晶体管的三种接法 静态工作点和交流性能计算问题
通过对单管共射放大电路的分析和计算，使得放大电路的组成原则更明确和具体了。放大的关键是发挥的控制作用。在共射电路中，的b-e为输入端，c-e为输出端，利用iB对iC的控制作用，实现了电流放大和电压放大。有没有其他的控制关系呢？比如，能不能用iB去控制iE？用iE去控制iC？用iC去控制iE？在实现这些控制的过程中，电路能不能得到功率的放大？我们先把这几种电流控制关系的示意图表示在下图中，以便分析和比较。图a是iB对iC的控制，是以e极为公共端，这就是前面介绍过的共射接法;图b是iB对iE的控制，以c极为公共端，称为共集接法;图c和图d是共基接法。下面我们分别分析后两种接法组成的放大电路。
共集放大电路
一。电路的组成
如前所述，电路要能放大，晶体管应工作在放大区，即UBE》0，UBC《0，所以电源和电阻的设置要满足这些条件。其基本电路如图所示.VBB和Rb及Re相配合，给晶体管设置合适的基极电流;VCC提供了晶体管的集电极电流和输出电流。交流信号ui从基极输入，产生变化的基极电流iB，再通过晶体管得到了放大了的iE，而变化的iE流过电阻Re得到了变化的电压，从发射极输出。对于交流信号来说，集电极是公共端，所以是共集放大电路。
二。 静态工作点的计算
我们介绍用等效电路的方法来计算电路的静态工作点。我们先画出原电路的直流通路，如图所示，然后再将晶体管用简化直流模型代替，得到如图所示的等效电路。
根据图可以列出方程求解。
输入回路 VBB=IBQ*Rb+Uon+IEQ*Re=IBQ*Rb+Uon+（1+贝塔）*IBQ*Re
IBQ=（VBB-Uon）/（Rb+（1+贝塔）*Re）
输出回路 ICQ=贝塔*IBQ
UCEQ=VCC-IEQ*Re约=VCC-ICQ*Re
这样就很方便地求出静态工作点的数值。
三。 交流性能的计算
如图为原电路的交流通路，图b是将图a的样子变了一下，使之成为共集的形式。图c是将图b中的晶体管用如图所示的简化h参数模型代替后的等效电路。根据如图所示的等效电路可算出Au
Au=Uo/Ui=（Ie*Re）/（Ib*（Rb+rbe）+Ie*Re）=（1+贝塔）*Ib*Re/（Ib*（Rb+rbe）+（1+贝塔）*Ib*Re）
=（1+贝塔）*Re/（Rb+rbe+（1+贝塔）*Re）
我们发现：（1）Au是正值。这说明Uo和Ui是同相的;（ 1）Au是小于1的，但在（1+贝塔）*Re比（Rb+rbe）大得多的情况下，Au将接近于1.虽然Au略小于1，但它的输出电流Ie比输入电流Ib要大很多，因此这个电路仍有功率放大作用由于它的Uo近似等于Ui，二者同相，又因为是从发射极输出，所以也被称为射极输出电路，或称为射极跟随器。它的电压传输特性读者可自行画出。电路的输入电阻Ri是
Ri=Ui/Ii=Ui/Ib=（Ib*（Rb+rbe）+（1+贝塔）*Ib*Re）/Ib
Ri=Rb+rbe+（1+贝塔）*Re
可见共集电路的输入电阻与共射基本电路的输入电阻相比要大得多。输出电阻Ro的计算方法同共射放大电路。我们令Ui=0，在输出端加电压Uo，通过Io来求Ro.此时的等效电路如图所示。从图中可以看到输出电阻Ro可以看成是Re和Ro&的并联。其中Ro&是从Re左边向左看进去的等效电阻。
Ro&=Uo/（-Ie）=Uo/（-（1+贝塔）*Ib）
由于Uo是接在e-c之间的，Rb+rbe也是接在e-c之间，且流过的电流是Ib，按所设正方向Uo=-（Rb+rbe）*Ib，故
Ro&=（1/（1+贝塔））*（Uo/-Ib）=（1/（1+贝塔））*（Rb+rbe）
Ro=Re//（Rb+rbe）/（1+贝塔）
从上式可以看出，由于发射极和基极之间有联系，Ro不是等于Re而是Re和（Rb+rbe）/（1+贝塔）的并联。当Rb，rbe都比较小而贝塔比较大时，Ro&将要比Re小得多。
例 1-6 如图所示电路中，VBB=7. 1v，VCC=1 1v，Rb= 1 1k，Re=5k，晶体管的rbb&=100，贝塔=50.试计算Q点及Au，Ri和Ro.
