三星1xnm 3d v-nand 3bit闪存怎么样_百度知道
三星1xnm 3d v-nand 3bit闪存怎么样
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三星的第二代40nm 32层3D V-NAND采用了共线生产，简单点说就是为了省成本。设计初衷就是直接使用节省成本的TLC架构，然后再把原本的TLC模拟成MLC使用，使得颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）。再用颗粒“混搭”的方式，让缩水了1/3容量的128Gbit颗粒组成新消费级旗舰卖。因此即将发布的850 EVO本质也就是颗粒容量全开且不需混搭颗粒的850 PRO，可能还会继续使用840 EVO的那套成熟的SLC Cache。同时还可以直接用目前850 PRO的PCB板和外壳，只用换张贴纸即可，可谓一举多得。
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品牌： 13D闪存刷新架构 128G仅需单颗粒&&&&首款采用2bit&3D&V-NAND闪存的三星850PRO旗舰级诞生不足半年，三星紧接着推出新一代主打性价比的850&EVO&SSD，它采用架构更为先进的3bit&3D&V-NAND闪存。这引起SSD用户的好奇和兴趣，3bit&3D&V-NAND闪存能给我们带来什么变化？三星850&EVO&SSD首测&&&&作为840&EVO的替代升级型号，850&EVO延续原厂主控、闪存、缓存、固件的四位一体优势。和840&EVO的相比，850&EVO的最大亮点无疑是3bit&3D&V-NAND闪存，它的单位存储密度、P/E耐久度较之840&EVO的2D平面闪存有质的提升。&三星850&EVO&1TB&SSD三星850&EVO&1TB&SSD（背面）&&&&外观上，850&EVO采用850PRO的主色调和设计风格，除了背后醒目的标签，正面区别主要看①850PRO的壳体边框进行抛光处理，看起来“锃亮锃亮滴”；②外壳的三星LOGO正下方的方形标识，850PRO为红色，850&EVO则为灰色。850&EVO（左）和850PRO（右）&&&&上一代三星840&EVO为了区分840PRO，前者采用灰色的主色调（后者采用黑色），并且840PRO和840&EVO拉开性能差距。此次850&EVO和850PRO采用同样的主色调，留给我们一个悬念：850&EVO的性能达到850PRO的水准？产品：
2850 EVO：MEX主控+3bit 3D闪存&&&&3bit&3D&V-NAND闪存长什么样？它和普通所采用的2D闪存区别不大，但它的内部构造和普通2D平面闪存有着本质的不同。一块3bit&3D&V-NAND闪存芯片由32个单元层垂直堆叠而成，它并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更强。&&&&一款SSD的主控和闪存对性能起到决定性作用，下面我们拆解三星850&EVO&1TB&SSD，对它的主控和闪存进行解析：三星850&EVO&1TB&SSD的PCB电路部分▆主控：和840&EVO、850PRO一致三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片&&&&三星850&EVO&1TB&SSD采用840&EVO、850PRO的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，属于ARM架构的三核处理器，具备强悍的多任务、多路数据读写传输能力。▆闪存：首款应用消费级SSD的3bit&3D&V-NAND&3bit&3D&V-NAND闪存&&&&3bit&MLC闪存率先应用在前两代的三星840系SSD，而在3bit&3D&V-NAND闪存，三星再次走在其他厂家前面，首次应用于850&EVO&SSD。和采用2bit&3D&V-NAND的85OPRO&1TB&SSD不同，850&EVO&1TB&SSD采用的8颗3D闪存均为同规格容量；而850PRO&1TB&SSD的正反两面的闪存编号和容量不一。&&&&这款率先采用3bit&3D&V-NAND闪存的消费级SSD性能如何？下面我们将用850PRO&1TB、840PRO&512GB&SSD、840&EVO&1TB&SSD进行性能对比、分析：产品：
