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射频mosfe噪声模型研究及cmos工艺低噪声放大器设计.pdf59页
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射频mosfe噪声模型研究及cmos工艺低噪声放大器设计
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摘要 摘要 MOS场效应管自上世纪60年代被研制成功后，因其具有集成度高、功耗低的优点，且截J ：频率
不断提高，现在已被广泛应用于单片射频集成电路中。其小信号噪声等效电路模型表征了器件的高频
噪声特性，利用该模型不仅可以指导电路设计者将电路设计的更加合理，而且可以指导芯片制造者做
出更高性能的器件，因此MOS场效应管噪声建模以及模型参数提取技术已经成为近几年国内外的研
究热点。 MOSFET噪声建模和参数提取技术进行了研究，首先，使用开路短路法剥离掉焊盘和 对0．139m
外围连接导线的影响从而得到本征器件的散射参数。然后通过半优化法得到模型的小信号参数并验
证。在精确地提取了小信号模型参数之后，利用噪声相关矩阵技术从测量的散射参数和射频噪声参数
直接提取了栅极感应噪声电流芒，沟道噪声电流艺和它们的相关系数，并用PRC模型中的参数来表
示。将参数提取结果带入ADS中进行仿真，在2～8GHz频段上仿真结果与测量数据吻合良好。 利用TSMC
式结构，并改进了电路结构，使得输入匹配更加容易。通过仿真软件对低噪声放大器电路进行了系统
仿真和参数优化，电路仿真结果表示，该低噪声放大器具有较好的噪声性能、线性度和良好的输入输
出匹配，并且具有合适的增益和较低的功耗，性能满足指标的要求。
关键词：CMOS，噪声，测量，模型，参数提取，低噪声放大器，无线通信，射频 Abstract SemiconductorField―Effect firstinventedinthe 1960sand
MOSFET Metal-Oxide Transistor was early became inwirelesscommunicationduetoits
gradually popular applicationshighintegration and cutoff accurateextractionmethodfora circuitof
powerincreasingfrequency．An small?signalequivalent
MOSFETsisvitalfor
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