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宇瞻/Apacer工业级军工级笔记本内存条SO ECC DIMM DDR全系列 宽温 原装颗粒内存
宇瞻/Apacer工业级军工级笔记本内存条SO ECC DIMM DDR全系列 宽温 原装颗粒内存
此款为DDR2-533CL4微DIMM内存模组。该内存模组的密度从512MB到1GB，由FBGA封装的DDR2-533MHz同步DRAM组成，用于安装在214脚插槽内。
李先生业务经理
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发货地广东 深圳
发货期限15天内发货
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经营模式|招商代理
注册资本|500万人民币
企业类型|有限责任公司（国内合资）
公司地址|广东 深圳 南山区 深圳市南山区西丽镇光前村西区96栋104
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品牌Apacer/宇瞻型号全系列内存类型DDR传输类型DDR2组合形式单条内存容量64MB、 6GB、 4Gbx4、 全系列上市时间2010货源类别订货适用类型笔记本内存频率DDR3 1600插脚数目168pin颗粒封装BGA产品尺寸192.168.1.1产品重量0.03KG最快出货时间16-30天是否支持一件代发不支持发票提供发票售后服务全国联保包装盒装包装清单原厂包装
宇瞻/Apacer工业级军工级笔记本内存条SO ECC DIMM DDR全系列 宽温 原装颗粒内存
突出显示JEDEC标准DDR2速度等级:533 mbps内存组织:×8,x16 FBGA DRAM芯片DDR2接口:SSTL_18CAS延迟:4-4-4带宽:4300 mb / sVDD电压:1.8 + -0.1 vVDDQ电压:1.8 + -0.1 v标准OP温度:0℃~ + 85℃PCB高度:1.181英寸通过无铅认证用途:笔记本简介DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的容量可达到4 G，可显著提升内存模组的容量。此款为DDR2-533 CL4微DIMM内存模组。该内存模组的密度从512MB到1GB，由FBGA封装的DDR2-533 MHz同步DRAM组成，用于安装在214脚插槽内。
供应商信息
深圳市联合宇光科技有限公司专业提供工业级CF/SD卡、工业级DOM电子硬盘、工业级SSD固态硬盘、工业级内存、工业电脑及宽温、军工级固态硬盘系列产品，是一家集整体解决方案、系统集成和产品销售于一体的高新科技企业。?
? ? 公司已经和众多著名的工业存储品牌（Innodisk宜鼎、Apacer宇瞻、PQI劲永 、Transcend创见、Advantech研华等等）建立了稳定可靠的合作关系。
?公司所售产品遍及工业自动化、嵌入式系统、医疗、教育、金融、军工、交通、电信等行业，?一切从客户需求出发，提供符合客户需求的产品与服务。通过售前调查、前期测试和售后充分的技术支援，让用户真正享受无后顾之忧的服务。
500万人民币
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DDR4-2133 ECC-DIMM
DDR4-2133ECC Unbuffered MemoryCL=15
创见DDR4 ECC Unbuffered DIMM内存条专为极需稳定运作的服务器和工作站设计，适用于新一代Intel Haswell平台，内建ECC错误校正功能，能侦测数据并修正错误，并减少多任务运行时的计算错误。每条内存皆采用高品质DRAM颗粒，且具备2133MHz频率，提供每秒高达17GB的传输速率，有效加速系统运作效率。其1.2V低工作电压特性，不但能减低运行时的温度，还能减少内存控制器的电力负荷，相较于标准1.5V电压的DDR3内存条，节能率高达40％，达到节能减碳的目的。
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TS512MLH72V1H
4GB DDR4 2133 ECC-DIMM 1Rx8
TS1GLH72V1H
8GB DDR4 2133 ECC-DIMM 2Rx8
TS2GLH72V1B
16GB DDR4 2133 ECC-DIMM 2Rx8
4 GB8 GB16 GB
1Gx8512Mx8
电路板高度
产品外观因型号不同而有所差异，图片仅供参考，请以实际产品为准。
0°C (32°F) ~ 85°C (185°F)
终身有限保固
更多创见产品保固政策，请点选。
Underfill provides a strong mechanical bond between key components and the underlying printed circuit board (PCB). By spreading stresses throughout the chip and PCB interface with a mechanical bond, less stress is concentrated on the solder joints, increasing device reliability.