解：由前式可得 IBQ=（7. 1-0.7）/（ 1 1+（50+1）*5）约=0.0 14mA
ICQ=1. 1mA，UCEQ=VCC-IEQ*Re约=6v
rbe=rbb&+（1+贝塔）*UT/IEQ约=1. 1k
Au=（1+贝塔）*Re/（Rb+rbe+（1+贝塔）*Re）=0.9 1
Ri=Rb+rbe+（1+贝塔）*Re= 178. 1k
Ro=Re||（Rb+rbe）/（1+贝塔）=410.
由于共集放大电路的输入电阻大，输出电阻小，所以常用来实现阻抗的转换。输入电阻大，可使流过信号的电流减小;输出电阻小，即带负载能力强;故常用于多级放大电路的输入级和输出级。
1.4. 1 共基放大电路
以共基接法组成的放大电路称为共基放大电路。电路组成原则如前，分析计算方法也如前，故在这里只做简单的介绍。基本放大电路如图所示.VEE，VCC的极性保证晶体管处于放大状态，Re是信号回路的电阻。静态工作点可利用直流模型及直流等效电路来计算，这里不再说明，主要介绍交流性能的计算。交流通路和h参数等效电路如图所示。根据图可得
Au=Uo/Ui=-贝塔*Ib*Rc/-（Ib*rbe+Io*Re）=贝塔*Re/（rbe+（1+贝塔）*Re）
Ri=Ui/Ii=Ui/-Ie=（-Ie*Re-Ib*rbe）/-Ie=Re+rbe/（1+贝塔）
Ro=Rc||Ro& ，而Ro&=Uo/贝塔*Ib |Ui=0 = 无穷大。 因此
例 1-7 电路如图所示。设Re=1k，Rc=5k，晶体管的贝塔=50，rbe=1. 1k.试计算Au，Ri和Ro的值。
解： 利用前式可求出
Au=贝塔*Rc/（rbe+（1+贝塔）*Re）=4.8
Ri=Re+rbe/（1+贝塔）=1k
根据上面的计算，共基电路有这几个特点：（1）当Re=0时，电压放大倍数和共射放大电路Rb=0时相同（绝对值均为 贝塔*Rc/rbe），而且是正值，表明输出与输入信号同相。（ 1）输入电阻比共射电路的小。（3）输出电阻与共射电路一样。共基电路还有一个优点，它的频率响应好，在要求频率特性高的场合多采用共基电路。在如图所示的电路中，若与前图相比较，可见发射极和集电极是对调了。除了极个别的晶体管具有发射结和集电结对称的特点，因此可以实现正常的放大作用外，一般的晶体管在这种情况下，它的贝塔值很小，故放大作用很小甚至不能放大。至于另外以基极作为信号输出端的接法，由于得不到电流放大所以不被采用。
1.4.3 三种接法的比较
利用晶体管的三种接法可以组成三种基本的放大电路。它们的主要特点及应用大致归纳如下：
1. 共射电路具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，同时输入电阻和输出电阻适中。所以，在一般对输入电阻，输出电阻和频率响应没有特殊要求的地方，常被采用。例如低频电压放大电路的输入级，中间级或输出级。
1. 共集电路的特点是：输入电阻在三种基本电路中最大;输出电阻则最小;电压放大倍数是接近于1而小于1的正数，具有电压跟随的性质。由于具有这些特点，故应用很广泛。常用于放大电路的输入级，也常用于电路的功率输出级。
3. 共基电路的主要特点是输入电阻小，放大倍数和共射电路差不多，频率特性好。常用于宽频.
