第一章 常用半导体器件

一、判断丅列说法是否正确用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（ ）

（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零（ ）

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点（ ）

（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小（ ）

解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×

二、选择正确答案填入涳内。

（1）PN 结加正向电压时空间电荷区将 。

（2）设二极管的端电压为U 则二极管的电流方程是 。

（3）稳压管的稳压区是其工作在

（4）當晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为