3读写速度对比：与850PRO试比高 ■ATTO&Disk&测试数据类型：型&&&　　ATTO&Disk&Benchmark是一款优秀且免费的磁盘基准测试，支持对稳定性/突发性传输速率进行读写测试，适用于常规硬盘、RAID、USB闪存盘、移动存储卡等产品的读写性能测试。三星850&EVO&1TB&&ATTO&队列深度4测试压缩数据&读写速度对比■&CrystalDiskMark持续读写测试数据类型：非压缩型&&&　　CrystalDiskMark是一款简单易用的硬盘性能测试软件，但测试项目非常全面，涵盖连续读写、512K和4KB数据包随机读写性能，以及队列深度（Queue&Depth）为32的情况下的4K随机性能。队列深度描述的是硬盘能够同时激活的最大IO值，队列深度越大，实际性能也会越高。三星850&EVO&1TB&SSD&CrystalDiskMark测试非压缩数据&读写速度对比&&&&编辑点评：ATTO和CDM是分别测试出了SSD的非压缩型和可压缩型数据的顺序读写速度，是SSD性能的重要参考依据。从测试得出的数据可以看出三星850&EVO&1TB&SSD的表现不俗，测试成绩与新一代旗舰850PRO&1TB&SSD仅有微弱的差距。&&&&相比上一代的840&EVO&1TB&SSD而言，最大读取速度更接近SATA3.0速率极限，而两款产品均采用三星MEX主控，由此见这点微弱的读写速度差距是由闪存颗粒造成的。产品：
4随机读写能力IOPS对比：不相伯仲&&&&随机读写性能是的关键指标，其单位为IOPS，即每秒进行读写（I/O接口）操作的次数。我们从表中看到固态硬盘的每秒进行读写操作的次数是以万为单位进行计算，而传统的机械硬盘不足300&IOPS值。&■AS&&&IOPS对比&&&&&是一个专门为SSD测试而设计的标准检测程序，因为它提供了很大的可定制性。&&&&它的成绩显示可以分为两种，一种是MB/秒的形式，另一种是IOPS形式。本次测试主要使用这款的IOPS随机读写功能，测试4K-64Thrd多任务随机读写&IOPS值。&读写速度读写IOPS值&Benchmark&IOPS值对比&&&&编辑点评：在AS&SSD测试中，我们的侧重点是IOPS值，虽然三星850&EVO&1TB&SSD定位非旗舰，但这一项测试中有着比肩旗舰的性能表现，并且以微弱的优势战胜了上一代840PRO。&&&&当然，细心的用户会发现三星850&EVO&1TB&SSD在4K读写的表现也相当出众，一改以往三星“主流/入门级别”SSD在4K读写表现中规中矩，这回翻身了！我们将在下一页对此进行详细分析：产品：
54K随机读写速度/IOPS值对比分析：&&&&我们在前面分析三星850&EVO&1TB&读写速度和随机读写能力(IOPS)，这些数据实际上均为顺序读写，因此它们的测试结果往往偏向最大化。在实际工作和生活中，我们并不是按照顺序读写SSD里的数据，而是根据用户的实际需要从SSD的具体某个地方抽取数据，这就是4K随机读写速度、4K随机读写IOPS值的由来。&&&&笔者使用CrystalDiskMark以及进行4K随机读写测试，对4款SSD做横向比较，以便可以较好地看出三星850&EVO&1TB&SSD的位置。&1、4K随机读写速度：&4K随机读写速度对比&&&&编辑点评：4款SSD的4K随机读取速度，850&EVO一枝独秀，840&EVO获得第二名。850PRO、840PRO反倒不如两位EVO小辈。&&&&到了4K随机写入速度，850PRO跃居第一名，850&EVO以微弱差距排名第二，840PRO、840&EVO依次排名第三、第四。2、4K随机读写IOPS值：4K随机读写IOPS值对比&&&&编辑点评：4K随机读取IOPS值的对比当中，850&EVO获得第一名，对比其他3款SSD均有不同程度优势。&&&&在4K随机写入IOPS值对比，850&EVO也仅弱于850PRO，小幅领先840PRO，大幅超越840&EV0。&&&&小结：如果说读写速度、随机读写IOPS值，三星850&EVO&1TB&SSD和其他“三位师兄、师弟”打得难分难解。在本次两项4K测试当中，850&EVO将“4K读写速度、4K随机读写IOPS值”的突出性能展现出来，它接近850PR0，小超840PRO、大超840&EVO。产品：
6PCMark8模拟对比：与850PRO同分■PCMark8硬盘测试&&&&PCMark8是全面系统且专业的测试方式，为用户的PC进行性能评定。它对于操作系统的要求至少是Win7，当然作为专为Win8量身定制的，对于Win8的支持则是最完美的。诸如Vista及WinXP是完全无法运行该软件的。PCMark8&&&&PCMark8内置了多个测试项目，其中Storage测试项目针对硬盘性能做出评定，包括两款游戏以及各种办公应用测试。分别为《魔兽世界》和《战地3》的游戏载入测试，，，，&lllustrator，微软&、Office&以及Office&等十项测试。&PCMark8硬盘得分&&&&三星850&EVO&1TB&的硬盘得分为4987，较之SATA3.0&SSD的最高分王－－三星840PRO&512GB&SSD的4998分略低11分；其硬盘带宽为283.89MB/s。&PCMark8硬盘得分对比&&&&PCMark8完全模拟游戏、的应用场景，其硬盘测试惜分如金，往往20分就可将SSD拉开一个档次。三星840PRO&512GB&SSD的得分依然是最高，850&EVO和850PRO&1TB&SSD的得分一样，840&EVO也仅仅落后4分。&&&&编辑点评：PCMark8在SSD测试中越来越受到重视，作为一款权威的综合型测试软件，其在每一个子项目都有着绝对的说服力，最后得出的总分能够让人更直观的了解性能表现。&&&&另外的表现方式就是硬盘的速率表现，这款850&EVO&1TB&SSD测试出来的硬盘带宽速率超过了283MB/s，它的实际应用表现相当出色。并且，这个速率往往就是我们复制文件时的平均写入速率。产品：