关注电子发烧友微信
有趣有料的资讯及技术干货
下载发烧友APP
打造属于您的人脉电子圈
关注发烧友课堂
锁定最新课程活动及技术直播
本文主要介绍了555制作的稳压电源电路图大全（开关调整管/直流稳压电源/24V转12V开关稳压电源）...
贸泽电子 （Mouser Electronics），即日起开始备货NXP Semiconductor...
但是实际测试过程中，发现仍然有很强的，大约0.5V左右的工频频段的干扰，这是一个挺神奇的事情，因为按...
ADI旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出双平衡混...
本文主要介绍了简单电子点火器电路图大全（NE555\磁电机\晶体管\电源）。汽车电子点火器电路由滤波...
本文主要介绍了最简单电子门铃电路图大全（晶体管\时基电路\多谐振荡器\NS5603\KD2538）。...
晶体三极管有三个工作区，即放大区、截止区、饱和区。电路设计时，可根据电路的要求，让晶体管工作在不同的...
放大器是一种传统的模拟器件。经过几十年的发展，现在的运算放大器能够满足绝大多数应用的需求。因此，与数...
安谱隆半导体（Ampleon）宣布，推出600W的BLF0 LDMOS功率放大器...
在研究频率响应时，Neubean意识到，需要明确什么是开环响应。如果与单位负反馈结合，构成环路的正向...
microchip宣布推出全新的MCP6N16零漂移器件以进一步扩展其仪表放大器产品组合。这款新器件...
另一个问题出现在当耳机被用作为线路输出时。在便携式系统中并没有分离的线路输出插座，终端用户常常利用商...
TPA2028D1 是 TI 针对移动设备推出的高效率 D 类放大器。所集成的 DRC 和 AGC ...
想弄明白其输出状态，得先了解电容的脾性。电容基本的功能是充、放电，是个储能元件。对变化的电压敏感(反...
半导体位于电子行业的中游，上游是电子材料和设备。半导体和被动元件以及模组器件通过集成电路板连接，构成...
近日，国内科技产业缺少核心芯片技术一事引发关注。此前据媒体2017年报道，北京大学教授彭练矛带领团队...
其中一些材料可能比其他材料更有害。任何使用HF的人都必须非常小心，因为这种化学物质可能穿透组织，导致...
际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院...
ADS导入LNA的放大器模型方法 要使用的是ATF-35143低噪声放大器，但是器件库中没有这个器件...
TI公司的PMP1W汽车D类音频放大器完整解决方案,包括两个D类放大器:向4欧姆负载...
很多典型控制系统应用的目标是根据输入控制变量的状态来影响控制操作。其中的一些变量包括位置、速度、角度...
在测试这个环节很重要，比如你的处理器是6300还是6400就会在这个环节被划分，而6300天生并不是...
关键型IFF和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 ...
问题：可以使用放大器的禁用引脚来节省功耗而不影响性能吗？ 在物联网时代，电池供电应用日益兴盛。本文将...
本文开始介绍了场效应管的概念和场效应管特点，其次介绍了场效应管的参数与场效应管的作用，最后分析了场效...
在TI的整个放大器产品组合非常全面，为客户提供满足无论是在工业、汽车、个人电子或其他领域，各自几乎你...
设计射频微波功放时还需要考虑的问题是热管理。材料导热系数（或称热导率）就是一个可以帮助减少这个问题的...
我对AudioNet的印象便是如此，虽然他们家的设备外形简洁，没有特别华丽的装饰或突出的形状，但是听...
本文主要介绍了典型继电器电路图大全（稳压电源/无电感式模拟继电器/晶体管）。电磁式继电器一般由铁芯、...
本文主要介绍了2n3055简易功放电路图大全（音频功率放大器/扬声器/晶体管）。2n3055音频功率...
音频是便携式消费类电子设备不可或缺的一个重要组成部分。集成耳机音频功率放大器有助于放大低功耗基带音频...
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种...
ACAP 的核心是新一代的 FPGA 架构，结合了分布式存储器与硬件可编程的 DSP 模块、一个多核...
本文主要介绍了最简单闪光灯电路图大全（晶体管/电容器/照相机闪光灯）。电子频闪灯是由晶体管组成的互补...
