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【科普】【SSD/U盘】SLC MLC TLC 傻傻也能分清【转】
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原理图浅谈好吧，这会是很枯燥乏味又很多人想知道却也更多人有看没有懂的部分......谈 SLC & MLC 之前我们得先了解一下 NAND-Flash 的存储原理，下图就是最小单元的基本架构：　　我们晓得计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1，就像电影《黑客任务》中母体不停跑动连串的 0与1一样，原则上，只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态，便可以拿来纪录数据。在 NAND-Flash 中，当我们需要写入数据时，会在图中的控制闸（Control Gate）施加高电压，然后允许源极（Source）与汲极（Drain）间的 N信道（N-Channel）流入电子，等到电流够强，电子获得足够能量时，便会越过浮置闸（Floating Gate）底下的二氧化硅层（SiO2）为单元所捕获，这个过程我们称之为穿隧效应（Tunnel Effect）；一旦电子进入了浮置闸，即使移除，只要没有足够能量，电子是无法逃离底下的二氧化硅层的，捕获电子的状态便会一直维持下去，时间可以长达十数年之久，视用来绝缘的二氧化硅层耗损状况而定。读取数据时，我们同样会在控制闸施加电压，好吸住浮置闸里的电子，但不用到穿隧注入（Tunnel Injection）电子时那么高，同时让 N通道流过电流，利用电流来感应浮置闸里电子捕获量的多寡，靠感应强度转换为二进制的 0与1，最后输出成数据。假如我们需要擦除数据，就必须靠释放浮置闸里头的电子来达成，此时我们不会对控制闸施加任何电压，而是反过来对单元底下的 P型半导体（P-Well）施加电压，源极与汲极间的电流流过二氧化硅层底下的 N通道时会反向让浮置闸里的电子再次穿越二氧化硅层被吸引出来，我们称之为穿隧释出（Tunnel Release）。SLC MLC TLC 简单分析　　SLC Single-Level Cell，意味着每个存储单元只存放 1bit讯息，靠浮置闸里电子捕获状态的有或无来输出成数据（即使在 0的状态浮置闸里其实还是有电子，但不多），也就是最简单的 0与1；MLC Multi-Level Cell，意味着每个存储单元可存放 2bit讯息，浮置闸里电子的量会分为高、中、低与无四种状态，转换为二进制后变成 00、01、10、11。2009年 TLC Triple-Level Cell 架构问世，更进一步将浮置闸里的电子捕获状态分成八种，换算成二进制的 000、001、010、011、100、101、110、111，也就是 3bit。　　SLC 与 MLC 的比较主要可以分为寿命、成本、功耗、效能与出错率五个面向。　　首先是寿命问题，要谈这个我们又得回到上面那不是很好消化的原理图与介绍。我们晓得（如果你有懂的话）固态存储数据主要靠单元中浮置闸所捕获电子的量，电子要进入或离开浮置闸都得藉由穿隧效应进出用来阻挡电子的二氧化硅层，问题也就出在这；二氧化硅层其实只有 10nm左右厚度，在每一次的穿隧注入电子或释出时，二氧化硅的原子键会一点一点地被破坏，数据的擦除工作会愈来愈慢，因为电子会慢慢占据原本用来绝缘的二氧化硅层，抵销掉施加在控制闸上的电压，导致需要更高电压才能完成工作，而这会让氧化物更快被击穿，等到整个二氧化硅层被电子贯穿，该单元也就正式寿终正寝啦。SLC 只有有或无两种状态，MLC 却有四种电压状态，为了达到这四种状态，电子得频繁出入二氧化硅层，加速单元的耗竭，这也就是为什么 SLC 可以有十万次擦写寿命而 MLC 却只有一万次的原因；当然啦，TLC更惨，平均只有五百到一千次擦写寿命，所以主要拿来做市售的亲民价随身碟。　　读到这里如果不计算一下，十万次、一万次、一千次对你或任何人而言可能不会有太大意义，且让我们拿 2013年一般消费者可以负担得起的 32GB随身碟来试算。