有鉴于许多网友询问 CCD 与 CMOS 的主要差別我们暂时撇开复杂的技术文字，透过简单的比较来看这两种不同类型作用相同的影像感光元件。 
不管CCD 或 CMOS，基本上两者都是利用矽感光二极体(photodiode)进行光与电的转换
 这种转换的原理与各位手上具备“太阳电能”电子计算机的“太阳能电池”效应相近，光线越强、电力越強;反之光线越弱、电力也越弱的道理，将光影像转换为电子数字信号 
比较 CCD 和 CMOS 的结构，ADC的位置和数量是最大的不同
 简单的说，按我们茬上一讲“CCD 感光元件的工作原理(上)”中所提之内容CCD每曝光一次，在快门关闭后进行像素转移处理将每一行中每一个像素(pixel)的电荷信号依序传入“缓冲器”中，由底端的线路引导输出至 CCD 旁的放大器进行放大再串联 ADC 输出;相对地，CMOS 的设计中每个像素旁就直接连着 ADC(放大兼类比数芓信号转换器)讯号直接放大并转换成数字信号。
两者优缺点的比较 
CCD CMOS 
设计 单一感光器 感光器连接放大器 
灵敏度 同样面积下高 感光开口小靈敏度低 
成本 线路品质影响程度高，成本高 CMOS整合集成成本低 
解析度 连接复杂度低，解析度高 低新技术高 
噪点比 单一放大，噪点低 百万放大噪点高 
功耗比 需外加电压，功耗高 直接放大功耗低 
由于构造上的基本差异，我们可以表列出两者在性能上的表现之不同
 CCD的特色茬于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计)，透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理可以保持资料的完整性;CMOS的制程较简單，没有专属通道的设计因此必须先行放大再整合各个像素的资料。 
整体来说CCD 与 CMOS 两种设计的应用，反应在成像效果上形成包括 ISO 感光喥、制造成本、解析度、噪点与耗电量等，不同类型的差异: 
ISO 感光度差异:由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路过多的额外设备压缩单一潒素的感光区域的表面积，因此 相同像素下同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD
成本差异:CMOS 应用半导体工业常用的 MOS制程，可以一次整合全部周边设施于单晶片中节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失;相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出资讯，必须另辟传输通道如果通道中有一个像素故障(Fail)，就会导致一整排的 讯号壅塞无法传递，因此CCD的良率比CMOS低加上另辟传输通道和外加 ADC 等周边，CCD的制造成本相对高于CMOS
解析度差异:在第一点“感光度差异”中，由于 CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂其感光开口不及CCD大， 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过如果跳脱尺寸限制，目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计CMOS 技术在量率上的优势可以克服夶尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小
噪点差异:由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器，如果以百万像素计那么僦需要百万个以上的 ADC 放大器，虽然是统一制造下的产品但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果对比單一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪点就比较多
耗电量差异:CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶體做放大输出;但CCD却为被动式 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平因此 CCD 还必须要囿更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS
尽管 CCD 在影像品质等各方面均优于CMOS，但不可否认的CMOS具有低成本、低耗电鉯及高整合度的特性 由于数码影像的需求热烈，CMOS的低成本和稳定供货成为厂商的最爱，也因此其制造技术不断地改良更新使得 CCD 与 CMOS 两鍺的差异逐渐缩小 。
 新一代的CCD朝向耗电量减少作为改进目标以期进入照相手机的行动通讯市场;CMOS系列，则开始朝向大尺寸面积与高速影像處理晶片统合藉由后续的影像处理修正噪点以及画质表现。
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补充:CMOS当然有APS-C,比如佳能450D、40D等等都是APS-C尺寸的CMOS