Conformal Coating
Conformal coatings can be applied via a range of methods including manual brushing, manual spraying, dipping, or by automated spraying machines.
Wide Temperature
To ensure that all of its devices can be operated under even the harshest conditions, Transcend utilizes wide temperature technology, allowing our flash and DRAM modules to operate and perform reliably in extreme temperatures.
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By using this website, you will be deemed to have agreed to receive the cookies.HP Z系列工作站内存的使用
一、内存基本知识：
1、DDRSDRAM(Double Data Rate SDRAM）简称DDR，也就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本，DDR在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速度为传统SDRAM的两倍。
2、RDIMM即Registered DIMM，表示控制器输出的地址和控制信号经过Reg寄存后输出到DRAM芯片，控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各DRAM芯片 UDIMM即Unbuffered DIMM，表示控制器输出的地址和控制信号直接到达DIMM上的DRAM芯片。
3、第一，二，三代DDR（Double Data Rate）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR代数的符号，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。DDR一代内存，也就是DDR，为双倍并发，也就是常说的2倍速内存；而DDR2为四倍并发，也就是常说的4倍速内存；而DDR3为八倍并发，也就是常说的8倍速内存。ddr2内存传输带宽：4.3GB/sec、5.3GB/sec和6.4GB/PC2 4300、PC2 5300和PC2 6400。DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。
4、CL延迟：CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency，也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
7、内存模式：通道交织，DDR3控制器有两种映射模式：非交织映射和交织映射(interlave). 交织映射，即双通道内存技术，当访问在控制器A上进行时，控制器B为下一次访问做准备，数据访问在两个控制器上交替进行，从而提高DDR吞吐率。支持128byte,256byte,512byte的交织模式。如果要使用交织模式，要保证有两个内存控制器以及两个内存控制器有对称的物理内存(即两块内存大小一致；在各自的控制器上的地址映射一致)
8、memory 1RX4则表示1个64bit(CPU数据总线的位宽,现在一般是64bit, 这个位宽就称之为物理Bank),X4则表示memory每颗内存颗粒的位数，memory内存颗粒的个数为：64/4=16颗。如果是2RX8的话内存颗粒就是:64*2/8=16颗.2RX4就是64*2/4=8颗
所以无论是1RX4，2Rx4或者1RX8，2Rx8，代表的含义可以理解为memory的内存颗粒的个数，而不是单面或者是双面内存。
DDR二代内存：
——PC2-：PC2-6400U表示DDR2内存，U指低压版，频率4X200=800MHz(核心频率200MHz)，666-12表示在这个频率下的时序是6-6-6。
DDR三代内存：
——三星8GB 2Rx4 PC3L-1-E1-D2（hp PN:）:双列4位(两面相同，每一面16个存储芯片，中间多的2个同型号存储芯片用于寄存器，还有1个ECC芯片)三代1333赫兹（10600/8）REG服务器内存，09-10-E1是内存条的CL始终参数。HP Z400不可用，Z420可用。