假设您手上的是最便宜的 TLC随身碟，以家庭或中小企业用户会全面汰换一台计算机的生命周期五年为例，(32x1000)/(5x365.25) = 17.522，这意味着您得每天写入 17.522GB的资料，才有办法在五年内公司或家中计算机资源回收前把一只 TLC随身碟操坏；若您手上是 MLC随身碟，则是 175.222GB，SLC随身碟则更是高达 GB，每天哟！没关系，换一种算法，假设您每天会写入 32GB数据数据到随身碟上，一只 32GB TLC随身碟则可以用 (32x1000)/(32x365.25) = 2.738年，而你的 MLC随身碟碟则可以用上 27.376年，SLC则是 273.785年，足够让你放在祠堂里作为传家之宝（不过里头资料也顶多只能记忆十几年，因为即使在不通电的状态下，每天每个单元中还是会有 5颗电子逃离逸散掉）！由于不写入数据只有读取时，电子不会出入二氧化硅层，厂商通常都会标示可以无限次读取，然而事实上即使只有读取，仍旧会耗损二氧化硅的键结，再加上颗粒质量可能有良莠，厂商或许会不诚实等有的没的因素，先让我们暂时保守估计这支随身碟只有 50%的寿命。　　这时我们就得引进两种主要让固态硬盘延长寿命的技术了，耗损平衡（Wear-Leveling）与坏块管理（Bad Block Management）。　　所谓的耗损平衡又称均衡抹除技术，我们知道一个固态硬盘单元愈常被读取，二氧化硅层就会愈快被电子贯穿，导致存储效能低落，为了解决这个问题，厂商会运用不同的计算法则，将数据分散写进不常使用的区块，使得整颗硬盘每个区块寿命都能大致相同，而当坏块一个接一个出现的时候，也就是这颗固态硬盘大限将届的时候。均衡抹除算法有动态与静态，动态（Dynamic）是在写入数据前，先看看哪些空白区块写入次数较少，在实际写入时先将数据分配进这些区块；而静态（Static）则是对某些因长期储存固定数据而导致写入次数极低的区块，先将数据备份到其他区块上，然后再抹除原本区块以便参与循环。均衡抹除算法每家厂商都不尽相同，有时不同算法对固态硬盘效能会有极大影响。　　坏块管理顾名思义，就是管理提前阵亡的坏块。事实上，每颗用来作为的颗粒，即使是最高等级，出厂时也都会有坏块，厂商会先将这些坏块标记封存起来，然后保证在硬盘的生命周期内，每个颗粒的好块总数不会低于某个值，如一个 SLC颗粒 4096个区块里要有 3996个区块能在生命周期十万次擦写寿命内正常运作，我们称为最小有效块值（NVB-minimum number of valid blocks），出厂后在消费者手中产生的坏块则必须靠固态硬盘的主控芯片来判断隔离，避免数据误入坏块无法储存日后也无法读取；坏块管理完全仰赖各大厂主控芯片里的逻辑运算，所以主控芯片对固态硬盘而言犹如大脑之于人身。下图是 2010年镁光（Micron） 32GB SLC 25nm技术颗粒的架构图，一颗固态硬盘上会有数个颗粒（die），每个颗粒上会有两平面（plane），每一平面会分割成 2048个区块（block），每个区块上则分作 256页面（page），每一页面上可储存 ()字节（byte），一字节等于 8位（bit），让您一窥固态硬盘的究竟。　　假设利用最新技术可以理论上延长固态硬盘 120%的寿命好了（真正能延长多少视颗粒质量与各大厂所采用的逻辑运算技术而定），再乘上我们当初保守估计的 50%寿命，意思是我们会得到理论值十万次、一万次、一千次的 60%，所以我们刚刚的计算题中，一只 32GB的 TLC随身碟要在五年内操爆，你得每天写入 10.513GB，如为 MLC、SLC则分别为 105.133GB、GB；换另一种算法的话，32GB TLC随身碟每天写入 32GB数据，可以用上 1.643年，如为 MLC、SLC则分别为 16.427年与 164.271年，试问您在哪种状况下才会不敷使用？　　一旦您了解了 SLC、MLC、TLC和固态硬盘寿命的关系后，剩下的读取速度、功耗、出错率与成本就很容易理解了，SLC因为只有两种状态，最容易辨识，所以在同一种主控芯片与计算逻辑下速度最快，功耗也最低，状态稳定，以现代技术而言出错率几乎可以忽略不计，不过，因为每个单元只能存储一个位，所以在相同容量下成本最高。