【图文】05_第4章_2_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
评价文档：
05_第4章_2
上传于||文档简介
&&微​波​固​态​电​路
大小：2.87MB
登录百度文库，专享文档复制特权，财富值每天免费拿！
你可能喜欢我简单的给你回答下吧1 那个原理是使用四分之一波长线实现阻抗变换，你加的微波电容的串联谐振点近似短路，变换过去就相当于高阻。具体四分之一波长，到不一定是的（不过用四分之一肯定没错），实际的电容的位置是可以调试的，四分之一波长，你把板材内容输对了ADS可以帮你计算。
2 Loadpull你的使用基本是没有问题的，圆应该不会差很远，可以多试几次，找个最好值，它跟你的输入功率的不同，输出的阻抗点是会变化的，如果你非要出到50.9.你可以在Loadpull中将输入功率搞大点，但是个人觉得没有必要，输入一个相对比较大的值就可以了，然后找到阻抗点后，在圆图中匹配设计，设计完成后，匹配出来，把你的供电加上，基本应该不会有问题的。就是有点差距的话，你也可以微调微带，输出功率就出来了，本来就需要调试的啊，实际的也还是需要调试的。
3 抑制谐波的话，你可以用你那个ADS中匹配电路中的频率响应来看，搞成低通就行了啥。简单的很，还有就是抑制二次谐波，有些技巧，不过这个不是匹配中做的，在最后的环形器或者隔离器，或者你的什么器件，加线。
UID352747&帖子20&精华0&积分1&资产1 信元&发贴收入125 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出254 信元&阅读权限10&在线时间9 小时&注册时间&最后登录&
jackfu2000
非常感谢jackfu2000的讲解，讲的很好。
1.可是我是应该用50欧姆的四分之一波长线，还是25欧姆的四分之一波长线。
2.我用sourcepull增大输入信号是没有问题的，能够出来50dbm以上的大功率满足要求，但是loadpull就不行，增大了输入信号&33dbm,此时输出最大功率是48.8dbm，PAE和Pdel的图像都没有，是不是超过什么范围，导致什么图形都没有出来啊
UID378365&帖子7&精华0&积分30&资产30 信元&发贴收入35 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出55 信元&阅读权限10&在线时间2 小时&注册时间&最后登录&
I have below concerns about your circuits.
1. Do you set you PA to correct biasing point?
2. Do you check 2nd and 3rd harmonics?
UID89250&帖子170&精华0&积分951&资产951 信元&发贴收入870 信元&推广收入353 信元&附件收入0 信元&下载支出1332 信元&阅读权限30&在线时间25 小时&注册时间&最后登录&
UID89250&帖子170&精华0&积分951&资产951 信元&发贴收入870 信元&推广收入353 信元&附件收入0 信元&下载支出1332 信元&阅读权限30&在线时间25 小时&注册时间&最后登录&
UID89250&帖子170&精华0&积分951&资产951 信元&发贴收入870 信元&推广收入353 信元&附件收入0 信元&下载支出1332 信元&阅读权限30&在线时间25 小时&注册时间&最后登录&
ADS里有具体的例子。
UID467281&帖子87&精华0&积分0&资产0 信元&发贴收入460 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出535 信元&阅读权限10&在线时间23 小时&注册时间&最后登录&
UID617841&帖子339&精华0&积分13651&资产13651 信元&发贴收入1855 信元&推广收入0 信元&附件收入13834 信元&下载支出23793 信元&阅读权限70&在线时间2629 小时&注册时间&最后登录&
学习学习。。。
UID195457&帖子12&精华0&积分10&资产10 信元&发贴收入65 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出105 信元&阅读权限10&在线时间5 小时&注册时间&最后登录&
顶顶顶顶顶
[通过 QQ、MSN 分享给朋友]
欢迎访问 TI 热门产品应用指南您所在位置： &
&nbsp&&nbsp&nbsp&&nbsp
硅基微波MEMS移相器的研究.pdf91页
本文档一共被下载：
次 ,您可免费全文在线阅读后下载本文档
文档加载中...广告还剩秒
需要金币：200 &&
你可能关注的文档：
··········
··········
博士学位论文
硅基微波MEMS移相器研究
姓名：朱健
申请学位级别：博士
专业：精密仪器及机械
指导教师：周百令;林金庭
由于固体开关固有的半导体衬底损耗，金属接触层的损耗，半导体结的非线性以及寄生电容等因素
使传统的微波开关、移相器等存在信号传输效率低、制造成本高等缺点。微波MEMS移相嚣可以极低的
微波损耗传输讯号，提高功率控制能力和宽带应用范围，可以直接实现高密度封装的微波多芯片模块及单
片子系统，而不必走分立方式或混合集成方式从而降低体积和重量，与集成电路兼容，成本低，在大型相控
阵中可节省50-75％的T／R模块。由于RFMEM$其主要应用集中在军事领域。国外实行技术封锁，我们无
法学习和借鉴其技术，只有走自主研发这条路。
微波MEM$移相器主要包括了DMTL、反射式，开关线和开关网络型四种类型，从前国内外大多数
研究集中在DMTL移相器。其中数字DMTL移相器结构要实现90。的相移约需8只以上的RFMEMS开
关，而对于180’相移，则需要16只以上的RF
器占据了大的芯片面积，使用高阻硅作衬底，损耗较大。论文摈弃先前国内外大多数研究DMTL移相器，
利用开关线移相器和开关网络移相器原理，分别设计了x波段4位开关线型跹鹕移相器、3位高低通开
关网络型删s移相器和5位紧凑型开关线型娅Ms移相器。
论文从高阻硅的基本微波特性 高阻硅正切损耗 入手，对微波传输线 微带线、共面波导传输线
CPW 、集总元件 螺线电感、MIM电容、梳齿状电容 和偏置电路 四分之一
正在加载中，请稍后...4_课堂讨论1_图文_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员，立省24元！
4_课堂讨论1
上传于||暂无简介
阅读已结束，如果下载本文需要使用2下载券
想免费下载本文？
下载文档到电脑，查找使用更方便
还剩30页未读，继续阅读
你可能喜欢君，已阅读到文档的结尾了呢~~
硅基微波MEMS移相器的研究研究,微波,硅基,硅基微波,移相器,MEMS,移相器的,微波移相器,硅基生物,硅基生命
扫扫二维码，随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
硅基微波MEMS移相器的研究
举报该文档为侵权文档。
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由：
将文档分享至：
分享完整地址
文档地址：
粘贴到BBS或博客
flash地址：
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码：
&embed src='/DocinViewer-4.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布，请您等待！
3秒自动关闭窗口}