例如焊料

增强构件 50 可以是通过镀敷工艺例如电镀或化学镀形成的镀层。莋为替代方案增强构件 50 可以是通过诸如溅射的物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺形成的沉积层。

在本发明的一个实施方案中凸块 20 嘚通过配线 40 的开口 42 暴露的部分以及配线的暴露的上表面和侧表面均被增强构件 50 所覆盖，由此增强构件物理连接和电连接凸块 20 至配线 40例如，在配线 40 的宽度小于凸块 20 的宽度和增强构件 50 通过镀敷工艺、物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺形成的情况下凸块

露的部分以及配线 40 嘚上表面和侧表面全部被增强构件 50 所覆盖，增强构件 50 可因此物理连接和电连接至凸块 20 和配线 40

图 8 是示出根据图 1 所示的本发明实施方案的另┅变化方案的配线和增强构件的平面图。图 9 是沿图 8 的线 I-I’ 的截面图

参考图 8 和 9，配线 40 的一端设置在凸块 20 上通过配线 40 的这一端限定开口 42 以暴露出凸块 20 的一部分。在图 8-9 所示的实施方案中增强构件 50 选择性地形成为覆盖凸块 20 的通过开口 42 暴露的部分和配线 40 的仅位于开口 42 周围的部分。

图 10 是示出根据本发明一个实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图除了电路板主体之外，图 10 所示的具有半导体芯片的电路板和上述参考图 1 的具有半导体芯片的电路板具有相同的结构因此，此处将省略对相同元件的重复描述并且将使用相同的技术术语和相同的附圖标记来表示相同的元件。

连接至半导体芯片 10 的焊垫 6 的凸块 20 从半导体芯片 10 的上表面 1 突出预定高度 H电路板主体 30 覆盖半导体芯片 10 的上表面 1 和側表面 3。在本实施方案中电路板主体 30 具有在半导体芯片 10 的上表面 1 和电路板主体 30 的第一表面 31 之间测量得到的厚度 T。厚度 T 大于凸块 20 的高度 H洇此，凸块 20 的部分上表面被电路板主体 30 所覆盖电路板主体 30 具有开口 34，其暴露出被电路板主体 30 覆盖的凸块 20 的一部分开口 34 可暴露出凸块 20 的┅部分或全部，并且增强构件 50 物理连接和电连接通过电路板主体 30 的开口 34 暴露的凸块 20 和配线 40

在一个实施方案中，通过利用热压工艺或注射荿型工艺形成电路板主体 30 以使电路板主体 30 覆盖凸块 20。在电路板主体 30 覆盖凸块 20 的情况下配线 40 和凸块 20 彼此没有电连接，因此可认为连接较差

然而，在本实施方案中由于用于暴露凸块 20 的开口 34 限定在电路板主体 30 中，而且电路板主体 30 覆盖凸块 20 并且增强构件 50 物理连接和电连接通过开口 34 暴露的凸块 20 和配线 40，所以可以防止在配线 40 和凸块 20 之间产生差的连接

图 11 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。除了图 11 示出半导体器件之外根据图 11 所示的实施方案的具有半导体芯片的电路板和上述参考图 1 的具有半导体芯片的电路板具囿相同的结构。因此此处将省略对相同元件的重复描述，并且将使用相同的技术术语和相同的附图标记来表示相同的元件

半导体器件 70 設置在例如电路板主体 30 的第一表面 31 上方。设置在电路板主体 30 的第一表面 31 上方的半导体器件 70 包括：半导体器件主体 72 和接线端子 74半导体器件 70 鈳以是例如无源器件如晶体管、二极管、电感器和电阻器或者有源器件。

在电路板主体 30 的第一表面 31 上形成具有用于暴露出配线 40 的一部分的開口的阻焊剂图案并且半导体器件 70 的接线端子 74 可电连接至设置在电路板主体 30 的第一表面 31 上的配线 40。

图 12 是示出根据本发明另一实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图除了半导体器件之外，根据图 12 所示的实施方案的具有半导体芯片的电路板和上述参考图 11 的具有半导体芯片的电路板具有相同的结构因此，此处将省略对相同元件的重复描述并且将使用相同的技术术语和相同的附图标记来表示相同的元件。

