通过电器元件,利用光生伏打原理将太阳能直接装换为电能,称太阳能光伏发电
光生伏打原理的基本过程是怎样的？
太阳能电池的工作原理当表面蒸发一层透光金属薄膜的半导体薄片被光照射时,在它的另一侧和金属膜之间将产生一定的电压,这种现象称为光生伏打效应,简称光伏效应
太阳能发电分光热发电和光伏发电。不论产销量、发展速度和发展前景、光热发电都赶不上光伏发电。可能因光伏发电普及较广而接触光热发电较少，通常民间所说的太阳能发电往往指的就是太阳能光伏发电，简称光电。光伏发电是根据光生伏打效应原理，利用太阳电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并网发电，光伏发电系统主要由太阳电池板（组件）、控制器和逆变器三大部......
太阳能电池的工作原理当表面蒸发一层透光金属薄膜的半导体薄片被光照射时,在它的另一侧和金属膜之间将产生一定的电压,这种现象称为光生伏打效应,简称光伏效应
太阳能发电分光热发电和光伏发电。不论产销量、发展速度和发展前景、光热发电都赶不上光伏发电。可能因光伏发电普及较广而接触光热发电较少，通常民间所说的太阳能发电往往指的就是太阳能光伏发电，简称光电。光伏发电是根据光生伏打效应原理，利用太阳电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并网发电，光伏发电系统主要由太阳电池板（组件）、控制器和逆变器三大部分组成，它们主要由电子元器件构成，不涉及机械部件，所以，光伏发电设备极为精炼，可靠稳定寿命长、安装维护简便。理论上讲，光伏发电技术可以用于任何需要电源的场合，上至航天器，下至家用电源，大到兆瓦级电站，小到玩具，光伏电源可以无处不在。目前，光伏发电产品主要用于三大方面：一是为无电场合提供电源，主要为广大无电地区居民相关信息生产提供电力，还有微波中继电源等，另外，还包括一些移动电源和备用电源；二是太阳能日用电子产品，如各类太阳能充电器、太阳能路灯和太阳能草地厂各种灯具等；三是并网发电，这在发达国家己经大面积推广实施。我国并网发电还未起步，不过，2008年北京“绿色奥运”部分用电将会由太阳能发电和风力发电提供。
太阳能光伏发电的最基本元件是太阳电池（片），有单晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜电池等。目前，单晶和多晶电池用量最大，非晶电池用于一些小系统和计算器辅助电源等。国产晶体硅电池效率在10－13％左右，国外同类产品效率约12－14％。由一个或多个太阳电池片组成的太阳能电池板称为光伏组件。2002年全球太阳电池和光伏组件产量约600MW，其中日本占45％，美国25％，欧洲约22％。日本是光伏产业发展最快的因家，在不到10年的时间里超过了美国，2001年世界10大太阳电池生产厂，日本就有4家，分别是夏普、京都陶瓷、三洋和三菱。欧美发达国家大都制订了“阳光计划”，并采取措施鼓励居民安装太阳能发电系统，比如部分赠款、无息贷款和“种子基金”等，并以高出普通电价几倍的价格购买居民家中多余的太阳能电量。
我国太阳能光伏发电产业近几年发展较快，但总体规模较小，2002年太阳电池产量约SMW，累计装机容量达25MW，不到世界的1％，为配合西部大开发，我国政府实施了“阳光计划”、“乘风计划”和“光明工程”等，利用太阳能发电和风力发电为解决西部广大无电地区农牧民生活生产用电，这一工程配套资金20多亿人民币。我国光伏发电产品的市场主要在西部，另有部分产品出日，如组件、小系统和日用太阳能电子产品等。由于国内太阳能电池晶片产量远远不能满足需求，许多厂家进日大量电池片封装组件。在光伏产业方面，深圳占有部分江山，产品加工能力、产品质量和销量在国内外都有一定的影响。政府应加大扶持力度，使之扩大规模发展成为产业群，进而成为深圳的一个经济增长点。
太阳能光伏发电产业增长迅速，不仅因为它是具有许多优点的清洁能源，一个更诱人的动因是，在太阳能与建筑一体化的过程中，太阳电池组件比太阳能热水器与建筑更有亲合力。太阳电池组件不仅可以作为能源设备，还可作为屋面和墙面材料，既供电节能，又节省了建材，国外己有非常好的案例。因此，太阳能光伏发电技术与建筑结合方面，将具有良好的经济效益，前途无限。
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ASTM E&&测量非聚光多结光生伏打电池和模块电性能及光谱响应的试验方法
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测量非聚光多结光生伏打电池和模块电性能及光谱响应的试验方法
standard test methods for measurement of electrical performance and spectral response of nonconcentrator multijunction photovoltaic cells and modules
英文版,中文版
美国材料与试验协会ASTM
ASTM E772;ASTM E927;ASTM E948;ASTM E973;ASTM E1021;ASTM E1036;ASTM E1040;ASTM E1125;ASTM E1328;ASTM E1362;ASTM G138;ASTM G173
In a series-connected multijunction PV device, the incident total and spectral irradiance determines which component cell will generate the smallest photocurrent and thus limit the current through the entire series-connected device. This current-limiting behavior also affects the fill factor of the device. Because of this, special techniques are needed to measure the correct I-V characteristics of multijunction devices under the desired reporting conditions (see Test Methods E1036). These test methods use a numerical parameter called the current balance which is a measure of how well the test conditions replicate the desired