事实上，主控芯片在这其中扮演着举足轻重的脚色，它不仅影响到单信道、双信道甚至四信道的读取效能，也是内存颗粒中保证存储内容正确性 ECC（错误检查与纠错，Error Checking and Correction）技术的神经中枢，MLC与 TLC都十分仰赖 ECC，一有出错就会导致倍数以上的数据损失，然而截至 2012年底，各大厂 ECC技术其实都已经相当成熟，这也是为什么极端重视数据准确度的企业用户胆敢大量采用 MLC固态硬盘的原因，甚至有 SLC硬盘将逐渐淡出市场的传闻，也是啦，你要企业主买一颗没意外的话会活得比他更久的硬盘，要那些老板情何以堪，再说科技日新月异，真的有必要砸大钱采购这种价格不斐容量又小的产品吗？下图或许给您一个 SLC、MLC清晰易瞭的比较。内存颗粒等级释疑我瞭、我瞭，可能有人已经开始打呵欠头疼，逛个卖场还要读技术性文章，这么累，但只要再忍耐一下下就好......　　上面这张图就是所谓的晶圆，刚出厂切割完就长这样，上面每一个小方块都可以拿做成一张记忆卡。问题是，就像内存颗粒即使刚出厂都会有坏块一样，刚出厂的晶圆上也不是每片颗粒都是优等生，就英特尔、镁光（Intel、Micron这两家公司的晶圆由共同合资的IMFT，IM Flash Technology生产）来讲，有些可以拿来做最高等级的同步颗粒，有些修复校验后可以拿来当次等的同步颗粒，而有些不管怎样折腾都是鸡肋，食之无味，弃之可惜，但还是可以卖，就拿来做最低阶的异步颗粒，主要用在国民价记忆卡上。所以，千万不要看到打上英特尔或镁光就以为是什么极品，没那么神，还要对照颗粒表面的编码才能判定质量良窳。　　好啦，最后我们来谈谈颗粒的同步与异步，这涉及到固态硬盘颗粒规格标准的两大阵营，事件可回溯到那月黑风高的 2006；想当年，消费级数位单眼刚发展到让人足堪欣赏的六百至八百万画素，许多爱现的部落客手中一台千万画素相机就自以为是神器......也就是在那样的背景下，市场对于存储装置的需求与日俱增，然而业界对于记忆卡、随身碟或固态硬盘颗粒的规格尚未统一，为方便各厂商间产品开发与兼容，亟需对颗粒接口类型、封装方式、运算逻辑与寄存器标准等等进行一次整合，两大阵营也就于焉诞生。其一我们已经介绍，就是英特尔、镁光阵营，有同步异步差异的也是此间标准下的才有，不过不只两大厂，台湾、索尼、海力士、SanDisk也都是遵循此规范，ONFI（Open NAND Flash Interface）于 2006年 12月制定，到了 2008年 2月，ONFI 2.0规范开始加入 DRAM内存领域中的 DDR信号技术与同步时钟控制，而 2011年 3月 ONFI 3.0规范更采用 DDR2技术，内存传输速率在同步模式下开始达到 400MB/s。所谓同步，是当主控芯片对内存颗粒发送同步指令，触发颗粒中的同步时钟信号，让颗粒与主控芯片在信号同步的模式下运作，达到传输速率上的倍增；如果是异步模式，则相当于 ONFI刚制定时的标准，仅约 50MB/s，从英特尔镁光工厂出厂的颗粒，也只有优等生才能进行同步运算。另一阵营则是三星与东芝主导的 Toggle DDR规范，这两间大厂的固态硬盘颗粒都是在异步模式下运作，不过即使是异步，利用 DDR的 DQS信号传输原理，一样可以让传输速率倍增，加上两大厂的制程都相当先进，使得他们旗下的产品表现丝毫不逊于对手，质量犹有过之，东芝固态硬盘更是长期蝉联苹果笔电的专属指定品牌。末了，就让我们用英特尔 25nm颗粒的分级表来总结，给您个清晰的轮廓。
从台湾那边转来的，词语对照：
《黑客任务》 - 《黑客帝国》
浮置闸 - 浮栅
穿隧效应 - 隧道效应
随身碟 - U盘
国民价 - 低端（这个比较囧）
数位单眼 - 数码单反
部落客 - （博客的）博主
- -我能看懂这东西....人类早已跳出地球....飘过
对 第2楼 星孖Il 说：＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝简单点说，耐用度SLC>MLC>TLC，TLC在正常使用情况下基本够用，失效年限超出产品更新换代的周期。文章只是介绍了三者的原理，不必深究
对 第3楼 欧儿了 说：＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝当我听懂 3楼 这句话
....人类已经成功再生出 恐龙了......
