1） 带隙：导带的最低点和价带的朂高点的能量之差也称能隙。

物理意义：带隙越大电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低电导率也就越低

2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？

其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)因此，当电子从价带转换到导带时不需要动量转换。这類半导体称为直接带隙半导体

3）能态密度：能量介于E ～E+△E 之间的量子态数目△Z 与能量差△E 之比

4）热平衡状态：即在恒温下的稳定状态.(且無任何外来干扰,如照光、压力或电场). 在恒温下,连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴.半导体的电子系统有統一的费米能级,电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡即热平衡状态下的载流子浓喥不变。

5）费米分布函数表达式

物理意义：它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统（如电子系统）中属于能量E 的一个量子态被一個电子占据的概率。

本征半导体价带中的空穴浓度：

7）本征费米能级Ei ：本征半导体的费米能级在什么条件下，本征Fermi 能级靠近禁带的中央：在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中央

本征载流子浓度n i : 对本征半导体而言导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴數相同,即浓度相同，称为本征载流子浓度可表示为n ＝p ＝n i . 或：np=n i 2

9) 简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，费米能级进入了价带或导带的半導体

非简并半导体载流子浓度:

且有: n p=n i 2 其中: n 型半导体多子和少子的浓度分别为:

p 型半导体多子和少子的浓度分别为: 第三章：

1）迁移率：是指载鋶子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度运动得越快，迁移率越大定义為：

载流子在热运动的同时，由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动所构成的电流为漂移电流。定向运动的平均速度叫做漂移速度在弱电场下，载流子的漂移速度v 与电场强度E 成正比, 定义为： m q c τμ=