7点评三星850 EVO：具体进步在哪&&&&本次送测的三星850&EVO&1TB&，整体性能和850PRO相当，后者的2bit&3D&V-NAND具备eMLC企业级别闪存的耐久度，当然售价更高。作为840&EVO的升级换代产品，我们难免会拿它做对比。和840&EVO相比，850&EVO的具体进步有哪些？1、整体性能提高5.25%&&&&从上图分析可知，850&EVO&1TB&SSD对比840&EVO&1TB&SSD，它的整体性能提高5.25%。性能提升部分主要来自4K读写、4K随机读写（IOPS）值，这是840&EVO&SSD无法和850&EVO相提并论的。2、闪存的耐久度提升&&&&3bit&3D&V-NAND闪存较之平面3bit&2D闪存具有更高的耐久度，三星官方表示850&EVO的耐久度翻倍提升（对比840&EVO），其质保售后期限从三年延长至五年。“840&EVO&SSD”&VS&“850&EVO&SSD”3、突出低容量版本的性能优势&&&&850&EVO的销售主力将是120GB和250GB版本，3bit&3D&V-NAND闪存具备更多的数量，其性能对比840&EVO&120GB和250GB有一定幅度的提升。我们也将在后续对850&EVO&120GB/250GB/500GB版本跟进测试。测试平台配置&&&&写在最后：在3D闪存技术，三星走在其他闪存厂家的前面，它不但将2bit&3D&V-NAND闪存应用在高端850PRO，更将3bit&3D&V-NAND闪存应用在主流级别的850&EVO。&&&&从测试结果看，新一代850&EVO&SSD具备更强的耐久度，更优的4K读写性能，或者说：“850&EVO不能称之为入门级SSD，它的性能和850PRO旗鼓相当。”
8三星850 EVO SATA III详细参数
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4￥5495￥4496￥3297￥6998￥2999￥63610￥429关于三星840evo的颗粒是MLC的还是TLC的_百度知道
关于三星840evo的颗粒是MLC的还是TLC的
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三星的EVO系列固态硬盘都是TLC的，但是会在宣传上误导说3bit MLC颗粒（个人觉得很大胆的行为）。科普一下，MLC（Multi-Level Cell）是2bit颗粒，就是一个单元记录2位信息（00、10、01、11），而TLC（Trinary-Level Cell）是3bit颗粒，就是一个单元记录3位信息（000,、001之类的），TLC比MLC造价便宜，但是速度慢，还有反复刷写次数基本上是MLC的1/10（品质好的也就大概1/5）。三星的PRO系列固态硬盘就是MLC的。
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SLC，MLC和TLC三者的区别
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷
一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。　
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提醒各位小白不要相信三星860evo是MLC收藏
前几天看新闻说三星要出新品，叫860evo，还说在这个TLC遍地横行，QLC即将上市的世界里，还是最早把TLC带到消费级的三星保持了消费级MLC产品，结果我今天到淘宝上一看，“3bit MLC”？？？？？？？？***不就是诈骗吗
吧里都没人关注这个吗？
竟然有人觉得那个是mlc吗
旗舰店里没写mlc
不过啊，850evo的寿命也不差于mlc，人家有黑科技。曾经的pm830，用了两年还是100%寿命。
这就是我的自定义小尾巴十五字
evo tlc, pro mlc，难道不是这样吗？
三星惯例诈骗罢了
860的tlc寿命比mlc都强
不要认为tlc就不好
我当时也觉得奇怪，那个开车的淘宝店为毛写的3比特
mlc，黑人问号？？？？
那个镁光XB300是吗 我听吧友的买了一个
找到了，“3bit MLC”这个说法源于850evo发布时三星的官方说法，三星用TLC模拟MLC，使得TLC的表现和MLC相似，貌似也是三星的TLC寿命比较长的原因
说起来当年MLC将要流行的时候，那些誓死守护SLC的人一个也找不到了。。。
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