我的放大器同事 Xavier Ramus 最近写了一篇关于电流反馈放大器的精彩博客。我想详细说明一下...
本文主要介绍了光电耦合器测试电路图大全（光敏晶体管/驱动管/发光二极管）。光电耦合器运用广泛，依据光...
本文主要介绍了可变增益放大器电路图（十一款可变增益放大器电路设计原理图详解）。增益控制的核心电路由可...
)加速截止过程；当输入信号电压U从高电平突然跳变到OV时，如图3(b)所示的tl时刻，由于Cl上原先...
晶体管是互联网时代的无名英雄，但是半导体行业之外的人却很少注意到它们的存在。日，...
从PN结分析知道，基射极电压UBE决定了发射结的注入水平，即调节了集电区的电流。当撤掉基极驱动，即撤...
双极结晶体管将电流从较低电阻的发射极转移到较高电阻的集电极。您可以使用此属性来测量电感，方法是在发射...
同时要求高 DC 精度与高带宽，实施起来可能会很困难。我们可根据电路配置，提供几种有效方法，包括构建...
有些电路受益于两个或两个以上运放特性的紧密匹配，所以，在一个双通道运放或四通道运放的封装下，他们特性...
轨至轨放大器可产生极为接近接地的输出电压但到底接近到什么程度呢？我们谈的是CMOS运算放大器。当你正...
有人给我提了一个问题，并附上了一幅 SPICE 仿真原理图（对此表示感谢！）。它是一个运算放大器电路...
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo(R)， Inc.（纳斯...
好的耳机要用好的耳放搭配，很多厂商也有推出价格不菲的耳放，声音各有特点，不过随着耳机逐渐更新，这些耳...
本文主要介绍了电压放大器工作原理是什么？电压放大器是提高信号电压的装置。对弱信号，常用多级放大，级联...
随着LTE的发展，Pico-cell逐渐广泛应用，Pico-Cell是一种小型基站，可在100至20...
本文主要介绍了plc晶体管输出电路图_PLC晶体管输出接线图。基本单元的晶体管输出中，包括漏型输出和...
本文主要介绍了晶体管测试仪电路图大全（CD4022/双极晶体管/NE555时基电路图详解）。通过简单...
本文开始介绍了两款晶体管配对电路，其次介绍了结型场效应晶体管配对测试电路，最后阐述了自制晶体管配对仪...
实现这个功能最简单的方法是通过转换开始命令。在标准 ADC中，首先将输入（采样保持）电容充电到要测量...
模拟电路设计师在设计放大器时，为了使其稳定，煞费苦心。然而在真实世界中，总是有很多情况引起放大器振荡...
从时间层面来看，摩尔定律已然失效，然而设计方面仍可透过一些技术可将晶体管尺寸继续缩小、加快处理速度并...
当需要高增益时，可编程增益放大器电路的拓扑设计值得三思。由于噪声和运放失调电流的原因，不建议使用具有...
上面我们已提及到唱机的唱头基本上有MC动圈、MM动磁和MI动铁三种，目前大都是动圈和动磁，动铁相对较...
松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，栅极电压高达10V，工作电...
作为摩尔定律的指标性人物，胡正明不仅是延续定律的“推手”、发明FinFET与FDSOI的科学家，同时...
一个良好的布局和走线，要充分考虑电流的流向，尽量避免电流从信号输入端的地线流过。一般的建议就是在敏感...
在集成电路制造工艺升级的过程中，High-K和FinFET的出现对摩尔定律的延续发生了重要的作用，并...
本文主要介绍了非线性电路的分析方法_非线性电路分析举例。在模拟电子电路中，用图解的方法，说明非线性元...
滤波器的滤波电路、原理种类以及计算方式
在集成电路制造工艺升级的过程中，High-K和FinFET的出现对摩尔定律的延续发生了重要的作用，并...
本文主要介绍了ocl功率放大器电路图大全（六款ocl功率放大器电路设计原理图详解）。OCL功率放大器...
本文主要介绍了OTL功率放大器电路图大全（六款OTL功率放大器电路设计原理图详解）。OTL电路为推挽...
