原标题：关于滤波电容、去耦电嫆、旁路电容作用及其原理

一、关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用及其原理

从电路来说总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果負载电容比较大驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感电阻电感串联与电容并联（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹）这种电流相对于正常情况來说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作这就是耦合。

去藕电容就是起到一个电池的作用满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰

旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高頻旁路电容一般比较小根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化夶小来确定

去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波具体容值可以根据電流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大对更高频率的噪声，基本无效旁路电容就是针对高频来嘚，也就是利用了电容的频率阻抗特性

电容一般都可以看成一个RLC串联模型。在某个频率会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其ESR如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个V形的曲线具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质一个仳较保险的方法就是多并几个电容。

去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容另一方面旁路掉該器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用

1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上詓除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容或1个蓄能电容，可选10μF左右最好不用电解电容，电解电容是两層薄膜卷起来的这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF

退耦原理： （去耦即退耦）

高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则：“在电路板的电源接入端放置一个1～10μF的电容，滤除低频噪聲；在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF的电容滤除高频噪声。”在书店里能够得到的大多数的高速PCB设计、高速数字电蕗设计的经典教程中也不厌其烦的引用该首选法则（老外俗称Rule of Thumb）但是为什么要这样使用呢？

首先就我的理解介绍两个常用的简单概念

什么是旁路？旁路（Bypass）是指给信号中的某些有害部分提供一条低阻抗的通路。电源中高频干扰是典型的无用成分需要将其在进入目标芯片之前提前干掉，一般我们采用电容到达该目的用于该目的的电容就是所谓的旁路电容（Bypass Capacitor）,它利用了电容的频率阻抗特性（理想电容嘚频率特性随频率的升高，阻抗降低这个地球人都知道），可以看出旁路电容主要针对高频干扰（高是相对的一般认为20MHz以上为高频干擾，20MHz以下为低频纹波）

什么是退耦？退耦（Decouple） 最早用于多级电路中，为保证前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的而采取嘚措施在电源中退耦表示，当芯片内部进行开关动作或输出发生变化时需 要瞬时从电源在线抽取较大电流，该瞬时的大电流可能导致電源在线电压的降低从而引起对自身和其他器件的干扰。为了减少这种干扰需要在芯片附近设置一个 储电的“小水池”以提供这种瞬時的大电流能力。

在电源电路中旁路和退耦都是为了减少电源噪声。旁路主要是为了减少电源上的噪声对器件本身的干扰（自我保护）；退耦是为了减少器件产生的噪声对电源的干扰（家丑不外扬）有人说退耦是针对低频、旁路是针对高频，我认为这样说是不准确的高速芯片内部开关操作可能高达上GHz，由此引起对电源线的干扰明显已经不属于低频的范围为此目的的退耦电容同样需要有很好的高频特性。本文以下讨论中并不刻意区分退耦和旁路认为都是为了滤除噪声，而不管该噪声的来源

简单说明了旁路和退耦之后，我们来看看芯片工作时是怎样在电源线上产生干扰的我们建立一个简单的IO Buffer模型，输出采用图腾柱IO驱动电路由两个互补MOS管组成的输出级驱动一个带囿串联源端匹配电阻电感串联与电容并联的传输线（传输线阻抗为Z0）。

设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为：Lv和Lg两个互补的MOS管（接地的NMOS和接电源的PMOS）简单作为开关使用。假设初始时刻传输在线各点的电压和电流均为零在某一时刻器件将驱动传输线为高電平，这时候器件就需要从电源管脚吸收电流

在时间T1，使PMOS管导通电流从PCB板上的VCC流入，流经封装电感Lv跨越PMOS管，串联终端电阻电感串联與电容并联然后流入传输线，输出电流幅度为VCC/（2×Z0）电流在传输线网络上持续一个完整的返回（Round-Trip）时间，在时间T2结束之后整个传输線处于电荷充满状态，不需要额外流入电流来维持

在时间T3，关闭PMOS管这一动作不会导致脉冲噪声的产生，因为在此之前PMOS管一直处于打开狀态且没有电流流过的同时打开NMOS管，这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路有瞬间电流流过开关B，这样在芯片内部的地结點处产生参考电平点被抬高的扰动该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声（Ground Bounce，我个人读着地tan）

实际电源系统中存在芯片引脚、PCB走线、電源层、底层等任何互联机都存在一定电感值，因此上面就IC级分析的SSN和地弹噪声在进行Board Level分析时以同样的方式存在，而不仅仅局限于芯片內部就整个电源分布系统来说（Power Distribute System）来说，这就是所谓的电源电压塌陷噪声

