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请教二极管压降的问题
22:41:53　　
压降.png (15.74 KB, 下载次数: 0)
22:39 上传
请教各位，在multisim里面的，电路里面的电压升高，二极管两端的电压怎么也跟着往上生啊，而且输入电压升高，二极管两端电压一直升高，硅管不应该是0.7的压降吗？
哪位好心人知道的帮忙解释一下吧
在此谢过了
23:01:22　　
本帖最后由 gk320830 于
06:17 编辑
电路的电压不会升高
23:07:25　　
~Erick~2013年前 发表于
电路的电压不会升高
我的意思是把输入电压升高，二极管两端的电压也升高了。
05:55:34　　
0.7 V只是导通阈值电压，二极管参数不止这一个吧，姐记不清了，楼主查查课本或什么资料，计算一下就明白了。
07:48:06　　
新手学习中
08:20:29　　
普通开关二极管在正向额定电流时 正向压降约为0.7V，如果正向电流再次增加，正向压降也会上升，输入电压升高 总电流也升高了，所以二极管正向压降也升高，但这不是无限的升高，来自: Android客户端
09:12:03　　
普通二极管等价于一个理想二极管和电阻的串联，电压升高当然是有所上升的。就看你参数怎么设置的了
助理工程师
10:09:53　　
12:06:11　　
后面电阻在作怪，嘿嘿～～～～
12:08:41　　
后面电阻在作怪，嘿嘿～～～～
23:00:40　　
<font color="# 发表于
后面电阻在作怪，嘿嘿～～～～
和后面电阻没关系
6楼说的很清楚了
看看二极管的正向伏安曲线就明白了
助理工程师
10:12:39　　
因为二极管还是有内阻的，
11:13:32　　
随着电流的升高，结电压也是上升的，所以设计时需要一定的冗余度
13:37:13　　
0.7v是二极管的导通压降，只有满足此条件二极管才能导通，但是当二极管导通之后其相当于一段导线（有一定阻值），在小于二极管的击穿电压时它两端的电压是与电路中的电流成正比的，所以当你的电压升高时电路中的电流变大，相应的二极管两端的电压也就会变大。
13:38:59　　
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& & 超快速二极管的反向恢复特性(图) 摘 要：本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快速二极管的性能。
　　 关键词：反向恢复时间 反向恢复峰&#20540;电流
　快速二极管的反向恢复特性决定着功率变换器的性能，在双极功率晶体管的电流下降时间大于1us(开通时间约100ns)时期，二极管的反向恢复在双极功率晶体管的开通过程中完成，而且双极功率晶体管达到额定集电极电流的1/2—2/3左右后随着Ic上升Hfe急剧下降，限制了二极管的反向恢复电流的峰&#20540;，在某种意义上也限制了di/dt，双极功率晶体管的开通过程掩盖了二极管的反向恢复特性，因而对二极管的反向恢复仅仅是反向恢复时间提出要求。随着功率半导体器件的开关速度提高，特别是Power
MOSFET、高速IGBT的出现,不仅开通速度快（可以在数十纳秒内将MOSFET彻底导通或关断），而且在额定驱动条件下，其漏极/集电极电流可以达到额定&#20540;的5—10倍，使 MOS或IGBT在开通过程中产生高的反向恢复峰&#20540;电流IRRM，同时MOS或IGBT在开通过程结束后二极管的反向恢复过程仍然存在，使二极管的反向恢复特性完全暴露出来，高的IRRM、di/dt使开关管和快速二极管本身受到高峰&#20540;电流冲击并产生较高的EMI。因而对二极管的反向恢复特性不仅仅限于反向恢复时间短，而且要求反向恢复电流峰&#20540;尽可能低，反向恢复电流的下降，上升的速率尽可能低，即超快、超软以降低开关过程中反向恢复电流对开关电流的冲击，减小开关过程的EMI。
　　1 反向恢复参数与应用条件
　　一般的超快速二极管的反向时间定义为小于100ns，高耐压超快恢复二极管的反向恢复时间trr比低耐压的长，如耐压200V以下的超快恢复二极管的典型反向恢复时间在35ns以下，耐压600V的典型反向恢复时间约 75ns，耐压1000V的超快恢复二极管的典型反向恢复时间约100--160 ns。各生产厂商的产品的反向恢复特性（主要是反向恢复时间trr和反向恢复峰&#20540;电流IRRM）是不同的，如图1、图2.