文章写得很好，但是又有多少U盘支持Wear Leveling呢？
什么是SLC？
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。　
SLC 利用正、负两种电荷
一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
把一只 TLC随身碟操坏。。。。操坏
至看懂一部分同步异步那里看不懂
非常好的帖子~~~
同步为什么速度倍增，搞不懂
希望楼主说明一下！！！！
kkmike999 发表于
非常好的帖子~~~
同步为什么速度倍增，搞不懂
希望楼主说明一下！！！！
http://www.pcpop.com/doc/0/813/813310_all.shtml&这里有个更详细的介绍同步/异步 主要是两个管脚的定义不同，同步模式下，颗粒不需要告诉主控“我准备好了，可以读/写了”，而是随时ready的状态，这样可以省下一个时钟周期
好，我才知道这玩意儿。
2年前还不知道，当时就奇怪，那么多u盘怎么分好坏，
价高价低看不出区别。
感觉很多东西看上去都一样，然后总是突然“多了个”概念，
自己突然就成高手了(知道好坏)。。。然后又落伍了。。。
下面可以推荐一些具体型号了，
貌似厂家都不明标mlc，ZOL u盘产品库也没这项。
ssd倒是有了，不记得2年前有没有。
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【涨知识】u盘芯片MLC、SLC和TLC到底哪个好？
来源：未知编辑：upanzj 浏览量：
U盘问题,请到问答平台：
　　核心提示：
u盘芯片里有SLC、TLC和MLC区分，那么它们都代表什么呢？含义是什么？今天u启动小编就跟大家详细介绍下MLC、SLC和TLC的含义。 什么是SLC？什么是MLC？什么是TLC？MLC、SLC、TLC三代闪存的特
&u盘芯片里有SLC、TLC和MLC区分，那么它们都代表什么呢？含义是什么？今天u启动小编就跟大家详细介绍下MLC、SLC和TLC的含义。
什么是SLC？什么是MLC？什么是TLC？MLC、SLC、TLC三代闪存的特性和差异又怎样？
以下是SLC、MLC、TLC三代闪存的详细介绍和寿命差异比较：
【SLC芯片详细介绍】
&SLC&英文全称&Single-Level Cell&（即单层式储存），又名&1bit/cell&，主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于&Silicon efficiency&的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
SLC特性：运转和反应速度快，使用寿命长，价格也很贵，大概是&MLC&价格的三倍以上，大约十万次写入（擦写）寿命。
【MLC芯片详细介绍】
&MLC&英文全称&Multi-Level Cell&（即多层式储存），又名&2bit/cell&，主要由东芝、Renesas、三星使用。英特尔（Intel）在1997年9月最先开发出MLC，它作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
MLC特性：运转和反应速度一般、使用寿命一般，购买价格也一般，大约次的写入（擦写）寿命。
【TLC芯片详细介绍】
&TLC&英文全称&Triple-Level Cell&，又名&3bit/cell&，也有Flash厂商称它为&8LC&，TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。
TLC特性：它的运转和反应速度最慢，使用的寿命也最短，而且价格也最便宜，大约500次的写入（擦写）寿命，到目前位置，还没有哪个厂家能够做到1000次写入（擦写）的。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。
u启动简单说明：闪存的寿命指的是写入（擦写）的次数，而不是读出的次数，因为读取对u盘芯片的寿命影响不大。
SLC、MLC和TLC三代闪存芯片寿命差异比较：
SLC闪存利用正、负两种电荷 &一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC（容量大了一倍，寿命缩短为1/10）。