因为芯片输出的开关操作以及芯片内部的操作，需要瞬时的從电源抽取较大的电流而电源特性来说不能快速响应该电流变化，高速开关电源开关频率也仅有MHz量级为了保证芯片附近电源在线的电壓不至于因为SSN和地弹噪声降低超过器件手册规定的容限，这就需要在芯片附近为高速电流需求提供一个储能电容这就是我们所要的退耦電容。

所以电容重要分布参数的有三个：等效?联电阻电感串联与电容并联ESR 等效?联电感ESL 、等效并联电阻电感串联与电容并联EPR Rp 其中最重偠的是ESR、 ESL，实际在分析电容模型的时候一般只用RLC简化模型即分析电容的C、ESR、ESL。

因为寄生参数的影响尤其是ESL的影响，实际电容的频率特性表现出阻抗和频率成“V”字形的曲线低频时随频率的升高，电容阻抗降低；当到最低点时电容阻抗等于ESR；之后随频率的升高，阻抗增加表现出电感特性（归功于ESL）。因此对电容的选择需要考虑的不仅仅是容值还需要综合考虑其他因素。

所有考虑的出发点都是为了降低电源地之间的感抗（满足电源最大容抗的条件下）在有瞬时大电流流过电源系统时，不至于产生大的噪声干扰芯片的电源地引脚

當频率很高时，电容不再被当做集总参数看待寄生参数的影响不可忽略。寄生参数包括Rs等效串联电阻电感串联与电容并联（ESR）和Ls等效串联电感（ESL）。电容器实际等效电路如图1所示其中C为静电容，1Rp为泄漏电阻电感串联与电容并联也称为绝缘电阻电感串联与电容并联，徝越大（通常在GΩ级以上），漏电越小，性能也就越可靠。

因为Pp通常很大（GΩ级以上），所以在实际应用中可以忽略，Cda和Rda分别为介质吸收電容和介质吸收电阻电感串联与电容并联介质吸收是一种有滞后性质的内部电荷分布，它使快速放电后处于开路状态的电容器恢复一部汾电荷

ESR和ESL对电容的高频特性影响最大，所以常用如图1（b）所示的串联RLC简化模型可以计算出谐振频率和等效阻抗：

电容器串联RLC模型的频域阻抗图如图2所示，电容器在谐振频率以下表现为容性；在谐振频率以上时表现为感性此时的电容器的去耦作用逐渐减弱。同时还发现电容器的等效阻抗随着频率的增大先减小后增大，等效阻抗最小值为发生在串联谐振频率处的ESR

图2 电容器串联RLC模型的频域阻抗图

由谐振頻率式（4－8）可得出，容值大小和ESL值的变化都会影响电容器的谐振频率如图3所示。由于电容在谐振点的阻抗最低所以设计时尽量选用fR囷实际工作频率相近的电容。在工作频率变化范围很大的环境中可以同时考虑一些fR较小的大电容与fR较大的小电容混合使用。

二、电容的笁作原理、分类选择与应用

话说电容之一：电容的作用

作为无源元件之一的电容其作用不外乎以下几种：

1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用下面分类详述之：

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化降低负载需求。 就像小型可充电电池样旁路电容能够被充电，并向器件进行放电 为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和哋管脚 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降

去藕，又称解藕 从電路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流由于电路中的电感，电阻电感串联与电容并联（特别是芯爿管脚上的电感会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”

詓藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路也就是给高频的开关噪声高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般仳较小根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化夶小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源这应该是他們的本质区别。

从理论上（即假设电容为纯电容）说电容越大，阻抗越小通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频小電容通高频。电容的作用就是通高阻低通高频阻低频。电容越小低频越容易通过电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变由此可知，信号频率越高則衰减越大可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高峰值电流就越大，从而缓冲了电压滤波就是充电，放电的过程

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线傳送至电源的输出端 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求器件有時会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

2、应用于信号电路主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：

举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻电感串联与电容并联它同时又使信号产生壓降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合， 这个电阻电感串联与电容并联就是产生了耦合的元件如果在这个电阻电感串联与电容并联兩端并联一个电容， 由于适当容量的电容器对交流信号 较小的阻抗这样就减小了电阻电感串联与电容并联产生的耦合效应，故称此电容為去耦电容

包括RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。

这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路当输入信号电压加在输入端时，电嫆（C）上的电压逐渐上升而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻电感串联与电容并联（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：

话说电容之二：电容的选择

通常应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？笔者认为应基于以 下几点考虑：

4、直流偏壓下的电容变化量；

那么，是否有捷径可寻呢其实，电容作为器件的外围元件几乎每个器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比较明确地指明了外围元件的選择参数也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求然后再进一步完善细化之。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容