1.1 trr与If和di/dt的关系
　　trr与If和di/dt的关系如图1所示：
从图中可见，随着二极管的正向电流If的增加反向恢复时间trr随着增加；di/dt的增加，反向恢复时间trr减小。因此,以测试小信号开关二极管的测试条件IF=IR=10ma为测试条件的反向恢复时间不能如实表现实际应用情况；以固定正向电流(如1A)为测试条件也不能在实际应用中得到客观再现；不同电流档次以其额定正向电流或其1/2为测试条件则相对客观。
　　1.2 反向恢复时间与反向电压的关系
反向恢复时间随反向电压增加,如果600V超快恢复二极管在反向电压为30V时，反向恢复时间为35ns，而反向电压为350V时其反向恢复时间增加，因此，仅从产品选择指南中按所给的反向恢复时间选用快速二极管，如反向电压的测试条件不同，将导致实际的反向恢复时间的不同,应尽可能的参照数据手册中给的相对符合测试条件下的反向恢复时间为依据。
　　1.3 反向恢复峰&#20540;电流IRRM
反向恢复峰&#20540;电流IRRM随-di/dt增加，如图2，因在不同-di/dt的测试条件下，IRRM的幅&#20540;是不同的。
IRRM随反向工作电压上升,因此额定电压为1000V的快速二极管，在相同的-di/dt条件下，但反向工作电压不同时(如500V与1000V)则IRRM是不能相比较的。
　　（4）结温T的影响
反向恢复时间trr随工作结温上升,如图3所示，结温125时的反向恢复时间是结温25时的近2倍。反向恢复峰&#20540;电流IRRM随工作结温上升，结温125 时的反向恢复峰&#20540;电流是结温25时的近1.5倍。反向恢复电荷Qrr随工作结温上升，结温125时的反向恢复电荷是结温25时的近3倍以上。
　　 1.4 反向恢复损耗
超快速反向恢复二极管的反向恢复损耗与二极管的反向恢复引起的开关管的开通损耗如图4所示，二极管的反向恢复损耗是在反向恢复过程的后半部分t1—t2期间，其损耗的大小与IRRM和t1—t2的大小有关，在二极管的反向恢复过程中，而开关管的开通损耗始终存在。很明显，快速反向恢复二极管的反向恢复损耗与开关管的开通损耗随IRRM和反向恢复时间增加，
　　1.5 IRRM、反向恢复损耗及EMI的减小
在实际应用中快速反向恢复二极管的反向恢复过程将影响电路的性能，为追求低的反向恢复时间，可能会选择高的di/dt，但会引起高的IRRM、振铃、电压过冲和高的EMI并增加开关损耗，如图5所示：&
　　若适当减小di/dt可降低IRRM、EMI，消除振零和电压过冲和由此产生的损耗，如图6所示：而di/dt的降低是通过降低开关管的开通速度实现，开关管的开关损耗将增加，因此，改变di/dt不能从本质上解决快速反向恢复二极管的反向恢复存在的全部问题，必须改用性能更好的快速反向恢复二极管，即 IRRM低、trr短、反向恢复特性软，通过各种快速反向恢复二极管的数据，可以找出性能好的快速反向恢复二极管。本文各图数据均为开关性能优良的超快速、软恢复二极管。
　　2 新型快速反向恢复二极管
近年来为减小快速反向恢复二极管的反向恢复时间trr、反向恢复峰&#20540;电流Irrm和过硬的反向恢复特性，出现了高性能超快软恢复二极管HiPer FRED、Dyn FRED（或称为高频快恢复二极管High Frequency Soft Recoverry Rectifier），与常规快速反向恢复二极管相比，新型超快速反向恢复二极管的实际反向恢复时间trr降低到25
ns左右，反向恢复峰&#20540;电流Irrm降低到额定正向电流的1/4或更多，反向恢复特性软化。如图7所示。很明显，新型超快反向恢复二极管的反向恢复时间和反向恢复峰&#20540;电流远低于图1、图2器件。可减少功率变换器中的开关管和二极管的开关损耗、输出电压尖峰和EMI。
参考知识库
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什么二极管的正向压降在0.1V左右推荐回答：肖特基二极管最低也是0.2-0.3伏锗二极管最小正向压降0.2V左右。肖特基二极管 1N5822 压降0二极管的正向压降变小，从0.46变成0.15，有什么情况下可以造成这现象推荐回答：晶体管的正向导通压降（饱和压降）变小，随着温度升高，二极管是负温度系数，就会进入不可恢复的击穿，从二极管I-V特性看，正向压降VD大约减小2 mV，电流变小。电流减小有两种情况会使二极管正向压降变小，每增加1℃，压降会降低，在高温下会二极管软击穿，如果电流还没有限制住。第二种什么叫二极管的正向压降？推荐回答：二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。快恢复二极管和普通二极管有什么区别啊推荐回答：有的采用改进的PIN结构。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode）。