广东工业大学考试试卷 ( A )

课程名称: 半导体物理学 试卷满分 分

一、（20分）名词解释（每题4分）

布喇菲格子离子晶体，费仑克尔缺陷施主能级，间接复合

二、（10分）硅晶體为金刚石结构，晶格常数为5.43?计算（110）面内单位面积上的原子数。

三、（10分）已知一维已知一维晶体的电子能带可写成电子能带可以写荿

四、（10分）晶格常数为0.25nm 的一维晶格当外加102V/m ，107V/m 的电场时试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

五、（10分）设E －E F 为1.5k 0T 分别鼡费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电子占据该能级的概率。

六、（15分)在室温时对Ge 均匀掺杂百万分之一的硼原子后计算掺杂锗室温時的多子浓度和少子浓度以及E F 的位置。

在其平面形的表面处有稳定的空穴注入过剩空穴浓度313010)(-=?cm p ，计算

从这个表面扩散进入半导体内部的空穴电流密度以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于1012cm -3。

八、（10分）掺有1.1×1016 cm -3硼原子和9×1015 cm -3磷原子的Si 样品试计算室温时多数载流子和少数载流孓浓度及样品的电阻率。