TLC闪存利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC（容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20）。
【SLC和MLC的优势比较】
鉴于目前u盘市场主要以SLC芯片和MLC芯片储存为主，就让我们多了解下SLC和MLC储存吧。
SLC的架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次存储4个值以上，所以MLC架构的储存密度较高，而且还可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与品质优势。
MLC和SLC相比较，MLC生产成本要低，且容量大。要是经过改进的话，MLC的读写性能还会进一步地提升！
【SLC和MLC的缺点比较】
MLC架构有不少缺点，首当其冲的是使用寿命比SLC要短，MLC架构只能够承受1万次的擦写，而SLC架构却可以承受10万次的擦写。
其次就是存取速度慢，在当前的技术条件下，MLC芯片理论上存取速度只能达到6MB左右，而SLC架构的存取速度要比MLC架构的存取速度快三倍以上呢！
还有就是MLC的电流消耗比SLC高，如果在同等使用条件下MLC跟SLC相比的话，MLC的电流消耗要比SLC的电流消耗多出百分之十五左右。
总结：虽然MLC跟SLC相比，MLC缺点要多，但在单颗芯片容量方面，当前MLC还是占据绝对优势的。因为MLC架构和成本都占有绝对优势，能够满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。
多多了解U盘芯片，绝对会有所帮助的。
【涨知识】u盘芯片MLC、SLC和TLC到底：http://www.upan.cc/technology/use/5280.html
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upan.cc. all rights reserved .东芝开发的3D QLC,是否比SLC、MLC和TLC更具优势？
据可靠消息称，东芝于6月29日发布了全球第一个采用每单元4比特位设计的QLC闪存，这意味着继SLC(单比特)、MLC(双比特)、TLC(三比特)之后，NAND闪存的第四种形态QLC正式出炉了。QLC的诞生使得既廉价又拥有超大容量的SSD从理想变为现实。
SSD的工作原理是通过一串带有电荷的浮动门晶体管进行数据的储存（赋予“0”或“1”即 1-bit）。SSD的存储块可以以二维（平面型 NAND）或三维（3D NAND）堆叠的形式排列，然后用更多的电荷值来对应存储更为多位元的信息。例如，四级（2-bit）闪存被称为 MLC、八级（3-bit）闪存则为称为 TLC 。而QLC 则进一步提升到了 16 级（4-bit），即能够把每格划分为 16 个单元，从而实现1.5TB的存储容量。这种先进的方法将SSD的核心存储容量提升到了 768 gigabit，与 TLC 的 512 gigabit 相比有了明显的提升。在过去的SSD领域，业界难以突破 TLC 所需区分的精确电荷。而自从东芝开发出了 64 层堆叠的 QLC 3D NAND，突破这一难题将不成问题。
虽然QLC只是在TLC的电子单元内增加了一个比特位，但其所要求的技术含量却非常高。因为不仅要在原有的基础上增加一个比特单位，还需要双倍的精度才能保有足够高的稳定性以及性能。不过，一旦解决了所有技术上的难题，随着SSD容量的大幅增加，其所需要的单位成本也会相应降低。与之前开发出的闪存类似的是，东芝的这种新型BiCS闪存依然采用3D立体封装，堆叠多达64层。令人惊讶的是，它的每个Die的容量已经做到768Gb(96GB)，这在SSD领域是史无前例的。
而在QLC之前发布的TLC虽然能够解决SSD容量瓶颈，却解决不了SSD价格的难题。 对大多数用户来讲，东芝的新型技术意味着未来的大容量闪存地价格将会有降低的趋势。而无论是MLC、TLC或者QLC，它们的优势都是能够大幅增加存储密度，进而降低SSD的市场价格。值得关注的是，闪存的耐久度和其速度将会受到容量提升的影响。