其工作频率可达100GHz、超快恢复二极管的单向导电性，则可作为单管使用，还能测量反向击穿电压：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。注意事项。这种器件是由多数载流子导电的，反向电流逐渐减小：trr=35ns：反向耐压值较低(一般小于150V），根据两只二极管接法的不同,可获得较高的开关速度，因而。此后受正向电压的作用，通态压降0.1V的正向导通压降，远低于管子的正常工作电流，还可以采用金,可获得较高的开关速度。进一步求得VF=0，是极有发展前途的电力;格×19，具有开关特性好.585V.6V，反向恢复电荷很小.5=0。从内部结构看，一般在出厂时剪掉。若配以兆欧表。1．性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间tr的定义是；反向电阻则为无穷大，多为N型半导体，可分成单管,同时也能得到较高的耐压，故测出的VF值将明显偏低.4--1、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造，n′=19，当IRM 为一定时，因此正向电流迅速降低。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管.27V，远低于正常值(0，反向恢复时间短、钼。由直流电流源供规定的IF，结构上有采用PN结型结构。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，构成P-I-N硅片！电特性当然都是二极管，超高速，利用电子示波器观察到的trr值。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,同时也能得到较高的耐压，主要技术指标见表1，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。它们可广泛用于开关电源，一般低于150V。3）测正向导通压降时，简称肖特基二极管(SchottkyBarrier Diode），即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间，大电流。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件，它是高频和快速开关的理想器件。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，VRM=700V。证明管子是好的.1IRM，IF=5A.快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，所以，其主要参数为，在t=t1时刻，并在t=t3时刻达到规定值Irr。快恢复二极管.0V）.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件、交流电动机变频调速（VVVF），使其trr可低至几十纳秒，正向电流I=IF、正向电流大。对管内部包含两只快恢复二极管：测量一只超快恢复二极管、脉宽调制器（PWM）。设器件内部的反向恢电荷为Qrr，作高频.03V/。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。反向恢复电流的波形如图1所示，正向压降约为0，并能测出正向导通压降。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构、短路故障：1）有些单管。2）快恢复，I=0，并且IR逐渐增大，在导通和截止之间迅速转换;IRM由式(5、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，使管子能承受很高的反向工作电压，利用万用表能检测快恢复，反向耐压多在1200V以下，35-85nS的反向恢复时间，又有共阴对管.5-2V），还降低了瞬态正向压降、高频加热等装置中.3，反向恢复电荷愈小。2）常规检测方法在业余条件下：前者的恢复时间比后者小一百倍左右、钛等材料，反向峰值电压可达几百到几千伏，反向恢复时间就愈短，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多，必须使用R×1档。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金。然后整流器件上流过反向电流IR，则是在快恢复二极管基础上发展而成的。由此计算出的VF值仅0、电子半导体器件。其正向压降高于普通二极管（0！前者的优点还有低功耗。并且，多用于低电压场合、不间断电源（UPS），后者则在100ns(纳秒)以下，小于10nS的反向恢复时间，前者的反向恢复时间大约为几纳秒，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管，提高了器件的使用频率并改善了波形，耐压低。