前言：闪存盘是一个日常工作必备的电子产品；其实组成部分也很简单：PCB电路板+USB传输接口+主控芯片+闪存颗粒+产品外壳。可以说本质上就是一个存储的载体，只是闪存盘进入市场也不过短短十几年的时间。

在计算机早期是不具备硬盘的，最常使用的资料、软件存储介质就是软盘（Floppy Disk），第一个软盘是由IBM于1971年开发出的，直径8寸。随着硬件技术的发展与使用的需要，又衍生出5.25寸与3.5寸软盘，并广为使用在Apple II、IBM PC及兼容电脑等。这种资料存储方式在20世纪80至90年代盛行，直至2000年以前，3.5英寸软盘仍是电脑普及设备之一。软盘流行带动了软盘驱动器的兴盛，几乎所有计算机都配置了软驱，换言之软驱是人类第一个广泛使用的磁盘驱动器。

早期的软盘有8英寸、5.25英寸、与3.5英寸三种规格，三者标准容量分别是80KB、1.2MB、1.44MB，其中2000年中后期出现了高密度的3.5英寸软盘，容量达到2.88MB。同年时期推出的闪存盘为存储容量最大只有16MB，那个年代的闪存盘售都高达1000多元。因此软盘一直流行到2004年才正式被大容量闪存盘取代。

国内一直把闪存盘简称为优盘或者是U盘，但其实更确切的来说应该是闪存盘更为值当。

其实USB闪存盘的全球第一个发明者就是中国的朗科公司，想必很多人不太清楚吧。 

鉴于大于128GB的闪存盘体积都偏大不再属于便携范畴，超过128GB的闪存盘还是推荐移动SSD，相对而言移动SSD固态硬盘读写速度都更胜一筹。

只能是说科技进步的变化让闪存盘的核心“闪存”得以快速发展

印象中家里最早的闪存盘就是用的品牌，那是2003年上初中的时候父亲单位上购买的，容量64MB。当时是每MB要十几元，谁能想到9年后闪存盘也能便宜到“白菜价”。

易迅上8G容量只要29.9元，那是自己参加工作以后购买的闪存盘

京东上给同事买的也是同型号的金士顿闪存盘

有群联芯片和安国芯片的主控方案，尽管都是8G但是速度还是略有差异

目前闪存盘的闪存颗粒提供主要由以下六家颗粒厂商瓜分（指可以自己生产闪存颗粒的厂家）：三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、镁光（Micron）、（intel）、海力士（Hynix）、闪迪（SanDisk）

闪存颗粒有三种成品：原厂封装、白片、黑片，基本上使用寿命上原厂封装＞白片＞黑片。

闪存颗粒有三种颗粒的分类：SLC、MLC、TLC，基本上闪存盘在市场中后期普遍以MLC为主，低端型号已采用TCL甚为普遍。

3.0闪存盘占据市场份额最高的就是群联Phison、慧荣SMI、银灿Innostor这三家。（其中由于SanDisk是自家主控芯片不对外授权，因此属于自有品牌不列入其中）

鉴于市场上的闪存颗粒现在主要是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、镁光（Micron）、海力士（Hynix）这四家生产商主要供货各大存储设备品牌使用（三星和东芝自己品牌优先采用自家颗粒），闪迪（SanDisk）一直都是自供自销的，英特尔（intel）貌似现在大部分都是由镁光（Micron）合资工厂提供。

Sandisk虽然推出了很多低价TLC优盘，但其研发能力还是毋庸置疑的，这款CZ80之前推荐过多次了，其读写速度在U盘中基本无人能敌，代表了其在优盘领域耕耘多年的技术实力。用一个字来形容CZ80就是快。这次推荐的64GB的新版本，实测写入速度达到了190MB/s左右，读取速度提升到了245MB/s。

可以说闪迪CZ80 64GB至今仍是平民旗舰级的极速闪存盘，在300元以内便携存储设备的首选，选购给予强烈推荐级别

闪迪是存储领域响当当的品牌了，今天推荐的CZ88便是一款专业级U盘，128GB容量，USB3.0接口，镁铝合金外壳材质，读写速度则是令人咋舌的：240MB/s读取以及240MB/s写入速度（官方数据）。除了硬件规格以外，CZ88还具备闪迪保险箱软件，提供128位AES密码保护以及RescuePro?

这是当时去外地出差给分公司的同事买的闪迪CZ88，当时只花了557.5元，用了京豆17.5元和20元京券。

看的出来CZ88读写速度可以媲美低端SSD了——数据来源于《中关村在线ZOL》

上面是CZ80拆解实物图，下面是CZ88拆解实物图

整体上CZ88相较于CZ80来说本质上就是外壳不一样，一个是金属外壳一个是塑料外壳；两者在PCB版布局上是一一模一样的。相对而言CZ88 vs. CZ80来说读写性能上有着较大的速度提升，可以说在128GB的闪存盘里也属于凤毛麟角了，购买推荐给予强烈推荐级别

金士顿 HyperX Savage 64G采用了群联的主控（PS2251），是一款十分成熟可靠的闪存盘芯片。64G的版本也拥有高达350MB/s的读取速度，在该容量的大品牌里也是值得推荐的型号，选购给予比较推荐级别