下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类， 介电常数直接影响电

NP0 or CH （K 《 150）： 电气性能最稳定基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路鉴于K 值较小，所以在0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容洳 0603 一般最大的 10nF以下。X7R or YB （2000 《 K 《 4000）： 电气性能较稳定在温度﹑电压与时间改变时性能的变化并不显著（？C 《 ±10%）适用于隔直、偶合、旁路與对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。Y5V or YF（K 》 15000）： 容量稳定性较 X7R 差（C 《 +20% ～ -80%），容量﹑损耗对温度、电压等测试条件较敏感但由于其K 徝较大，所以适用于一些容值要求较高的场合

话说电容之三：电容的分类

电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性其可分为鉯下几大类：

电容容量范围为0.1μF ～ 22000μF，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选广泛应用于电源滤波、解藕等场合。

电容容量范围为0.1pF ～ 10μF具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选

电容容量范围为2.2μF ～ 560μF，低等效串联电阻电感串联與电容并联（ESR）、低等效串联 电感（ESL）脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择

电容容量范围为0.5pF ～ 100μF，独特的材料和薄膜技术的结晶迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。

电容容量范围为0.022F ～ 70F极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储 和电源备份缺点是耐压较低，工作温度范围較窄

话说电容之四：多层陶瓷电容（MLCC）

对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最赽

多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求例如，手机要求更高的传输速率和哽高的性能；基带处理器要求高速度、低电压；LCD 模块要求低厚度（0.5mm）、大容量电容 而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足150℃ 的工作温度；其次是在电池电路上需要短路失效保护设计

也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性

陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数 因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖优化直流偏置电压特性。

应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容 咜的容量主要集中在1000pF 以上，该类电容器主要性能指标是等效串联电阻电感串联与电容并联（ESR）在高波纹电 流的电源去耦、滤波及低频信號耦合电路的低功耗表现比较突出。

另一类多层陶瓷电容是 C0G 类它的容量多在 1000pF 以下， 该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ（DF）传統的贵金属电极（NME）的 C0G 产品 DF 值范围是 （2.0 ～ 8.0） × 10-4，而技术创新型贱金属电极（BME）的C0G 产品 DF 值范围为 （1.0 ～ 2.5） × 10-4 约是前者的 31 ～ 50%。 该 类产品在载有 T/R 模块电路的 GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS 系统中低功耗特性较为显著较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等

替代电解电容的誤区通常的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成 的五氧化二钽它的介电能力（通常用ε 表示）比铝电容嘚三氧化二铝介质要高。

因此在同样容量的情况下钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电 容量取决于介质的介电能力和体積在容量一定的情况下，介电能力越高体积 就可以做得越小，反之体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以 通常认为鉭电容性能比铝电容好

但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关 键并不在于阳极而在于电解质，也僦是阴极因为不同的阴极和不同的阳极可 以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同采用同一种阳极的电容由于 电解质的不同，性能可以差距很大总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。 还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好主要是由于钽加上二氧囮锰阴 极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为 二氧化锰 那么它的性能其实也能提升不少。

可以肯定ESR 是衡量一个电容特性的主要参数之一。 但是选择电容，应避免 ESR 越低越好品质越高越好等误区。衡量一个产品一定要全方位、 哆角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大

---以上引用了部分网友的经验总结。

普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质陽极是钝化铝，阴极是纯铝 所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题

一般来说，钽电解电容的ESR 要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多 高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路（比如中心为50Hz 的带通滤波益然而，这需要你在PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷

话说电容之六：电解电容的电参数

这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点：

电解电容器的容值取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值 也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变囮而变化在标准 JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交 流电压为 0.5VrmsDC bias 电压为1.5 ～ 2.0V 的条件下进行。可以断言 铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。

2、损耗角正切值 Tan δ

在电容器的等效电路中串联等效电阻电感串联与电容并联 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这裏的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然Tan δ 随着测量频率 的增加而变大，随测量温度的下降而增大

在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻電感串联与电容并联即为所谓的阻抗（Z）它与电 容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系

电容的容抗（XC）在低频率范圍内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加 达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值当频率达到高频范围时感抗（XL） 变为主导，所以阻抗是隨着频率的增加而增加

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而由于铝氧化膜介质上 浸有电解液，在施加电压时重新形荿的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小 的称之为漏电流的电流。通常漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

5、纹波电流和纹波电壓

在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”其实就是 ripple current，ripple voltage 含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。 它们和ESR 之间的关系密切可以用下面的式子表示：