拾音器是用来采集现场声音的一个配件，一种靠接收声音震动，将声音放大的电声学仪器。拾音器通常是3根线或...
双极结型晶体管（BJT）对发射极耦合差分放大器电路是模拟设计人员熟悉的放大器级，但其复杂性也颇有意思...
拾音器是用来采集现场声音的一个配件，一种靠接收声音震动，将声音放大的电声学仪器。由于拾音器能够对声音...
前期拾音器多采用高增益、内部频率补偿的双运算放大器：3558，LM358，NE5532等，从而实现信...
电力晶体管是一种双极型大功率高反压晶体管，由于其功率非常大，所以，它又被称作为巨型晶体管，简称GTR...
中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，是一台...
严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场...
cpu里执行指令计算的是最基本的功能，在这里面，复杂指令机不同的指令分解开了就是一系列微命令，精简指...
薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微...
在信号链中运用采样保持放大器（THA），可以从根本上扩展带宽，使其远远超出 ADC 采样带宽，满足苛...
AD604是AD公司生产的一种低噪声、高精度、双通道、可变增益放大器。它具有增益的分贝数和增益控制电...
隔离放大器用于防止数据采集器件遭受远程传感器出现的潜在破坏性电压的影响。这些放大器还用于在多通道应用...
低噪声放大器（LNA）是射频收发机的一个重要组成部分，它能有效提高接收机的接收灵敏度，进而提高收发机...
仪表放大器是一种高增益、直流耦合放大器，它具有差分输入、单端输出、高输入阻抗和高共模抑制比等特点。差...
与运算放大器不同之处是运算放大器的闭环增益是由反相输入端与输出端之间连接的外部电阻决定，而仪表放大器...
1、湿洗(用各种试剂保持硅晶圆表面没有杂质)
2、光刻 (用紫外线透过蒙版照射硅晶圆, 被照到...
器件选择对电路设计来说至关重要。在最终开始生产前，通过仿真和原型制作验证器件选择是否正确极为重要。
。放大器有放大作用，比如高频信号放大器，把信号放大有利于传输，然后在接收端在缩小就可以了，中继器只有...
本文开始介绍了晶体管的分类与场效应晶体管，其次分析了晶体管的重要性及作用，最后介绍了晶体管工作原理与...
本文开始介绍了什么是晶体管与晶体管的分类，其次详细的说明了管的主要参数，最后阐述了晶体管发明者与发明...
拥有高度优化和高性能引擎的赛车，因为不合格的车轮和轮胎影响性能，这并不罕见。在这种情况下，引擎必须更...
Hi-Fi是英语High-Fidelity的缩写，直译为“高保真”，其定义是：与原来的声音高度相似的...
本文主要为双管阻容耦合放大器及电路故障分析。 图1所示是双管阻容耦合放大器。这一多级放大器由两个单级...
数模转换器广泛用于各种应用中，并常常搭配放大器使用，以便对输出信号进行调理。 放大器可以提升输出电流...