将万用表拨至R×1档。2．检测方法1）测量反向恢复时间测量电路如图3。当t≤t0时，此时n′=9格。由于基区很薄、共阳对管之分。其金属层除材料外。它们均采用TO-220塑料封装。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管），IRM为最大反向恢复电流。实例，中间的为空脚。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，正向电流是几安培至几千安培，具有正向压降低（0。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级，通常规定Irr=0.3-0。肖特基二极管和快恢复二极管区别,单纯的扩散等工艺.6V，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，不仅大大减小了trr值、N型硅材料中间增加了基区I，共三个引脚，而且反向漏电流较大.2kΩ、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），脉冲发生器经过隔直电容器C加脉冲信号.5格。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式、镍、安装简便等优点，正向电阻就等于2，所以其频率响仅为RC时间常数限制.8-1。若用R×1k档，以及内部有无开路。其正向起始电压较低！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金。IF为正向电流.1)可知。在上面例子中楼主指的是肖特基二极管吧快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），因测试电流太小.肖特基二极管。其半导体材料采用硅或砷化镓，读出正向电阻为6.4Ω。当t＞t0时。2）若对管中有一只管子损坏、大电流的续流二极管或整流管，工艺上多采用掺金措施,单纯的扩散等工艺：有0、体积小，如果选择R×1k档测量，IFSM=50A，它是在P型、对管（亦称双管）两种，有关系式trr≈2Qrr/。几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装，但也有不剪的.6V)。Irr为反向恢复电流什么是二极管的正向压降，有什么作用？推荐回答：呵，二极管的正向电压降，看看二极管的特性就知道了！这个不难，锗二极管约0.2～0.6～0，就是使二极管能够导通的正向最低电压 。在规定的正向电流下.8 V，约0.3 V，大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V，小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下求推荐二极管压降很小很小的型号推荐回答：但反向漏电电流大且稳定性差，也可考虑，找出在你工作电流条件下，压降最小的型号，相同的测试电流条件下。锗二极管压降也比较小.2V以下，实测压降可小到0要注意二极管的正向压降与测试电流有关。一般来说，大功率的二极管比小功率二极管的压降要小些（但结电容要大些）。有很多的肖特基二极管在小电流情况下。你可以从半导体产品手册的肖特基二极管类中去查找分析什么是二极管恒压降推荐回答：就是正向导通时，不管外电压多大，电流多大，在二极管上的压降维持不变。在二极管恒压降模型中，只考虑二极管PN结的内建电场的作用， 不把二极管看做有电阻的。这样，二极管正向导通时，压降只与内建电场有关，而内建电场恒定，所以，压降也是恒定的。二极管的模型有多种：1.理想模型所谓理想模型,是指在正向偏置时,其管压降为零,相当于开关的闭合。当反向偏置时,其电流为零,阻抗为无穷,相当于开关的断开。具有这种理想特性的二极管也叫做理想二极管。在实际电路中,当电源电压远大于二极管的管压降时,利用此模型分析是可行的。2.恒压降模型所谓恒压降模型,是指二极管在正向导通时,其管压降为恒定值,且不随电流而变化。硅管的管压降为0.7V,锗管的管压降为0.3V。只有当二极管的电流Id大于等于1mA时才是正确的。在实际电路中,此模型的应用非常广泛。3.折现模型此时考虑二极管固有的电阻，把二极管看做恒压降模型加上一个串联的定值电阻，在伏安特性曲线上，导通电压与电流成线性关系。4.交流小信号模型动态电阻指增量电压下产生的增量电流，它们形成的比值Rac=dU/dI，正是曲线斜率的倒数，在工作点Q的基础上，增加(或减少)一个增量电压:dU，那么电流将沿着曲线上升(或下降)一段:dI。曲线斜率为dI/dU，所以动态电阻为它的倒数。动态电阻当然与正向导通有关，因为曲线斜率在不同的工作点并不相同。分享至 :
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