SLC、MLC和TLC三者的区别有那么大吗？|U盘存储技术 - 数码之家
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SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。我在别的文章上看到的,问题如题~~~还有我想买个U盘做启动盘，要注意什么？
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买MLC就可以拉，直接就在论坛买得了，安全放心
附论坛官方授权淘宝店&&
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启动盘4G完全够了，然后那个SLC？好贵啊~~而且京东上都没有标这参数，要上淘宝拍
赞同1L，MLC在价格、速度、可靠性上目前是最可取的。
SLC我倒是有一些，就是太小了(2G)，做了没意思.
你要注意的，是买个大厂的正牌货不要买了假货就行了至于什么芯片无所谓，tlc美国市场上卖的很好，没啥问题要可靠性，tlc的一样可靠，要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快要价格，tlc的最便宜。
要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快其他的不说。，这句话真不敢苟同、、、、、、
引用第6楼icehocky于 21:20发表的&&:要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快其他的不说。，这句话真不敢苟同、、、、、、 东芝tlc写入能到10+很多mlc写入不过4-8产品整体速度和芯片类型无关，tlc做的ssd，写入速度能到100+
用TLC做SSD，这个玩笑开的大了点，你弄个20G的当系统盘用用看
引用第8楼mxmxm于 10:18发表的&&:用TLC做SSD，这个玩笑开的大了点，你弄个20G的当系统盘用用看 没人跟你开玩笑，这是事实我不用弄20G的用用看，米国人民已经用了，当然人家起步比较高，容量不止20G就是了如果不信可以用ocz tlc ssd 做关键词搜索一下明明搜索一下就可以知道的事，不明白为啥总有人宁可臆测也不愿消耗卡路里敲几个键搜索
目前最新的消息是，两年之内tlc将进入企业级ssd市场企业级都能用tlc，不明白民用还担心啥，产品的寿命其实和flash类型关系不大，主控对寿命的影响远超过flash类型
我的胜创TLC的，读写12M，同事的金士顿还有朗科MLC的，读10M，写3~4M。
现在U盘这么便宜，大厂家也推出TLC，有他的道理！反而好多二三线杂牌的弄什么MLC，SLC，还那么便宜，不靠谱！不稳定！掉盘，还丢东西！
用TLC做SSD，这个玩笑开的大了点
引用第7楼tcbgs于 22:37发表的&&:东芝tlc写入能到10+很多mlc写入不过4-8产品整体速度和芯片类型无关，tlc做的ssd，写入速度能到100+&&那东芝MLC是多少速度？
引用第6楼icehocky于 21:20发表的&&:要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快其他的不说。，这句话真不敢苟同、、、、、、 +1~~~~~~~~~~~~~~
引用第5楼tcbgs于 18:53发表的&&:你要注意的，是买个大厂的正牌货不要买了假货就行了至于什么芯片无所谓，tlc美国市场上卖的很好，没啥问题要可靠性，tlc的一样可靠，要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快要价格，tlc的最便宜。 “要可靠性，tlc的一样可靠，要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快”这种说法，非常误导人，所谓tlc的盘可以做的比大多数mlc都快，是需要不少前提条件的，并且需要田忌赛马的方式才行（TLC上马 Vs MLC中马）。在同等条件下，相同主控，相同厂家的具有可比性的TLC Vs MLC，TLC各方面性能（各种条件下的速度和可靠性）全部输给MLC。