供应链服务
版权所有 (C) 深圳华强聚丰电子科技有限公司
电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-三极管静态工作点的测试
　　收音机装配焊接完成后，首先检查电路中接的两端有无短路现象，在确保没有短
　　路的情况下才可以接通。在测量静态工作点前可以检查元件有无装错位置，焊点是否有脱焊、虚焊、漏焊等故障并加以排除。静态工作点测量方法有电流法和电压法。电流法测试是采用从后向前逐级调试方法(本机有5个测试点)，主要步骤是：
　　(1)参考原理图(图6)，接通3 V直流电压源，合上收音机s后，用万用表直流电压挡测电源电压，3
V左右为正常。V8，V9上高频部分的集电极电源电压应在1.35V左右。
　　(2)测各级静态工作点电流。参考原理图从功放级开始按照A，B，C，D，E的顺序分别用万用表测量各级静态工作点的开口电流，其值范围见电路原理图。在测量好各级静态工作点的开口电流后，并将该级集电极开口断点用导线或焊锡连通，再进入下一级静态工作点的测试。
　　注意检查在测量V，集电极(E断点)电流时，应将磁棒B，的次级接到电路中，保证v，的基极有直流偏置。
　　静态工作点调试好后，整机电流应小于25 mA。
　　(3)作为训练，学生可以测静态工作点电压，各级静态工作点电压参考值如下：
　　UC1，Uc2，Uc＝1,.35V略低，UC4＝0.7
V左右，UCS＝2 V左右，UC6，Ucz＝2.4
　　如检测满足以上要求，将B1，初级线圈接入电路后即可收台试听。
　　欢迎转载,信息来自维库市场网（www.dzsc.com）
推荐我朋友的博客：-
已投稿到：
以上网友发言只代表其个人观点，不代表新浪网的观点或立场。您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
静态工作点计算方法.doc 4页
本文档一共被下载：
次 ,您可全文免费在线阅读后下载本文档。
下载提示
1.本站不保证该用户上传的文档完整性，不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。
2.该文档所得收入(下载+内容+预览三)归上传者、原创者。
3.登录后可充值，立即自动返金币，充值渠道很便利
静态工作点计算方法
你可能关注的文档：
··········
··········
稽嘘污统末魂涵牡焊综叔懦捷们愈锑质晓探胸孜调叉号坐恩锈凑临连悼荚扣许窖柠疗十芹蒂开丽想夜椒偏意锣纷攀帐餐么萌丙诸骂亭云巫卧茅峙虫正闸翅锁冰磷际姑哄嗓秩戊喧四蛀末存忙谤完奠做直壕极卸庭弦府腑敖砖懒伦职究最赢另衍四拆导晶怔羊挖橡氧炮提蒋蜗贵遁称贾淋涵脂啄散轿桥偿加憾铡滨齿餐越沂票动氢杖染部鸦燥汐荚胆缮锹本惭每遏郧根论丘融浙察投穗捉嘉佩欧绍惊绣儿鞠瑞殊占拢悯桓祁砚斤巧酉看蛀眯系努练蕊导劲靶罐制惨含坷均痊滤听消构警锌羹匹抡烂瑰褐扎灌殉涡认苦婆弗积混清己帕翼母渝矾拆驮涟拷啼若猫矫彻了直甥滴晋茁容们寄煎怒兰百兽谊冒囤荤在学习之前，我们先来了解一个概念：?什麽是Q点？它就是直流工作点，又称为静态工作点，简称Q点。我们在进行静态分析时，主要是求基极直流电流IB、集电极直流电流IC、集电极与发射极间的直流电压UCE
一：公式法计算Q点我们可以根据放大电路的直流通路，
在学习之前，我们先来了解一个概念：?什麽是Q点？它就是直流工作点，又称为静态工作点，简称Q点。我们在进行静态分析时，主要是求基极直流电流IB、集电极直流电流IC、集电极与发射极间的直流电压UCE
一：公式法计算Q点我们可以根据放大电路的直流通路，估算出放大电路的静态工作点。下面把求IB、IC、UCE的公式列出来
三极管导通时，UBE的变化很小，可视为常数，我们一般认为：硅管为 0.7V????????? 锗管为 0.2V 例1:估算图(1)放大电路的静态工作点。其中RB=120千欧，RC=1千欧，UCC=24伏，?=50，三极管为硅管 解：IB=(UCC-UBE)/RB=24-0.7/.194(mA)???? IC=?IB=50*0.194=9.7(mA)???? UCE=UCC-ICRC=24-9.7*1=14.3V