——镁光8GB 1Rx4 PC3L-1-C2(HP PN:):每一面9个存储芯片，两面各有1个同型号存储芯片用于寄存器，只有一面有1个ECC芯片：ECC REG内存，DDR3 1600（12800/8）的读写带宽，11-13-C2是延迟参数，L=运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V。Z420可用。
二、HP工作站内存使用要求：
— HP Z 系列工作站仅支持 ECC DIMM 内存。
— 请勿将非缓冲 DIMM 内存与寄存 DIMM 内存混用。 否则，系统将无法引导并产生内存错误。
— 为了最大限度提高性能，请为每个 CPU 安装相同数量的 DIMM。 如果工作站具有两个CPU，请成对安装相同容量的内存。
1、HP Z400 工作站
—仅支持无缓冲的 DDR3 DIMM
—单条最大4GB
—支持的内存速度：800 MHz、1066 MHz 和 1333 MHz DDR3&无缓冲（PC3-10600 DDR3-1333MHz&ECC Unbuffered&DIMM）
—已用：4GB 2Rx8 PC3L-1-E3（非REG内存）;2GB 1Rx8 PC3-1-D3（非REG内存）
2、HP Z420 工作站
—8个DIMM插槽与4通道内存架构（每个CPU最多支持4通道），提供最高64GB的ECC非缓冲DDR3&1600MHz内存，单条最大8GB。支持速率：1066-MHz, 1333-MHz, and 1600-MHz DDR3
—Z420使用ECC Unbuffered 内存，另外，如果添加的内存类型没有问题但还是不能正常识别，还需要查看内存的插入顺序，需要先插黑色插槽，插满后再插入白色的插槽，离cpu远的黑色插槽需要先插入。
—Z420工作站没有测试过REG内存， 都是普通的ECC内存， 上单条8G是没问题的，如果您想使用REG内存只能自行测试一下，REG和普通ECC内存不能混插，如果要用REG请都用REG内存。 相比ECC内存， REG价位更高，稳定性相对更好一些。
—已用：8GB 1Rx4 PC3L-1-C2(REG内存);2GB 1Rx8 PC3-1-D3（非REG内存）
3、HP Z640工作站
—内存类型：DDR4-2133 RegRAM ECC
—仅支持寄存式和低负载 DDR4 DIMM，不支持 DDR3 DIMM
—最大支持128 GB DDR4-2400 ECC Registered RAM 、256 GB DDR4-2400 ECC Load-reduced RAM，单条最大16GB(&ECC 寄存型)32GB(ECC 减负型 LR)
1、hp xw4600 开机提示parity check 2
解决：重新启动机器在机器开机出现HP标志的时候按F10进入BIOS 进入BIOS后建议您选择Advanced-Bus Options然后将PCI SERR# Generation设置为disable然后保存退出即OK。
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广播电视节目制作经营许可证(京) 字第1234号 中国互联网协会会员ECC,Non-ECC,Un-buffered内存
是什么意思?_百度知道
ECC,Non-ECC,Un-buffered内存
是什么意思?
内存标准 DDR3 1800(超频)/1600(超频)/ ECC,Non-ECC,Un-buffered内存
我有更好的答案求助知道网友
内存RAM 分为三种 分别是non-ECC,
unbuffered-ECC 和 registered ECC。 前两种为UDIMM ，后一种为RDIMM。 non-ECC是常见的普通消费类内存，也无缓存， unbuffered-ECC则是有ECC但是没有缓存寄存器的内存，
registered ECC则是带缓存寄存器且带ECC的内存。 也就是说你要是用带ECC的 RAM 首先必须要CPU 支持。RDIMM 则需要主板和CPU都要提供支持才可以。
UDIMM中non-ECC和unbuffered的区别在于CPU是否支持ECC因为两者的主板接口和控制器都一样的。Intel 的除了志强之外的CPU 均不支持ECC 也就是说
unbuffered-ECC 和 registered ECC 内存只能在 Xeon上使用，
AMD的绝大部分CPU 都支持ECC，也就是说AMD的CPU都支持unbuffered-ECC内存， 但是只有服务器U如皓龙 才支持RDIMM 内存（当然得配上相应主板）
非ECC，无缓存ECC是“Error Correcting Code”的简写,中文名称是“错误检查和纠正”。ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术如果你的内存自己超频过，请恢复原频率如果是内存没有超频，应该是内存有问题（前提是这个检测软件没检测错）
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