引用第12楼youlai于 12:37发表的&&:现在U盘这么便宜，大厂家也推出TLC，有他的道理！反而好多二三线杂牌的弄什么MLC，SLC，还那么便宜，不靠谱！不稳定！掉盘，还丢东西！ 二三线杂牌的弄什么MLC，SLC，有不少是降级片、或者黑片，确实可能存在一些问题。
引用第14楼icehocky于 20:00发表的&&:那东芝MLC是多少速度？ 东芝MLC比东芝TLC 速度翻番，或者更快都有可能。
用TLC做SSD，倒是基本赞同9L，但有1点，支持TLC做SSD的主控相对还不是那么普遍，并且TLC做SSD被接受还需要一定的过程。但不同意10L说的“产品的寿命其实和flash类型关系不大”，相同主控的SSD，SLC寿命应该在MLC、TLC的10倍以上。
引用第9楼tcbgs于 10:31发表的&&:没人跟你开玩笑，这是事实我不用弄20G的用用看，米国人民已经用了，当然人家起步比较高，容量不止20G就是了如果不信可以用ocz tlc ssd 做关键词搜索一下....... 用TLC做SSD，这个玩笑开的大了点，你弄个20G的当系统盘用用看 这句话我说的很明白吧，TLC做的SSD玩笑开的大了点。真不明白你是真看不懂中国话还是故意装糊涂，你自己凭良心说你会不会花钱买这么一个产品做系统盘？？？有产品就能代表这个设计合理么，有人买来用就表示这个产品好么？64bit、128MB/TC1G的9800GT当年在低端市场上也卖了很多，但是懂行的人谈到这货只能鄙夷的说一声坑爹。我敢说本论坛的90%以上的人都不会买TLC做的SSD，一般人买SSD就主要是为了做高性能的启动盘，花几倍的价格去买比机械硬盘性能高不了多少的东西绝对是脑残的行为。
引用第14楼icehocky于 20:00发表的&&:那东芝MLC是多少速度？
快的有20多m慢的4-8m
引用第16楼gooddigit于 20:47发表的&&:“要可靠性，tlc的一样可靠，要速度，tlc的盘可以做的比大多数mlc都快”这种说法，非常误导人，所谓tlc的盘可以做的比大多数mlc都快，是需要不少前提条件的，并且需要田忌赛马的方式才行（TLC上马 Vs MLC中马）。在同等条件下，相同主控，相同厂家的具有可比性的TLC Vs MLC，TLC各方面性能（各种条件下的速度和可靠性）全部输给MLC。
没有误导，这是东芝官方技术支持的原话最终产品性能和flash类型无关，受到主控，电路，等的综合影响同等价格下，tlc可以做的比mlc更快，无疑问你所谓的同等条件，是价格相差很大的情况下，那才是真正的有前提
引用第18楼gooddigit于 20:51发表的&&:东芝MLC比东芝TLC 速度翻番，或者更快都有可能。 如果你拿块flash就能直接用，那这个说法是对的如果你必须要使用成品，要加主控，外围电路，这句话就不正确了大把的东芝mlc写入只有6-8你用的是一个产品，一个整体，木桶原理知道吧，光flash好，主控不好一点用也没有
引用第19楼gooddigit于 21:01发表的&&:用TLC做SSD，倒是基本赞同9L，但有1点，支持TLC做SSD的主控相对还不是那么普遍，并且TLC做SSD被接受还需要一定的过程。但不同意10L说的“产品的寿命其实和flash类型关系不大”，相同主控的SSD，SLC寿命应该在MLC、TLC的10倍以上。 问题是人家不给你用相同主控，呵呵都是存在短板的，导致产品最终实际性能相差不大。slc当年要是有现在的平衡主控，岂止十万次的寿命？tlc用的主控在平衡算法上有针对tlc特点特别加强。
引用第20楼mxmxm于 23:33发表的&&:这句话我说的很明白吧，TLC做的SSD玩笑开的大了点。真不明白你是真看不懂中国话还是故意装糊涂，你自己凭良心说你会不会花钱买这么一个产品做系统盘？？？有产品就能代表这个设计合理么，有人买来用就表示这个产品好么？64bit、128MB/TC1G的9800GT当年在低端市场上也卖了很多，但是懂行的人谈到这货只能鄙夷的说一声坑爹。我敢说本论坛的90%以上的人都不会买TLC做的SSD，一般人买SSD就主要是为了做高性能的启动盘，花几倍的价格去买比机械硬盘性能高不了多少的东西绝对是脑残的行为。。。....... 别总是脑残脑残的骂人，全世界所有大厂除了三星这个自己生产flash有成本优势的家伙，都在计划推出tlc的ssd，难道他们都傻？