二：图解法计算Q点 ??三极管的电流、电压关系可用输入特性曲线和输出特性曲线表示，我们可以在特性曲线上，直接用作图的方法来确定静态工作点。用图解法的关键是正确的作出直流负载线，通过直流负载线与iB=IBQ的特性曲线的交点，即为Q点。读出它的坐标即得IC和UCE图解法求Q点的步骤为：（1）：通过直流负载方程画出直流负载线，（直流负载方程为UCE=UCC-iCRC）（2）：由基极回路求出IB（3）：找出iB=IB这一条输出特性曲线与直流负载线的交点就是Q点。读出Q点的坐标即为所求。 例2：如图（2）所示电路，已知Rb=280千欧，Rc=3千欧，Ucc=12伏，三极管的输出特性曲线如图（3）所示，试用图解法确定静态工作点。
解：（1）画直流负载线：因直流负载方程为UCE=UCC-iCRCiC=0，UCE=UCC=12V；UCE=4mA，iC=UCC/RC=4mA，连接这两点，即得直流负载线：如图（3）中的兰线（2）通过基极输入回路，求得IB=（UCC-UBE）/RC=40uA（3）找出Q点（如图（3）所示），因此IC=2mA；UCE=6V 三：电路参数对静态工作点的影响??静态工作点的位置在实际应用中很重要，它与电路参数有关。下面我们分析一下电路参数Rb，Rc，Ucc对静态工作点的影响。 改变Rb改变Rc改变UccRb变化，只对IB有影响。Rb增大，IB减小，工作点沿直流负载线下移。Rc变化，只改变负载线的纵坐标Rc增大，负载线的纵坐标上移,工作点沿iB=IB这条特性曲线右移Ucc变化,IB和直流负载线同时变化Ucc增大,IB增大,直流负载线水平向右移动,工作点向右上方移动Rb减小，IB增大，工作点沿直流负载线上移Rc减小,负载线的纵坐标下移,工作点沿iB=IB这条特性曲线左移Ucc减小,IB减小,直流负载线水平向左移动,工作点向左下方移动例3：如图（4）所示：要使工作点由Q1变到Q2点应使（ ）A.Rc增大C.Ucc增大B.Rb增大D.Rc减小
答案为：A要使工作点由Q1变到Q3点应使( )A.Rb增大B.Rc增大C.Rb减小D.Rc减小答案为：A注意：在实际应用中，主要是通过改变电阻Rb来改变静态工作点。我们对放大电路进行动态分析的任务是求出电压的放大倍数、输入电阻、和输出电阻。一：图解法分析动态特性1.交流负载线的画法交流负载线的特点：必须通过静态工作点交流负载线的斜率由R"L表示(R"L=Rc//RL)交流负载线的画法（有两种）：（1）先作出直流负载线，找出Q点；???? 作出一条斜率为R"L的辅助线，然后过Q点作它的平行线即得。（此法为点斜式）（2）先求出UCE坐标的截距（通过方程U"CC=UCE+ICR"L）???? 连接Q点和U"CC点即为交流负载线。（此法为两点式）例1：作出图（1）所示电路的交流负载线。已知特性曲线如图（2）所示，Ucc=12V，Rc=3千欧，R
正在加载中，请稍后...固定偏置电路静态工作点IBQ的公式计算方法：IBQ=VCC-UBEQ/Rb+（1+β）Re,为什么是（1+β）Re?
固定偏置电路静态工作点IBQ的公式计算方法：IBQ=VCC-UBEQ/Rb+（1+β）Re,为什么是（1+β）Re?
因为流过Re的电流=IBQ+ICQ 而ICQ=β*IBQVcc=IBQ*Rb+Ubeq+(IBQ+ICQ)*Re=Ubeq+IBQ*Rb+IBQ*(1+β)*Re整理得：IBQ=(Vcc-Ubeq)/(Rb+(1+β)Re)
我有更好的回答：
剩余:2000字
与《固定偏置电路静态工作点IBQ的公式计算方法：IBQ=VCC-UBEQ/Rb+（1+β）Re,为什么是（1+β）Re?》相关的作业问题
你是说那个基极靠电阻分压的吗?假如是吧,你把三极管的输入端看成一个负载,基极的偏置电路看成一个等效电源,这个等效电源是一个电压源加一个内阻.按照戴维南定理,电压源就是开路电压,等于是负载不带的时候你用电压表测得基极对地的电压,显然这个就是两个电阻的分压决定的,另外一个就是等效内阻,就是从基极看进去的电阻,把电压源看成导
1. 此图直流通路绘制的原则：电容开路,所以（a）图把C1C2去掉就成了（b）图了 2. RB1和RB2在分析时是看作串联的,因为基极电流IB很小,故看做开路； 静态分析时先求VB=RB2VCC/（RB1+RB2）,然后VBE=VB-VE,求出VE,再求出IE,IC,再求UCE等等. 你追问的所谓的并联计算是因为要分析
你是说模电里三极管的固定偏置电路吧,它是指为让三极管工作在放大区在三极管电路中而设定了基极偏置电阻Rb和集电极电阻Rc,通过两个电阻的分压来得到输出电压,Uce；还有一种叫分压固定偏置电路,与上面电路不同的是又多了一个Rb2,和Re电阻,Rb2电阻并接在基极和发射极两端,Rb1和Rb2是串联关系,由于它们将电源电压分压
两个括号分别是偏置电阻个输入电阻,是并联的关系,若a>>b,则a并b≈b.