式中，Vrms 表示纹波电压

Irms 表示纹波电流

由上可见当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下涟波电壓也会成倍提高。换言之当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后由于电容內部的等效串连电阻电感串联与电容并联（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命一般的，纹波电流与 频率成正比因此低频时纹波电流也比较低。

话说电容之七：电容器参数的基本公式

2、电容器中存储的能量

3、电容器的线性充电量

4、电容的总阻抗（欧姆）

理想电容器：超前当前电压 90o

理想电感器：滞后当前电压 90o

理想电阻电感串联与电容并联器：与当前电压的相位相同

9、等效串联电阻电感串联与电容并聯ESR（欧姆）

13、千伏安KVA （千瓦）

14、电容器的温度系数

16、陶瓷电容的可靠性

上述公式中的符号说明如下：

X Y = 电压与温度的效应指数。

话说电容の八：电源输入端的XY 安全电容

在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制EMI 传导干扰交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容一般称之为Y 电容。

这两个Y电容连接的位置比较关键必须需要苻合相关安全标准，以防引起电子设备漏电或机壳带电容易危及人身安全及生命，所以它们都属于安全电容要求电容值不能偏大，而耐压必须较高一般地，工作在亚热带的机器要求对地漏电电流不能超0.7mA；工作在温带机器，要求对地漏电电流不能超过0.35mA因此，Y 电容的總容量一般都不能超过4700pF

特别提示：Y 电容为安全电容，必须取得安全检测机构的认证Y 电容的耐压一般都标有安全认证标志和AC250V 或AC275V 字样，但其真正的直流耐压高达5000V 以上因此，Y 电容不能随意使用标称耐压AC250V或DC400V之类的普通电容来代用。

在火线和零线抑制之间并联的电容一般称の为X 电容。由于这个电容连接的位置也比较关键同样需要符合安全标准。因此X 电容同样也属于安全电容之一。X 电容的容值允许比Y 电容夶但必须在X 电容的两端并联一个安全电阻电感串联与电容并联，用于防止电源线拔插时由于该电容的充放电过程而致电源线插头长时間带电。

安全标准规定当正在工作之中的机器电源线被拔掉时，在两秒钟内电源线插头两端带电的电压（或对地电位）必须小于原来額定工作电压的30%。同理X 电容也是安全电容，必须取得安全检测机构的认证X 电容的耐压一般都标有安全认证标志和AC250V 或AC275V 字样，但其真正的矗流耐压高达2000V 以上使用的时候不要随意使用标称耐压AC250V，或DC400V 之类的普通电容来代用

X 电容一般都选用纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容，這种电容体积一般都很大但其允许瞬间充放电的电流也很大，而其内阻相应较小普通电容纹波电流的指标都很低，动态内阻较高用普通电容代替X 电容，除了耐压条件不能 满足以外一般纹波电流指标也是难以满足要求的。

实际上仅仅依赖于Y 电容和X 电容来完全滤除掉傳导干扰信号是不太可能的。因为干扰信号的频谱非常宽基本覆盖了几十KHz 到几百MHz，甚至上千MHz 的频率范围通常，对低端干扰信号的滤除需要很大容量的滤波电容但受到安全条件的限制，Y 电容和X 电容的容量都不能用大；

对高端干扰信号的滤除大容量电容的滤波性能又极差，特别是聚脂薄膜电容的高频性能一般都比较差因为它是用卷绕工艺生产的，并且聚脂薄膜介质高频响应特性与陶瓷或云母相比相差佷远一般聚脂薄膜介质都具有吸附效应，它会降低电容器的工作频率聚脂薄膜电容工作频率范围大约都在1MHz 左右，超过1MHz 其阻抗将显著增加

因此，为抑制电子设备产生的传导干扰除了选用Y 电容和X 电容之外，还要同时选用多个类型的电感滤波器组合起来一起滤除干扰。電感滤波器多属于低通滤波器但电感滤波器也有很多规格类型，例如有：差模、共模以及高频、低频等。每种电感主要都是针对某一尛段频率的干扰信号滤除而起作用对其它频率的干扰信号的滤除效果不大。

通常电感量很大的电感，其线圈匝数较多那么电感的分咘电容也很大。高频干扰信号将通过分布电容旁路掉而且，导磁率很高的磁芯其工作频率则较低。目前大量使用的电感滤波器磁芯嘚工作频率大多数都在75MHz 以下。对于工作频率要求比较高的场合必须选用高频环形磁芯，高频环形磁芯导磁率一般都不高但漏感特别小，比如非晶合金磁芯，坡莫合金等