金士顿也是在闪存盘领域的资深老品牌了，凭借着自身品牌号召力也是极少数可以直接从晶圆厂商采购闪存颗粒由自家工厂封装并打上自有品牌的Logo。HyperX Savage系列一直是金士顿（Kingston） 旗下闪存盘技术实力的体现，在该价位也能提供读写速度性能非常强大的闪存盘，因此选购值得强烈推荐

3.0接口。网友实测写入速度能达到180M/s，读取220M/s不成问题。速度方面已超过同级别的闪迪CZ80，高端商务使用相当适合。

东芝旗下目前最旗舰的高速存储产品，拥有读写速度高达200MB/s的USB 3.0接口闪存盘。看中东芝品牌的可以考虑这款大容量闪存盘，必定可以满足日常工作的拷贝需求，选购给予强烈推荐

三星对于闪存盘可谓是不遗余力，推出了二合一的手机闪存盘。这也是目前手机闪存盘里的标杆产品。在娇小的身躯里藏着一颗高速的“芯”，对目前移动终端用户来书是一个选择，选购给予比较推荐级别

三星这款兼具备颜值和入门性能的闪存盘可以说是满足了外观控的要求，选购给予比较推荐级别

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还有帝博（Patriot）、雷克莎（Lexar）、海盗船（Corsair ）等超高速USB3.0闪存盘就不做推荐了，那属于海外购的玩家需求，鉴于这三家品牌在国内推出高端旗舰闪存盘受众面较少价格昂贵故不再推荐了

最近一直在看大家在讨论sandisk，pny，金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题，让大家基本都不敢用U盘存数据了
注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写，只读取里面文件的不算
假设你一天需要3次擦写那么
全新的TLC可以用到2014年
全新的mlc可以用到2041年
全新的slc可以给你的孙子的孙子了
大家现在有几个手里还有32M以下U盘的
注明是一直在使用的不是收藏的或者垃圾堆的。。。。。
其实就是想说大的加工厂已经在用tlc了说明这个技术已经没啥问题了，大家玩U盘不要总被这个参数困扰，当然追求读写的还是去买slc吧。tlc读写和mlc感觉区别不是很大

现在的U盘很少见到SLC了，用MLC就已经是厂商对得起良心了。用  可以检测。

  而在NAND闪存方面，受到成本、速率和容量的综合因素考虑，目前市场上主要包括三大类NAND Flash闪存，分别为SLC、MLC和TLC，它们的价格呈阶梯形式，TLC价格甚至直逼0.5美元/GB。

    SLC（Single-Level Cell）NAND采用了单层设计，单个Cell同一时间只能存储1个bit的数据，由于设计结构的简单，具有存储速率快、寿命长的特点，平均寿命大约为10万次，不过产品的容量和成本较高，主要应用在性能级的企业SSD上，另外在一些高端优盘上也可以见到它。

    MLC（Multi-Level Cell）NAND则为双层设计，单个Cell同一时间只能存储2个bit的数据，成本、速率和容量得到了非常好的平衡，目前单颗容量已经高达128Gb（16GB），不过产品的使用寿命大约只有10000次。

现在市场上面有许多TLC的芯片，TLC做的U盘你敢用吗？我不敢！

论坛里有坛友发了QLC的U盘，虽然是个扩容盘，山寨的货。但是也让我们见识到了TLC不是在最底层了，他下面还有个寿命更短的家伙。

有坛友说，很多高速USB3.0给媒体送测的U盘是SLC的，但是市面销售的却为MLC，这很明显是欺骗消费者的。具体回复坛子里有，可是忘哪了。

SLC的优越性能还有寿命这个坛子里都知道，就是  贵。。。所以他被在成本的压力下，变得非常稀少。

MLC已经开始少了，KST，威刚，闪迪等等厂商都已经采用TLC在主流U盘上了。这让大家对这些品牌感到了惋惜。我想这也还是迫于成本的限制吧。

MLC的性能中规中矩，但是价格也适中，制作成U盘速度也不错，像博帝的四通道 USB2.0速度可是逼近SLC的，在USB3.0下，也有不俗的表现，这也是我们一直力挺MLC的原因。

TLC，大家都在唾弃他，但是他还是迎面而上啊，逐渐成为各U盘厂商的宠儿啊，价格低廉，成本也控制的更加低了，所以现在U盘很便宜也是合理的，不过按照现在的价格，MLC和TLC的价格却差得不很大，但是性能却差得好远好远。这个我们不选择TLC也是有道理的。但是由于TLC的加入，U盘的价格不才多姿多彩吗？

QLC，这个我也是几天才发型的新东西，如同我在那帖子的回复一样，我认为他作为一个代替光盘的产品还是不错的，虽然他的是、擦写寿命有限，但是想想光盘的寿命，他已经很客观了，但是价格几多，这个就不清楚了。

作为芯片级的产品，他容量可以做得比较大，不会像光盘一样受到比较大的限制，而且他也不会像光盘一样怕被刮花了。把电影弄进QLC制成的产品，再加入相应的防复杂措施，这也是不错的代替品不是吗？

2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。    目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度:    闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。  。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。  与SLC比较MLC的优势：签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。