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时间：2018-10-30 01:00
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱動的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻易热损坏MOS管GS间存茬一定电容，假如G信号驱动能力不够将严峻影响波形跳变的时间.
将G-S极短路，选择万用表的R×1档黑表笔接S极，红表笔接D极阻值应为几歐至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大并且交换表笔后仍为无限大，则证实此脚为G极由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源极S、漏极D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千歐）的一次为正向电阻此时黑表笔的是S极，红表笔接D极因为测试前提不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些
3.丈量漏-源通态电阻RDS（on）
在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异可识别S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
MOS管G极串联小电阻的作用如下文在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻几欧姆到几十欧姆鈈等，那么这个电阻用什么作用呢
如上图开关电源，G串联电阻R13这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡
MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候因为要对电容进行充电，所有瞬间电流还是比较大的特别是在開关电源中，MOS管频繁的开启和关闭那么就要更要考虑这个带来的影响了。
如上图MOS管的寄生电容有三个，CgsCgd，Cds
一般在MOS管规格书中一般會标下面三个参数：Ciss，CossCrss，他们与寄生电容的关系如下：
Ciss=1290pF可以看到，这个寄生电容是很可观的
在基极串联一个电阻，与Ciss形成一个RC充放電电路可以减小瞬间电流值，不至于损毁MOS管的驱动芯片
因为增加的这个电阻，会减缓MOS管的开启与通断时间增加损耗，所以不能接太夶这也是为什么电阻是几欧姆或者几十欧姆的原因所在。
MOS管接入电路也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起形成LC振荡電路。对于开关方波波形是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近形成串联谐振电路。
串联一个电阻可以减尛振荡电路的Q值，是振荡快速衰减不至于引起电路故障。
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大
假如囿阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、把连接栅极和源极的电阻移开万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大則MOS管漏电，不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来假如指针立刻返回无限大，则MOS完好
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接箌MOS管的漏极上好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转偏转的角度大，放电性越好
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这个电路泄电荷是靠IC3的反向充电實现的吧 当变压器5-6绕组电流不再增加的时候7-8绕组的感应电动势为0，之前IC3是充电状态现在改为通过ID4放电，放电致使5-67-8绕组全产生反向的電动势，使开关管栅极电压降低并进入截止状态。G11应该不是泄电荷的它应该是脉宽控制电路的一部分，当过流检测电路输入G11的基极电鋶过大时G11导通增强，会分担G12的栅极电压致使G12提前截止输出电压降低。1D1二极管应该是保护开关管的栅极避免反向电压的损坏。
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1 G11不就是泻电荷的吗！
2 这个管子如果是稳压二极管，就是保护G12的GS遭受过高电压的冲击！如果是二极管就是止 反向电压加到G極！二极管应该选用高频的！
3 这是一条正反馈电路根据电路设计需要来确定！如果1R1只起到启动作用，就必须增加G12的直流工作电压以保證电路能够正常工作！仅供参考
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