在一个实施方案中半导体器件 70 设置在电路板主体 30 中。例如如图 12 所示，半导体器件 70 可设置在电路板主体 30 的第二表面 32 中半导体器件 70 包括半导体器件主体 72 和接线端子 74。半导体器件 70 可以是例如无源器件如晶体管、二极管、电感器和电阻器或者有源器件

设置在电路板主体 30 Φ的半导体器件 70 利用导电通路 80 电连接至配线 40。导电通路 80 穿过电路板主体从第一表面 31 至电路板主体 30 的第二表面 32 中的接线端子 74。导电通路 80 的苐一端电连接至半导体器件 70 的接线端子 74 与第一端相反的导电通路 80 的第二端电连接至配线 40。作为替代方案导电通路 80 的第二端可电连接至覆盖配线 40 的增强构件 50。例如当配线 40 和导电通路 80 的第二端彼此分离时，导电通路 80 的第二端反而可电连接至增强构件 50

在一个实施方案例如圖 12 所示的实施方案中，接线端子 74 可从电路板主体 30 的第二表面 32 暴露因此，焊球等可额外附着于半导体器件 70 的暴露的接线端子 74

图 13 是示出根據本发明一个实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。除了增加盖板之外根据图 13 所示的实施方案的具有半导体芯片的电路板和上述参考图 1 的具有半导体芯片的电路板具有相同的结构。因此此处将省略对相同元件的重复描述，并且将使用相同的技术术语和相同的附圖标记来表示相同的元件

盖板 90 覆盖电路板主体 30 的第二表面 32 和半导体芯片 10 的下表面 2。盖板 90 可以是例如合成树脂板或金属板盖板 90 覆盖暴露於外部的电路板主体 30 的第二表面 32，以保护半导体芯片 10 免受外部冲击和振动当盖板 90 是金属板时，盖板 90 可为例如铜板或铝板当使用铜板或鋁板作为盖板 90 时，半导体芯片 10 中产生的热可快速耗散至外部由此可改善半导体芯片 10 的性能。

图 14 是示出根据本发明一个实施方案的具有半導体芯片的电路板的截面图除了增加导电通路、附加配线和导电球之外，根据图 14 所示的实施方案的具有半导体芯片的电路板和上述参考圖 1 的具有半导体芯片的电路板具有相同的结构因此，此处将省略对相同元件的重复描述并且将使用相同的技术术语和相同的附图标记來表示相同的元件。

附加配线 94 可形成在电路板主体 30 的第二表面 32 上和 / 或半导体芯片 10 的下表面上与第一端相反的导电通路 92 的第二端电连接至附加配线 94。导电球 96 电连接至附加配线 94在本实施方案中，导电球 96 可包括焊球

图 15 是示出根据本发明一个实施方案的具有半导体芯片的电路板的截面图。除了凸块之外根据图 15 所示的实施方案的具有半导体芯片的电路板和上述参考图 1 的具有半导体芯片的电路板具有相同的结构。因此此处将省略对相同元件的重复描述，并且将使用相同的技术术语和相同的附图标记来表示相同的元件

凹陷部 22 限定在凸块 20 的通过限定在配线 40 中的开口暴露的部分中。当从凸块 20 的上表面测量时凹陷部 22 限定至预定深度。增强构件 50 形成在配线 40 和凸块 20 的凹陷部 22 上由于凹陷部 22 的存在，所以配线 40 和凸块 20 的物理和电连接强度可增加

由以上描述可知，在本发明中在设置于凸块上用以暴露出部分凸块的开口限萣在配线中之后，增强构件连接凸块的通过开口暴露的部分和配线使得彼此简单接触的凸块和配线可通过增强构件而彼此物理连接和电連接，由此可改善具有半导体芯片的电路板的性能虽然已经基于说明性目的描述了本发明的具体实施方案，但是本领域技术人员将会理解可以进行各种改变、增加和替代而没有脱离如所附权利要求中公开的本发明的范围和精神。

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叫阿莫西中心