reporting conditions. When the current balance deviates from unity by more than 0.03, the uncertainty of the measurement may be increased. The effects of current limiting in individual component cells can cause problems for I-V curve translations to different temperature and irradiance conditions, such as the translations recommended in Test Methods E1036. For example, if a different component cell becomes the limiting cell as the irradiance is varied, a discontinuity in the current versus irradiance characteristic may be observed. For this reason, it is recommended that I-V characteristics of multijunction devices be measured at temperature and irradiance conditions close to the desired reporting conditions. Some multijunction devices have more than two terminals which allow electrical connections to each component cell. In these cases, the special techniques for spectral response measurements are not needed because the component cells can be measured individually. However, these I-V techniques are still needed if the device is intended to be operated as a two-terminal device. Using these test methods, the spectral response is typically measured while the individual component cell under test is illuminated at levels that are less than Eo. Nonlinearity of the spectral response may cause the measured results to differ from the spectral response at the illumination levels of actual use conditions.<p id="s0 These test methods provide special techniques needed to determine the electrical performance and spectral response of two-terminal, multijunction photovoltaic (PV) devices, both cell and modules. <p id="s0 These test methods are modifications and extensions of the procedures for single-junction devices defined by Test Methods E948, E1021, and E1036. <p id="s0 These test methods do not include temperature and irradiance corrections for spectral response and current-voltage (I-V) measurements. Procedures for such corrections are available in Test Methods E948, E1021, and E1036. <p id="s0 These test methods may be applied to cells and modules intended for concentrator applications. <p id="s0 The values stated in SI units are to be regarded as standard. No other units of measurement are included in this standard. <p id="s0 This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety and health practices and deter......
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3秒自动关闭窗口光生伏打效应与光折变光栅的建立--《中国激光》1997年12期
光生伏打效应与光折变光栅的建立
【摘要】：带输运模型是目前被广泛接受的光折变理论.该模型以扩散机制为主.在某些情况下加上两个修正,即有外场时的漂移机制和光生伏打效应.其中光生伏打效应被考虑为等效于外加电场.而且常常被忽略了.作者认为光生伏打效应应当总被看作与扩散相并列的光折变机制,而且在铁电晶体.如LiNbO_3.中.光生伏打效应常常超过扩散而成为光折变过程的主要机制.文中将已有的光生伏打效应的唯像理论加以扩展,对产生光折变光栅的过程给出了较全面的分析.
【作者单位】：
【分类号】：O482.7;O436.1【正文快照】：
1引言光生伏打效应可能在本世纪二、三十年代就被观察到口‘。但第一次明确地报道是在]974年。当时A.M.G]。％等人在掺铁或掺铜的LjNbO3品体中观察到沿;完体极灿（光轴）方向的稳定光生电流卜’,电流密度与光强成简单正比关系丁一aCI（l）其中a为吸收系数/为光强/为光电流密度
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