都没你懂行？他们没有你清楚tlc的可靠性？你凭良心说，你是不是在相关方面比他们更专业？ 我可以负责的说，能开发ssd，并且推向市场的他们，要说脑残，我认为不会比你脑残。 根据目前的测试，只要加上最新的主控，tlc的写入可以达到5万次。再说一次，产品最终寿命，是一个整体，符合木桶原理，看最短板，而不是看flashslc给你个垃圾主控照样很快完蛋01年的slc配合当年的主控不过写入6W次，现在的mlctlc配合最新主控都可以超过这个数字。 引用第20楼mxmxm于 23:33发表的&&:有产品就能代表这个设计合理么，有人买来用就表示这个产品好么？64bit、128MB/TC1G的9800GT当年在低端市场上也卖了很多，但是懂行的人谈到这货只能鄙夷的说一声坑爹。....... 嘿嘿，从哲学角度来说，存在的就是合理的，有产品当然表示合理了slcmlctlc都是合理的，就连qlc也是合理的现在的问题只不过是谁更合理，判断的标准就是市场占有率一家两家用tlc，就如同当年的rambus，但是，当所有大厂都转向tlc的时候，他当然是合理的，最符合成本优势，最大的市场占有率，最好的发展前景这样都不合理？只有你的观点合理？你打败了金士顿ocz海盗船东芝宇瞻威刚……
引用第20楼mxmxm于 23:33发表的&&:我敢说本论坛的90%以上的人都不会买TLC做的SSD，一般人买SSD就主要是为了做高性能的启动盘，花几倍的价格去买比机械硬盘性能高不了多少的东西绝对是脑残的行为。。.......
话说太满了，兄弟我敢说所有人都会买tlc的ssd，包括你，除非你不用ssd高性能启动盘？你的眼界还是不够，放长远点，以后ssd将是一个标准配置，取代今天的机械硬盘。而所谓的高性能启动盘+机械仓库盘的配置，只会是近几年ssd价格没有降下去的暂时现象。等到ssd存储成本低于磁盘的时候，就不再会有这样的现象了，而这一天是必然到来的。数年之内的事看看电脑历史，真正占有市场的，并不是理论上最优秀的技术，而是成本低的技术。成本低的技术在占有市场之后会不断提升性能，最终超过理论上技术优秀的技术看看当年的Rambus内存，性能在DDR之上，结果被DDR打败，市场份额小的不能再小而今天，在DDR的发展中，早已超越了当年的rambus性能tlc也一样，过不了几年，tlc将占据大部分市场，甚至是绝大部分市场到时候，你不买也得买，不但你买，这个论坛上的人也会买，一来到那个时候，论坛上的人们会发现tlc的寿命不像想象中那么差，甚至非常好，二来你没有选择，整个市场上就买不到slc的产品几年以后你回来看你今天对tlc的态度，你会觉得非常好笑。slc当年和mlc交接的时候，多少人像你今天一样，声称买mlc就是脑残，现在呢还不是乖乖买mlc，还抢着买生怕以后买不到mlc呵呵。至于我自己，我肯定买，只要tlc的价格不会比机械盘高太多。
虽然每次技术交接都有人认不清形式但是我必须指出，tlc取代mlc是大势所趋，凭你的力量是无法阻止的除非你是intel总裁+三星总裁+东芝总裁三神合体，否则没戏
现在众坛友关心的是读写速度而不是寿命问题，像PS2251-67的主控的MLC也没人愿意要啊。在目前技术下，相通条件下明显MLC要快。最最关键的是现在MLC和TLC是一个价格在卖，所以大家当然要纠结买个MLC的
买了tlc的u盘了。
寿命确实不用太在意，倒是现在的低价优盘写入速度太慢，拷个电影让人等着着急
我自己焊的u盘用这个flash不知道怎么样[attachment=1813016]
优盘做系统盘，应该会频繁写入东西吧？寿命能长？
谁闲着没事整天换？
TLC成本是个优势，以后应该会慢慢取代SLC，MLC等技术在发展，以后速度会好起来的想想摩尔定律吧
看客。。呵呵
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Time 0.087612 second(s),query:5 Gzip enabled在U盘、SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。闪存芯片颗粒主要有三种类型，分别为SLC、MLC、TLC，三者之间的区别，如下。
SLC、MLC、TLC闪存芯片颗粒有什么区别?