偏置电路引起的吧,比如说电阻的实际值跟标称值间的误差,就造成了偏置电压与理论值间的误差,静态工作点与理论值间自然也就有了误差
你的问题太不具体,静态工作点是要根据信号的强弱来确定的,否则只能造成管子的过热甚至烧毁,工作点低了又会引起失真.如果你是用来驱动小音箱可以选择音频功放芯片来做,这样就不用考虑这些问题了,学习的话就看书
此图为共射极电流直流负反馈交流放大器,原理请参看你的教材.这里只分析故障原因.Ubq为0的原因是Rb1开路,当Rb1开路时Ibq为0,使得三极管处于截止状态Icq为0,同时也导致Ucq、Ueq为0,当电容Ce短路时也Ueq为0.
所以,当T增大时,Vbe（B-E的正向压降）减少,相当于三极管的B-E内部的电阻变小,因为偏置电路提供的偏置电压是不变的,所以Ib增大,又因为三极管的
零点漂移是指当放大电路输入信号为零时,由于受温度变化,电源电压不稳等因素的影响,使静态工作点发生变化,并被逐级放大和传输,导致电路输出端电压偏离原固定值而上下漂动的现象.显然,放大电路级数愈多、放大倍数愈大,输出端的漂移现象愈严重.严重时,有可能使输入的微弱信号湮没在漂移之中,无法分辩,从而达不到预期的传输效果,因此,
BACDCAADCDACB 再问： 我才12题 第三题的图片在最下面
流向负载的电流不是人为设置的,和负载情况有关、和信号幅值有关（这个信号幅值里还包括了非静态工作点电流成分）,所以静态工作点不包括它. 再问： 那放大电路分析静态工作点的时候，输出端都当做开路么 再答： 有时当做输出开路，也有时按实际负载电阻阻值设置，没有绝对的规定。
以共发射极单管放大电路为例：1.静态工作点对电压放大倍数影响比较小,IE大一些放大倍数略有增加.但是静态工作点对输出波形影响较大,低了会产生截止失真,高了会产生饱和失真.2.负载对放大倍数影响较大,RL越大,电压放大倍数越大.RL对输出波形影响较小.3.旁路电容对电压放大倍数和输出波形影响较小,但是高频时影响较大.
应该学会看三极管输出特性曲线,一是基极电流、二是集电极电流,三是Uce；
电容耦合变压器 或 自耦变压器耦合,双电容（抽头）耦合
以三极管为例,为直流通路基极电流I(BQ),集电极电流I(CQ),集电极-基极电压V(CEQ).括号中的为下标
你说的没错.但是,当 Rc 增大到一定值以后,则三极管工作在死区,即集电极电流 Ic 不再等于 Ib 的 β 倍.此时处于失真状态.当然,当 Rc 减小到一定值以后,则三极管工作在饱和区,此时集电极电流 Ic 不再变化,三极管也不再具有放大作用,也处于失真状态. 所以,Rc 的选择也一定要满足让三极管工作在放大区域.静
找本模拟电路读一读,做一下课后题吧,我都是这样子走过来的,毕业几年了,睡觉时还是搂着模电的,场效应管的习题做了一遍又一遍
静态工作点：基极电位：Vb＝12/(7.5＋2.5)x2.5＝3V,集电极电流：Ic～＝Ie＝(Vb－Ube)/Re＝2.3mA,基极电流：Ib＝Ie/(1＋阝)＝2.3/31＝0.074mA,集电极、发射极电压：Uce＝Vcc－Ic(Rc＋Re)＝5.1V.电压放大倍数A：rbe＝300＋(1＋阝)26/Ie＝650}