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基于分离式补偿阴极提高膜层厚度均匀性和能量利用率的微弧氧化装置
申请（专利）号：
申请日期：
公开(公告)日：
公开(公告)号：
主分类号：
C25D11/02,C25D11/00,C,C25,C25D,C25D11
C25D11/02,C25D11/00,C25D17/00,C,C25,C25D,C25D11,C25D17,C25D11/02,C25D11/00,C25D17/00
申请（专利权）人：
佳木斯大学
发明（设计）人：
李慕勤,田钦文,刘忠洲,马天钰,毕研军,渠伟峰
主申请人地址：
154007 黑龙江省佳木斯市学府路148号佳木斯大学理学院
专利代理机构：
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
国别省市代码：
基于分离式补偿阴极提高膜层厚度均匀性和能量利用率的微弧氧化装置，其特征在于，它包括微弧槽(1)、上阴极架(2)、阳极杆(3)、工件挂杆(4)、补偿阴极挂杆(5)、补偿阴极板(6)、绝缘架(7)和阳极夹(8)，所述上阴极架(2)为“U”型结构，且架设在微弧槽(1)上，上阴极架(2)的底板上开设有阵列通孔，绝缘架(7)通过螺栓固定在上阴极架(2)的上表面，所述阳极杆(3)的两端通过螺栓固定在绝缘架(7)上，工件挂杆(4)的一端位于微弧槽(1)中，且设有弯钩，工件挂杆(4)的另一端穿过上阴极架(2)的底板上的通孔，并通过阳极夹(8)固定在阳极杆(3)上，补偿阴极挂杆(5)的一端设有弯钩，补偿阴极挂杆(5)通过该弯钩架在上阴极架(2)的底板上，补偿阴极板(6)与补偿阴极挂杆(5)的另一端固定连接，且所述补偿阴极板(6)位于微弧槽(1)中。
法律状态：
公开，实质审查的生效，实质审查的生效
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