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命;
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。
MLC和TLC特性比较
结论：SLC & MLC & TLC
目前大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。
而SSD固态硬盘中，目前MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TCL芯片颗粒，大家在购买固态硬盘的时候，可以在产品参数中去了解，如下图所示。
SLC颗粒固态目前主要在一些高端固态硬盘中出现，售价多数上千元，甚至更贵。固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别_百度文库
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固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别
&&固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别
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【科普】【SSD/U盘】SLC MLC TLC 傻傻也能分清【转】
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原理图浅谈好吧，这会是很枯燥乏味又很多人想知道却也更多人有看没有懂的部分......谈 SLC & MLC 之前我们得先了解一下 NAND-Flash 的存储原理，下图就是最小单元的基本架构：　　我们晓得计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1，就像电影《黑客任务》中母体不停跑动连串的 0与1一样，原则上，只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态，便可以拿来纪录数据。在 NAND-Flash 中，当我们需要写入数据时，会在图中的控制闸（Control Gate）施加高电压，然后允许源极（Source）与汲极（Drain）间的 N信道（N-Channel）流入电子，等到电流够强，电子获得足够能量时，便会越过浮置闸（Floating Gate）底下的二氧化硅层（SiO2）为单元所捕获，这个过程我们称之为穿隧效应（Tunnel Effect）；一旦电子进入了浮置闸，即使移除，只要没有足够能量，电子是无法逃离底下的二氧化硅层的，捕获电子的状态便会一直维持下去，时间可以长达十数年之久，视用来绝缘的二氧化硅层耗损状况而定。读取数据时，我们同样会在控制闸施加电压，好吸住浮置闸里的电子，但不用到穿隧注入（Tunnel Injection）电子时那么高，同时让 N通道流过电流，利用电流来感应浮置闸里电子捕获量的多寡，靠感应强度转换为二进制的 0与1，最后输出成数据。假如我们需要擦除数据，就必须靠释放浮置闸里头的电子来达成，此时我们不会对控制闸施加任何电压，而是反过来对单元底下的 P型半导体（P-Well）施加电压，源极与汲极间的电流流过二氧化硅层底下的 N通道时会反向让浮置闸里的电子再次穿越二氧化硅层被吸引出来，我们称之为穿隧释出（Tunnel Release）。SLC MLC TLC 简单分析　　SLC Single-Level Cell，意味着每个存储单元只存放 1bit讯息，靠浮置闸里电子捕获状态的有或无来输出成数据（即使在 0的状态浮置闸里其实还是有电子，但不多），也就是最简单的 0与1；MLC Multi-Level Cell，意味着每个存储单元可存放 2bit讯息，浮置闸里电子的量会分为高、中、低与无四种状态，转换为二进制后变成 00、01、10、11。