material studio 吸附怎么变原胞

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关于使用MS建立石墨烯超胞的问题,菜鸟求救
想建立一个石墨烯4X4超胞的吸附模型,首先在建立石墨烯超胞的问题上被卡主了,在帖子http://emuch.net/html/0856.html上看到MS中建立石墨烯模型
想请教大家两个问题:
首先引用原文:
Sample Text
最近为了在VASP中弛豫石墨烯,要在在MS中建立石墨烯模型,总结了一下步骤,仅供参考:
1、打开material studio,新建一个工程,import石墨graphite.msi,在structure/ceramic中
2、build-&make p1(目的是消除对称性,这样才能够删除一层原子)。
3、删除一层原子(选中原子-&delete),并移动剩下的原子到中间。
4、构建supercell(方便掺杂,也为了好看):build-&symetry-&supercell,构建一个6*6*1的超原胞,这样建立的超胞模型是扶手型。
要建立锯齿状的,在建立supercell之前,build&symmetry&find symmetry,然后impose symmetry,此时只显示两个原子,然后建立supercell,6*6*1
(如果需要supercell是斜六面体,这样就可以了,如果需要矩形,继续下一步)
5、修改晶格参数:build-&crystal-&rebuild crystal,设置方位角和length。由斜六面体改为矩形首先改方位角,如果只改方位角,会发现周期性边界变化,
所以还要修改length,修改以后变成矩形。我的是6*6*1,a:12.78,b:12.2999
6、下面就是需要导出到VASP中
点击castep计算energy,保存file,到相应文件夹下找到graphite (66-cub).cell文件,此文件为隐含文件,打开,把相应的lattice parameter和坐标拷到POSCAR,就搞定了。
1.3、删除一层原子(选中原子-&delete),并移动剩下的原子到中间。
MS中怎么将剩下的原子准确的移动到中间?用move to工具吗?具体如何操作?怎么总是移动不了?
2.5、修改晶格参数:build-&crystal-&rebuild crystal,设置方位角和length。由斜六面体改为矩形首先改方位角,如果只改方位角,会发现周期性边界变化,
所以还要修改length,修改以后变成矩形。我的是6*6*1,a:12.78,b:12.2999
这里将斜六面体改为矩形是什么意思?是说改了之后,整个超胞的形状就由六面体改成了矩形吗?另外如果我建立的是4X4超胞,那么a,b应该是多少?换句话说,a,b的取值与晶格常数存在何种关系?
请大家帮帮忙,急
虽然我刚刚自己摸索出来了,但是还是感谢大神的鼎力相助!请继续关注我,我还会提出许多白痴问题,请大神给予指教啊!
大侠,请移步这里:http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=6380006
对于一个6*6*1的晶胞,为什么在b方向上是5个呀?
领教了,谢谢!
哦&&谢谢!
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1. 应当使用多少个k网格? 很难一般地回答,只能给出一般建议。注意:一定要检查k网格,首先用较粗糙的网格计算,接下来用精细的网格计算。通过比较两次的结果,决定选用较粗糙的网格,或是继续进行更精细网格的计算,直到达到收敛。金属体系需要精细的网格,绝缘体使用很少的k点通常就可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比如40-60个)的绝缘体,可能仅需要一个(移动后的)k点。另一方面,面心立方的铝可能需要上万个k点以获得好的DOS。对于孤立原子或分子的超晶胞,仅需要在Gamma点计算。对于表面(层面)的超晶胞计算,仅需要(垂直于表面)z方向上有1个k点。甚至可以增加晶格参数c,这样即使对精细格点,沿z方向上也只产生一个k点(产生k点后,不要忘记再把c改回)。 2. 当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入? 大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋-轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这时,时间反演对称性被破坏(+k和-k的本征值可能不同),因此决不能加入时间反演对称性。 3. 是否移动k网格?(只对某些格子类型有效) “移动”k网格意味着把所有产生的k点增加 x,x,x ,把那些位于高对称点(或线)上的k点移动到权重更大的一般点上。通过这种方法(也即众所周知的“特殊k点方法”)可以产生等密度的,k点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时(通常位于Gamma,X,或BZ边界上的其它点),使用移动的网格将不会得到这些高对称性的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做SCF循环,但对DOS计算,改用精细的未移动网格。
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