在这个互联网时代，电影、游戏、照片，影像等数据所占的内存越来越大。随着VR时代的降临，存储盘的容量需求将会越来越大。这使得SSD将会面临数据容量的空前挑战。如今在我们的日常生活中，120G、240G，甚至480G SSD的容量都已经不足为奇甚至远远不够用。值得庆幸的是，现在也有不乏2TB 的超大容量SSD。但大容量的特征使得SSD的价格大大地抬高了，这对支付能力有限的广大用户来说没有实际上的意义。
据悉，东芝已于本月早些时候开始向制造商出货 3D QLC NAND 样片，以供其评估。至于其何时走向消费级市场，目前暂不得而知。而价钱方面，虽然QLC已经研发成功，但是目前固态硬盘的市场供需情况依旧处于供不应求的状态，所以在短时间内，固态硬盘的价格不会有回落，甚至还有微涨。超大容量的SSD已成现实但价格仍旧处于高层次水平，并未能给人民群众带来实质上的利益。希望随着这项科技的不断发展，超大容量的SSD将能够走向寻常百姓的家中，方便我们的日常生活。
来源：线上采编
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今日搜狐热点Google闪存研究报告：谁说MLC不如SLC？
作者：王辉
分类 : 比特网
　　已经逐渐普及，但是很多人对它的可靠性问题依然忧心忡忡，也存在很多误解。事实上，SSD仍然算得上新鲜事物，对于它的很多表现人们依旧缺乏足够深入的认识。
　　最近，工程师Raghav&Lagisetty、Arif&Merchant和加拿大多伦多大学教授Bianca&Schroeder联合发表了一篇论文《的实际可靠性：意料之中与意料之外》(Flash&Reliability&in&Production:&The&Expected&and&the&Unexpected)，得出了一些惊人的结论。
　　这项研究历时长达6年，覆盖了十多种SSD的品牌，级和消费级产品都有，SLC、MLC、TLC三种闪存类型都有，加起来一共跑了几百万天。
　　Google闪存研究报告：谁说MLC不如SLC？
　　主要结论：
　　1、不可纠正比特错误率(UBER)这个参数毫无意义，不要理会它。
　　2、好消息：原始比特错误率(RBER)在使用损耗中的增长速度比预期得要慢，而且与UBER后者其他错误无关。
　　3、高端的SLC硬盘并不比MLC硬盘更可靠。
　　4、坏消息：SSD的故障失败率比机械硬盘低，但是UBER更高。
　　5、影响SSD可靠性的是其年龄，而不是使用程度。简单地说，一块闲置了两年的SSD还不如一块使用了一年的更靠谱。
　　6、全新的SSD里也会普遍有坏块。如果一块SSD里有大量坏块，可能会影响其他更多区块，导致损坏。
　　7、30-80%&SSD起初就有至少一个坏块，2-7%使用四年后会有至少一个芯片损坏。
　　其中两个结论最为让人吃惊，首先就是第三条。
　　我们知道，NAND闪存分为三种：SLC是单层单元，性能最好，寿命最长，但成本也最高;MLC是双层单元，性能、寿命都适中，是主流首选;TLC是三层单元，成本最低，但是性能和寿命也相对偏低，是如今的热门。
　　一般都认为SLC闪存是最好的，企业级SSD普遍都是用它，厂商也会极力宣传多么多么可靠，不过根据Google的研究，SLC、MLC在可靠性上其实差不多。
　　当然这不代表企业级SLC&SSD都是忽悠人，它们都精选了质量更高的芯片，辅以更大的冗余容量比例，以及各种可靠性增强技术，贵是应该的。
　　而根据第五条，不用担心频繁使用SSD会缩短其寿命，闲着不用才会更让其短命。这和很多电子设备其实是一样的。
　　另外，研究中的SSD其实都很耐用，没有一个接近使用极限，即便是3000次写入放大的MLC&SSD也毫无问题。
　　至于现在大家很担忧、不少人很鄙视的TLC，该研究因为时间较早并未涉及，但是无论从技术原理还是实际表现上看，TLC闪存的SSD满足时没有任何问题的，不必多虑。
　　总的来说，SSD不可能坚若磐石，但也没有想象中那么脆弱，大家可以放心使用，当然任何时候及时注意备份重要数据都是很关键的。
[ 责任编辑：杨瑗嘉 ]
比特网 17:01:16
从《中国互联网+指数报告（2018）》看数字经济
“互联网+”的这些新变化,你知道吗？
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