2009年 TLC Triple-Level Cell 架构问世，更进一步将浮置闸里的电子捕获状态分成八种，换算成二进制的 000、001、010、011、100、101、110、111，也就是 3bit。　　SLC 与 MLC 的比较主要可以分为寿命、成本、功耗、效能与出错率五个面向。　　首先是寿命问题，要谈这个我们又得回到上面那不是很好消化的原理图与介绍。我们晓得（如果你有懂的话）固态存储数据主要靠单元中浮置闸所捕获电子的量，电子要进入或离开浮置闸都得藉由穿隧效应进出用来阻挡电子的二氧化硅层，问题也就出在这；二氧化硅层其实只有 10nm左右厚度，在每一次的穿隧注入电子或释出时，二氧化硅的原子键会一点一点地被破坏，数据的擦除工作会愈来愈慢，因为电子会慢慢占据原本用来绝缘的二氧化硅层，抵销掉施加在控制闸上的电压，导致需要更高电压才能完成工作，而这会让氧化物更快被击穿，等到整个二氧化硅层被电子贯穿，该单元也就正式寿终正寝啦。SLC 只有有或无两种状态，MLC 却有四种电压状态，为了达到这四种状态，电子得频繁出入二氧化硅层，加速单元的耗竭，这也就是为什么 SLC 可以有十万次擦写寿命而 MLC 却只有一万次的原因；当然啦，TLC更惨，平均只有五百到一千次擦写寿命，所以主要拿来做市售的亲民价随身碟。　　读到这里如果不计算一下，十万次、一万次、一千次对你或任何人而言可能不会有太大意义，且让我们拿 2013年一般消费者可以负担得起的 32GB随身碟来试算。假设您手上的是最便宜的 TLC随身碟，以家庭或中小企业用户会全面汰换一台计算机的生命周期五年为例，(32x1000)/(5x365.25) = 17.522，这意味着您得每天写入 17.522GB的资料，才有办法在五年内公司或家中计算机资源回收前把一只 TLC随身碟操坏；若您手上是 MLC随身碟，则是 175.222GB，SLC随身碟则更是高达 GB，每天哟！没关系，换一种算法，假设您每天会写入 32GB数据数据到随身碟上，一只 32GB TLC随身碟则可以用 (32x1000)/(32x365.25) = 2.738年，而你的 MLC随身碟碟则可以用上 27.376年，SLC则是 273.785年，足够让你放在祠堂里作为传家之宝（不过里头资料也顶多只能记忆十几年，因为即使在不通电的状态下，每天每个单元中还是会有 5颗电子逃离逸散掉）！由于不写入数据只有读取时，电子不会出入二氧化硅层，厂商通常都会标示可以无限次读取，然而事实上即使只有读取，仍旧会耗损二氧化硅的键结，再加上颗粒质量可能有良莠，厂商或许会不诚实等有的没的因素，先让我们暂时保守估计这支随身碟只有 50%的寿命。　　这时我们就得引进两种主要让固态硬盘延长寿命的技术了，耗损平衡（Wear-Leveling）与坏块管理（Bad Block Management）。　　所谓的耗损平衡又称均衡抹除技术，我们知道一个固态硬盘单元愈常被读取，二氧化硅层就会愈快被电子贯穿，导致存储效能低落，为了解决这个问题，厂商会运用不同的计算法则，将数据分散写进不常使用的区块，使得整颗硬盘每个区块寿命都能大致相同，而当坏块一个接一个出现的时候，也就是这颗固态硬盘大限将届的时候。均衡抹除算法有动态与静态，动态（Dynamic）是在写入数据前，先看看哪些空白区块写入次数较少，在实际写入时先将数据分配进这些区块；而静态（Static）则是对某些因长期储存固定数据而导致写入次数极低的区块，先将数据备份到其他区块上，然后再抹除原本区块以便参与循环。均衡抹除算法每家厂商都不尽相同，有时不同算法对固态硬盘效能会有极大影响。　　坏块管理顾名思义，就是管理提前阵亡的坏块。事实上，每颗用来作为的颗粒，即使是最高等级，出厂时也都会有坏块，厂商会先将这些坏块标记封存起来，然后保证在硬盘的生命周期内，每个颗粒的好块总数不会低于某个值，如一个 SLC颗粒 4096个区块里要有 3996个区块能在生命周期十万次擦写寿命内正常运作，我们称为最小有效块值（NVB-minimum number of valid blocks），出厂后在消费者手中产生的坏块则必须靠固态硬盘的主控芯片来判断隔离，避免数据误入坏块无法储存日后也无法读取；坏块管理完全仰赖各大厂主控芯片里的逻辑运算，所以主控芯片对固态硬盘而言犹如大脑之于人身。下图是 2010年镁光（Micron） 32GB SLC 25nm技术颗粒的架构图，一颗固态硬盘上会有数个颗粒（die），每个颗粒上会有两平面（plane），每一平面会分割成 2048个区块（block），每个区块上则分作 256页面（page），每一页面上可储存 ()字节（byte），一字节等于 8位（bit），让您一窥固态硬盘的究竟。　　假设利用最新技术可以理论上延长固态硬盘 120%的寿命好了（真正能延长多少视颗粒质量与各大厂所采用的逻辑运算技术而定），再乘上我们当初保守估计的 50%寿命，意思是我们会得到理论值十万次、一万次、一千次的 60%，所以我们刚刚的计算题中，一只 32GB的 TLC随身碟要在五年内操爆，你得每天写入 10.513GB，如为 MLC、SLC则分别为 105.133GB、GB；换另一种算法的话，32GB TLC随身碟每天写入 32GB数据，可以用上 1.643年，如为 MLC、SLC则分别为 16.427年与 164.271年，试问您在哪种状况下才会不敷使用？　　一旦您了解了 SLC、MLC、TLC和固态硬盘寿命的关系后，剩下的读取速度、功耗、出错率与成本就很容易理解了，SLC因为只有两种状态，最容易辨识，所以在同一种主控芯片与计算逻辑下速度最快，功耗也最低，状态稳定，以现代技术而言出错率几乎可以忽略不计，不过，因为每个单元只能存储一个位，所以在相同容量下成本最高。事实上，主控芯片在这其中扮演着举足轻重的脚色，它不仅影响到单信道、双信道甚至四信道的读取效能，也是内存颗粒中保证存储内容正确性 ECC（错误检查与纠错，Error Checking and Correction）技术的神经中枢，MLC与 TLC都十分仰赖 ECC，一有出错就会导致倍数以上的数据损失，然而截至 2012年底，各大厂 ECC技术其实都已经相当成熟，这也是为什么极端重视数据准确度的企业用户胆敢大量采用 MLC固态硬盘的原因，甚至有 SLC硬盘将逐渐淡出市场的传闻，也是啦，你要企业主买一颗没意外的话会活得比他更久的硬盘，要那些老板情何以堪，再说科技日新月异，真的有必要砸大钱采购这种价格不斐容量又小的产品吗？下图或许给您一个 SLC、MLC清晰易瞭的比较。内存颗粒等级释疑我瞭、我瞭，可能有人已经开始打呵欠头疼，逛个卖场还要读技术性文章，这么累，但只要再忍耐一下下就好......　　上面这张图就是所谓的晶圆，刚出厂切割完就长这样，上面每一个小方块都可以拿做成一张记忆卡。问题是，就像内存颗粒即使刚出厂都会有坏块一样，刚出厂的晶圆上也不是每片颗粒都是优等生，就英特尔、镁光（Intel、Micron这两家公司的晶圆由共同合资的IMFT，IM Flash Technology生产）来讲，有些可以拿来做最高等级的同步颗粒，有些修复校验后可以拿来当次等的同步颗粒，而有些不管怎样折腾都是鸡肋，食之无味，弃之可惜，但还是可以卖，就拿来做最低阶的异步颗粒，主要用在国民价记忆卡上。所以，千万不要看到打上英特尔或镁光就以为是什么极品，没那么神，还要对照颗粒表面的编码才能判定质量良窳。　　好啦，最后我们来谈谈颗粒的同步与异步，这涉及到固态硬盘颗粒规格标准的两大阵营，事件可回溯到那月黑风高的 2006；想当年，消费级数位单眼刚发展到让人足堪欣赏的六百至八百万画素，许多爱现的部落客手中一台千万画素相机就自以为是神器......也就是在那样的背景下，市场对于存储装置的需求与日俱增，然而业界对于记忆卡、随身碟或固态硬盘颗粒的规格尚未统一，为方便各厂商间产品开发与兼容，亟需对颗粒接口类型、封装方式、运算逻辑与寄存器标准等等进行一次整合，两大阵营也就于焉诞生。其一我们已经介绍，就是英特尔、镁光阵营，有同步异步差异的也是此间标准下的才有，不过不只两大厂，台湾、索尼、海力士、SanDisk也都是遵循此规范，ONFI（Open NAND Flash Interface）于 2006年 12月制定，到了 2008年 2月，ONFI 2.0规范开始加入 DRAM内存领域中的 DDR信号技术与同步时钟控制，而 2011年 3月 ONFI 3.0规范更采用 DDR2技术，内存传输速率在同步模式下开始达到 400MB/s。所谓同步，是当主控芯片对内存颗粒发送同步指令，触发颗粒中的同步时钟信号，让颗粒与主控芯片在信号同步的模式下运作，达到传输速率上的倍增；如果是异步模式，则相当于 ONFI刚制定时的标准，仅约 50MB/s，从英特尔镁光工厂出厂的颗粒，也只有优等生才能进行同步运算。另一阵营则是三星与东芝主导的 Toggle DDR规范，这两间大厂的固态硬盘颗粒都是在异步模式下运作，不过即使是异步，利用 DDR的 DQS信号传输原理，一样可以让传输速率倍增，加上两大厂的制程都相当先进，使得他们旗下的产品表现丝毫不逊于对手，质量犹有过之，东芝固态硬盘更是长期蝉联苹果笔电的专属指定品牌。末了，就让我们用英特尔 25nm颗粒的分级表来总结，给您个清晰的轮廓。
从台湾那边转来的，词语对照：
《黑客任务》 - 《黑客帝国》
浮置闸 - 浮栅
穿隧效应 - 隧道效应
随身碟 - U盘
国民价 - 低端（这个比较囧）
数位单眼 - 数码单反
部落客 - （博客的）博主
- -我能看懂这东西....人类早已跳出地球....飘过
对 第2楼 星孖Il 说：＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝简单点说，耐用度SLC>MLC>TLC，TLC在正常使用情况下基本够用，失效年限超出产品更新换代的周期。文章只是介绍了三者的原理，不必深究
对 第3楼 欧儿了 说：＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝当我听懂 3楼 这句话
....人类已经成功再生出 恐龙了......
文章写得很好，但是又有多少U盘支持Wear Leveling呢？
什么是SLC？
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。
　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。
虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。　
SLC 利用正、负两种电荷
一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
把一只 TLC随身碟操坏。。。。操坏
至看懂一部分同步异步那里看不懂
非常好的帖子~~~
同步为什么速度倍增，搞不懂
希望楼主说明一下！！！！
kkmike999 发表于
非常好的帖子~~~
同步为什么速度倍增，搞不懂
希望楼主说明一下！！！！
/doc/0/813/813310_all.shtml&这里有个更详细的介绍同步/异步 主要是两个管脚的定义不同，同步模式下，颗粒不需要告诉主控“我准备好了，可以读/写了”，而是随时ready的状态，这样可以省下一个时钟周期
好，我才知道这玩意儿。
2年前还不知道，当时就奇怪，那么多u盘怎么分好坏，
价高价低看不出区别。
感觉很多东西看上去都一样，然后总是突然“多了个”概念，
自己突然就成高手了(知道好坏)。。。然后又落伍了。。。
下面可以推荐一些具体型号了，
貌似厂家都不明标mlc，ZOL u盘产品库也没这项。
ssd倒是有了，不记得2年前有没有。
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